公开(公告)号：CN1290795C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510011664.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  董燕 ,  张雅如

IPC: C04B35/28 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法，属于氧化物陶瓷薄膜材料技术领域，适用于介电薄膜材料。本发明的陶瓷薄膜化学式为：LixTiyNi1-x-yO，其中：x为0.05～0.5，y为0.02～0.2。采用溶胶-凝胶法制备前驱体溶液，使用匀胶机制备薄膜，其价格低廉，锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜材料是一种新型的无铅电介质薄膜材料，性能稳定。锂钛共掺杂氧化镍陶瓷薄膜材料具有高的介电常数，频率为1000Hz，ε＞100，适合各种高介电常数薄膜器件的要求，在电介质领域，可用于制造薄膜电容器和动态随即存取存储器DRAM。

公开(公告)号：CN1699273A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510011664.9

申请日：2005-04-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  董燕 ,  张雅如

IPC: C04B35/28 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法，属于氧化物陶瓷薄膜材料技术领域，适用于介电薄膜材料。本发明的陶瓷薄膜化学式为：LixTiyNi1－x－yO，其中：x为0.05～0.5，y为0.02～0.2。采用溶胶－凝胶法制备前驱体溶液，使用匀胶机制备薄膜，其价格低廉，锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜材料是一种新型的无铅电介质薄膜材料，性能稳定。锂钛共掺杂氧化镍陶瓷薄膜材料具有高的介电常数，频率为1000Hz，ε＞100，适合各种高介电常数薄膜器件的要求，在电介质领域，可用于制造薄膜电容器和动态随即存取存储器DRAM。