公开(公告)号：CN100478771C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200710100037.1

申请日：2007-06-05

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  陈灿 ,  张海龙 ,  李松杰

IPC: G02F1/355

Abstract: 一种纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料的复合领域。本发明采用溶胶-凝胶法制备Aux/Ni(1-x)O复合光学薄膜，其中，x表示Au的质量百分比，0＜x≤0.9。原料为氯金酸与硝酸镍，溶剂为乙二醇独甲醚，硝酸镍溶液的浓度为0.1～1mol/L。本发明的优点在于：本发明使用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液，薄膜化学计量成分容易控制；用匀胶机制备薄膜。工艺简单，价格低廉，反应温度200℃～700℃，比传统烧结方法低，制备周期短，节省能源；制备的纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，在光开关，光计算机，光波分离。

公开(公告)号：CN101289318A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810114773.7

申请日：2008-06-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  李海涛 ,  范烨 ,  张倩

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 一种Na+补偿的铌酸钾钠锂基无铅压电陶瓷及其低温烧结方法，属于功能陶瓷材料领域。其化学组成通式可表示为(Naa+xKbLic)NbO3，其中a、b、c分别表示组成元素Na、K、Li的摩尔分数，a+b+c＝1；x表示补偿Na+的摩尔分数；各参数的取值范围为：0.20＜a＜0.80，0.20＜b＜0.80，0.00＜c＜0.30，0.00＜x≤0.20。该陶瓷体系的制备方法包括混合原料、焙烧、成型、烧结、焙银、极化等工艺步骤。本发明的优点在于：通过Na+补偿有效降低了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的烧结温度，在800－1000℃的低温下制备了性能优良的无铅压电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN100419462C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200610114319.2

申请日：2006-11-06

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  陈灿 ,  焦力实 ,  张海龙 ,  王蕾

IPC: G02B1/00

Abstract: 一种纳米银颗粒分散氧化镍光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料复合材料领域。本发明采用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液，原料为硝酸银与硝酸镍，硝酸镍溶液的浓度为0.2～1mol/L，溶剂为乙二醇独甲醚，硝酸银与硝酸镍摩尔比为0.007∶1～2.769∶1；使用匀胶机制备薄膜，其工艺简单，价格低廉，反应温度200℃～900℃比传统烧结方法低、薄膜成分容易控制，制备周期短，节省能源。本发明制备的纳米银颗粒分散氧化镍非线性光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，在光学器件方面，作为光开关，光计算机，光波分离器等具有广阔的应用前景。复合薄膜中Ag含量最高达到80wt%。

公开(公告)号：CN1995437A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610144006.1

申请日：2006-11-24

Applicant: 清华大学 ,  北京科技大学

Inventor： 李敬锋 ,  刘玮书 ,  张波萍

IPC: C22C45/00 ,  C22C1/05 ,  B22F3/16 ,  B22F9/04 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Co1－xMxSb3+ySiC进行配料，然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250～600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb3基热电材料。该方法的特点在于：利用放电等离子烧结直接合成CoSb3相，并利用弥散分散的SiC抑制CoSb3的晶粒生长，最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb3基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率，从而获得更好热电性能。同时，由于纳米颗粒弥散增强，而使其具有更好的机械和加工性能。

公开(公告)号：CN1952694A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610114319.2

申请日：2006-11-06

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  陈灿 ,  焦力实 ,  张海龙 ,  王蕾

IPC: G02B1/00

Abstract: 一种纳米银颗粒分散氧化镍光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料复合材料领域。本发明采用溶胶－凝胶法制备前驱体溶液，原料为硝酸银与硝酸镍，硝酸镍溶液的浓度为0.2～1mol/L，溶剂为乙二醇独甲醚，硝酸银与硝酸镍摩尔比为0.007∶1～2.769∶1；使用匀胶机制备薄膜，其工艺简单，价格低廉，反应温度200℃～900℃比传统烧结方法低、薄膜成分容易控制，制备周期短，节省能源。本发明制备的纳米银颗粒分散氧化镍非线性光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，在光学器件方面，作为光开关，光计算机，光波分离器等具有广阔的应用前景。复合薄膜中Ag含量最高达到80wt％。

公开(公告)号：CN1290795C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510011664.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  董燕 ,  张雅如

IPC: C04B35/28 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法，属于氧化物陶瓷薄膜材料技术领域，适用于介电薄膜材料。本发明的陶瓷薄膜化学式为：LixTiyNi1-x-yO，其中：x为0.05～0.5，y为0.02～0.2。采用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液，使用匀胶机制备薄膜，其价格低廉，锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜材料是一种新型的无铅电介质薄膜材料，性能稳定。锂钛共掺杂氧化镍陶瓷薄膜材料具有高的介电常数，频率为1000Hz，ε＞100，适合各种高介电常数薄膜器件的要求，在电介质领域，可用于制造薄膜电容器和动态随即存取存储器DRAM。

公开(公告)号：CN1712557A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510011734.0

申请日：2005-05-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  焦力实 ,  刘玮书 ,  董燕 ,  王柯 ,  张雅茹

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供了一种铜金纳米颗粒分散氧化物光学薄膜制备方法。在溅射设备内同时安装Cu、Au和氧化物三个溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积参数溅射靶的功率、氩气流量的单独控制，制备出具有纳米层状特征的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物复合薄膜；具体步骤为：先制备Cu或Au纳米颗粒单层膜，再沉积氧化物膜，然后沉积Cu或Au纳米颗粒单层膜，之后再沉积一层氧化物膜。按上述顺序交替沉积，制成具有层状结构的铜金纯金属纳米颗粒分散氧化物薄膜。其优点在于：此种铜金纳米颗粒分散氧化物层状薄膜中，铜金两种纳米颗粒以纯金属状态而不是以合金的状态存在，在特定的波长处可观察到两个吸收峰，具有优良的非线形光学特性。

公开(公告)号：CN1644562A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410068962.7

申请日：2004-07-15

Applicant: 清华大学 ,  北京科技大学 ,  日本丰田汽车株式会社

Inventor： 李敬锋 ,  张波萍 ,  张利民 ,  张海龙

IPC: C04B35/495 ,  H01L41/187 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷材料领域的一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明提供的铌酸钾钠系压电陶瓷的组成成分以式(1－n)KxNa1－xNbO3·nMH表示，是采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备的，将原料研磨混和后，先经过焙烧合成铌酸盐，再得到的粉料通过放电等离子烧结(SPS)，然后在含氧气氛中进行退火处理制备出压电/铁电陶瓷材料。该压电陶瓷组合物不含铅，并具有良好的压电性能。烧结温度低，烧结时间短，可获得细小、均匀的组织，高致密度并能保持原始材料的自然状态；本发明工艺在于放电等离子、放电冲击压力及电场等的共同作用下，使试样活化表面、加速扩散、提高塑性变形。

公开(公告)号：CN1208497C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN03156142.X

申请日：2003-09-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/46 ,  G02B1/10

Abstract: 本发明提供了一种制备具有纳米层状结构的纳米金属颗粒分散氧化物非线性光学薄膜的制备方法。其特征在于：在离子溅射设备同时安装金属和氧化物溅射靶，在每个溅射靶和基板前分别设置遮板，通过对金属和氧化物的沉积速度的单独控制，实现对金属颗粒的粒度、分散状态、膜层厚度参数的精密控制；具体步骤为：分别制备纳米颗粒单层膜，氧化物颗粒单层膜，之后，两者交替沉积，制成层状结构薄膜；在沉积过程中直接将直径2～50nm的金属颗粒均匀地分散在氧化物基体中。其中纳米金属颗粒为Au，Ag，Cu，氧化物为SiO2，TiO2，BaTiO2。其优点在于：此种多层薄膜，在特定的波长处可观察到吸收峰，具有优良的非线形光学特性。

公开(公告)号：CN117964355A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311782393.1

申请日：2023-12-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  张世元 ,  周炜 ,  裴俊

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷的高通量制备方法，以Fe2O3、Bi2O3和BaTiO3和掺杂元素化合物为原料，先经球磨混料、烘干、压片等步骤制备陶瓷样品坯体。再将样品坯体放入马弗炉排胶并焙烧，随后以氧化锆球或片为支垫，将多个陶瓷样品坯体相间叠放在石英管中。将石英管放入具有梯度温度的立式管式炉内烧结，即可完成多个陶瓷样品在不同烧结温度下的一次性高通量制备。本发明方法相比于传统制备工艺，所需周期少、时间短，节约能耗，同样大小容积下可以达到更高的陶瓷样品制备效率；相较于其它高通量方法使用的设备成本低、原理简单。在较大温度范围内一次性快速筛选出最佳的成分、烧结温度以及电学性能的铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷。