-
公开(公告)号：CN114597254B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210497461.9
申请日：2022-05-09
IPC: H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/788 , H03M1/12 , H03M1/66
Abstract: 本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DAC电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代硅基CMOS器件成为新一代半导体。在以硅基晶体管为基础的CMOS电路中，ADC和DAC是芯片中常用的信号转换单元，本发明提供的二碲化钼二维材料半导体应用到ADC和DAC可以取代传统的硅基CMOS器件，在二维材料半导体领域中，可以有效解决其他基于二维材料半导体的电路模块与ADC和DAC的阻抗匹配问题，有望于解决二维材料半导体器件的大规模集成的兼容性问题。
-
公开(公告)号：CN114203541A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111420791.X
申请日：2021-11-26
IPC: H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待转移结构中的金属电极图案从所述过渡层上整体粘起并贴合至目标结构中的二维材料上；去除所述有机柔性材料，完成金属电极与二维材料的范德华接触。通过引入过渡层并结合湿法刻蚀和干法转移，使得容易实现待转移图案的整体剥离，大大提高了制备的成功率，且通过范德华力结合金属电极和二维材料，能够大大提高两者的接触性能。
-
公开(公告)号：CN107863097B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201711211037.9
申请日：2017-11-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G10K11/30
Abstract: 本发明公开了一种基于图案化裁剪技术聚焦声波的方法，包括：确定相位调控薄膜，所述相位调控薄膜能够将其透射的声波的相位改变180度；对相位调控薄膜进行裁剪，使得经过裁剪后的相位调控薄膜透射后的声波平面聚焦于焦点或者空间聚焦于焦点，其中，通过控制裁剪的尺寸，使经过裁剪区域后的声波与其相邻的经过非裁剪区域透射后的声波到达焦点的波程差为声波波长的一半。本发明基于能够将透射相位改变180度的薄膜和特定图案化设计规律以实现声学聚焦。得到的声聚焦点可用于超声波碎石，等方面，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112687739A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011578341.9
申请日：2020-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/18 , H01L29/12
Abstract: 本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108504356B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201810457605.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法与应用。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃‑110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃‑110℃的条件下加热，即得到量子点溶液；再将该量子点溶液进行纯化，即得到掺锰无机卤素钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，可用于大规模生产。该量子点应用于隐形墨水效果好，书写方便，且隐形效果稳定；且由于掺锰以后，热稳定性大幅提高，毒性大幅降低。
-
公开(公告)号：CN108037508B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201711211040.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于图案化裁剪技术实现亚波长分辨的方法，包括：确定相位调控薄膜，所述相位调控薄膜能够将其透射的声波的相位改变180度；对相位调控薄膜进行裁剪，将所述相位调控薄膜裁剪成潘洛斯晶格的准周期图案，使得经过所述裁剪的相位调控薄膜后的声波形成超振荡现象，从而产生亚波长的焦斑。本发明实现了远场的声波亚波长分辨，所得到亚波长焦斑半高全宽约为0.25倍波长，意味着在长度分辨率提高一倍，而从整个面积上看，成像精度极限可以为常规手段的4倍。
-
公开(公告)号：CN106738953B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201611080439.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B29C65/48
Abstract: 本发明公开了一种可拉伸呼吸探测材料的制备方法，该方法将可拉伸超高粘性胶带VHB衬底进行一定程度的预拉伸，然后将丁腈橡胶膜粘贴在预拉伸的VHB上，最后释放预拉伸应力形成褶皱的丁腈橡胶膜，得到可拉伸呼吸探测材料。本发明机制在于呼吸中的水气在褶皱的丁腈橡胶膜表面形成水分子膜的瞬时导电作用——呼气时水分子凝结成膜使得电极间的电阻降低，呼气停止后水分子膜瞬间挥发并使得电极间的电阻增大，因此可以根据电阻变化引发的电流变化来探测呼吸；同时由于褶皱所引发的毛细作用，可以使材料分辨出呼吸的强弱；由于所选衬底可拉伸，因此探测材料具有良好的可拉伸性；同时原材料成本低廉，制备工艺简便，因此还具有成本低的特点。
-
公开(公告)号：CN108504356A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810457605.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锰无机卤素钙钛矿量子点及其制备方法与应用。该制备方法为将铅盐和氯化锰溶解后，在80℃-110℃条件下加热，得到卤素前驱体；将铯盐溶解后得到铯前驱体；将铯前驱体加入到卤素前驱体中，在80℃-110℃的条件下加热，即得到量子点溶液；再将该量子点溶液进行纯化，即得到掺锰无机卤素钙钛矿量子点。本发明提供了一种不需惰性气体保护，且在较低温度下大产率制备掺锰无机卤型钙钛矿量子点的方法，不仅降低了制备成本，并且提高了制备效率，可用于大规模生产。该量子点应用于隐形墨水效果好，书写方便，且隐形效果稳定；且由于掺锰以后，热稳定性大幅提高，毒性大幅降低。
-
公开(公告)号：CN106725887A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611081253.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种简易的制备柔性呼吸传感器的方法，该方法不需要复杂的工艺步骤以及繁多的辅助材料，仅需要将表面粗糙的绝缘柔性衬底作为敏感面，并将电极附着在敏感面表面上，即可制备出柔性呼吸传感器。本发明利用呼吸中的水气在柔性衬底表面形成水分子膜的瞬时导电作用——呼气时水分子凝结成膜使得电极间的电阻降低(电流上升)、呼气停止后水分子膜瞬间挥发并使得电极间的电阻增大(电流下降)来探测呼吸；在一定的粗糙度范围内，由于水分子冷凝成核点丰富，有利于水分子膜的瞬间形成，因此探测效果显著；由于所选衬底为柔性，因此探测材料具有良好的柔韧性；同时原材料成本低廉，制备工艺简便，具有成本低的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.025 seconds)
