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公开(公告)号：CN103594715A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310593990.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01M4/5825 , H01M4/62 , H01M4/625
Abstract: 本发明属于锂离子电池技术领域，一种通过机械活化辅助固相烧结制备锂离子电池正极材料氟磷酸钒锂的方法。其制备方法是将按照一定化学计量比称量的高价钒源化合物、磷源化合物和还原剂置于高能球磨机容器中进行机械活化处理，然后在非氧化性气氛中煅烧处理得到前驱体，再与锂源化合物、氟化物球磨混匀后，置于非氧化性气氛中加热到600～800℃保温0.2～5h后快速冷却到室温，得到氟磷酸钒锂。本发明工艺简单、易于控制、成本低，所合成的氟磷酸钒锂材料纯度高，颗粒呈类球形且均匀一致，具有良好的电化学性能。在3.0-4.6V电压范围充放电，0.1C倍率下的首次放电比容量可达146.2mAh/g，且循环性能良好。
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公开(公告)号：CN103589895A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310594027.3
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种低成本制备高精度金刚石/Cu复合材料零件的方法。金刚石与Cu直接结合时界面结合差，热阻大，此外金刚石/Cu复合材料的硬度较大，很难进行二次加工。本发明采用热固性酚醛树脂做成形剂，先制备多孔金刚石坯体，然后采用熔渗的工艺与Cu进行复合。为了改善金刚石与Cu的界面结合，在制备金刚石坯体的过程中加入一定量的Cr粉末，Cr粉末在后期Cu的熔渗过程中能够固熔到Cu液中，同时富集在金刚石颗粒的表面并与金刚石颗粒发生界面反应，使得界面由原来的机械结合变为化学冶金结合。由于Cr粉末是在金刚石坯体成形过程中直接混入到粉末中，避免了镀覆等工艺，因此大大降低了生产的成本。所制备的复合材料导热率超过500W/mK，尺寸精度可以控制在±0.5%范围内。
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公开(公告)号：CN103507236A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310494939.3
申请日：2013-10-21
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: B29C45/33 , B29C45/332 , B29C45/4005
Abstract: 一种带侧斜面零件的注射成形模具，由动模板和定模板两部分组成，动模板包括：模腔、定位压紧块、滑块、斜孔、滑轨、定位槽和固定螺钉。定位压紧块固定在模腔中，定位压紧块之间形成滑轨，滑轨底部预制滑槽。滑块安装在滑槽中，能够沿径向自由滑动。滑块中开设斜孔，斜导柱能够穿行于斜孔中。定模板由一端固定的斜导柱和凸台组成。动模板和定模板合模后，凸台与滑块尾端的凹槽吻合，对滑块进行压紧和定位。同时，斜导柱插入斜孔中，利用斜导柱的顶推带动滑块由外向内滑动。注射结束后，斜导柱抽离斜孔，带动滑块由内向外弹开，实现侧向抽芯。本发明能够实现带多个侧斜面零件的近终成形、稳定性高、同步性好，结构简单，体积较小、便于制作。
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公开(公告)号：CN102875151B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210414247.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/63 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种制备低体积分数多孔碳化硅陶瓷坯体的方法，将常规陶瓷凝胶注模成形丙烯酰胺凝胶体系中的水用硅溶胶替代，形成硅溶胶-聚丙烯酰胺双凝胶网络体系。通过控制硅溶胶与丙烯酰胺的比例，并在浆料中添加一定比例的石墨粉，可以使得凝胶坯体在室温具有一定的强度，同时排胶后留下的硅溶胶凝胶网络还可以使坯体具备一定的强度，满足后期熔渗金属对坯体强度的要求。浆料中添加石墨粉能够有效避免碳化硅颗粒在凝胶过程中由于体积分数过低导致粘度低而产生沉降现象，石墨粉可以在排胶后期于空气中烧掉。采用上述方法可以以较低的成本制备体积分数为15~45%、强度超过3MPa、闭孔隙率小于0.5%的多孔碳化硅坯体。
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公开(公告)号：CN102030556B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201010541467.9
申请日：2010-11-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，属于陶瓷材料领域。其特征是原料重量百分比为：5～15％的粘接剂，15～45％的碳化硅粉，40～80％的金刚石颗粒。原料经8～24h湿混，75～250MPa压力下模压成形得到复合材料毛坯，毛坯在空气中氧化，氧化温度200℃，氧化时间6～10h，在氮气保护气氛中800～1200℃温度下烧结8～15h，随炉冷却。然后经真空浸渍、氧化、烧结和冷却，循环3-7次即可获得致密的金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料。氧化温度200℃，氧化时间6～10h，在氮气保护气氛中800～1200℃温度下烧结8～15h，随炉冷却。本发明方法设备要求低，成本低，可制备出复杂形状致密金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102674848A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210139332.9
申请日：2012-05-07
Applicant: 北京科技大学 , 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/565
Abstract: 本发明属于无机化学领域，涉及一种制备化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体的方法，特别涉及一种以聚二甲基硅烷为原料，采用热解、蒸馏的工艺制备化学液气相沉积工艺用液态SiC陶瓷先驱体的方法。本发明通过对聚二甲基硅烷在不同的温度下进行热解、分馏，制得沸点范围在100～200°C的SiC陶瓷先驱体。本发明制备的化学液气相沉积工艺用SiC陶瓷先驱体具有常温下稳定，沸点低（200°C以下），流动性好且对环境无腐蚀，沉积效率高，裂解产物为近化学计量比的β-SiC，并且沉积和裂解过程中产生的副产物对环境无腐蚀无污染等优点，同时本发明的制备工艺简单，制备周期短，成本低。
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公开(公告)号：CN101768706B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010033735.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/08 , C22C49/02 , B32B9/04 , C22C101/10 , C22C121/00
Abstract: 一种高体积分数金刚石颗粒增强铜基复合材料零件的制备方法，属于金属材料领域，其特征为复合材料由铜或铜合金、金刚石颗粒和过渡层组成，其中铜或铜合金体积分数为32-45％，金刚石颗粒和过渡层体积分数为55-68％。采用生产工艺步骤为：先采用真空盐浴镀法在金刚石表面形成TiC和Ti的复合薄镀层，然后再将改性的金刚石粉末添加适量粘结剂后压制成零件形状的多孔预制坯，最后将多孔预制坯和铜或铜合金一起置入真空条件下进行无压熔渗处理，得到具有高体积分数、高致密的金刚石-铜复合材料零件。本发明的优点是可以直接制备出具有高体积分数、形状复杂的金刚石-铜复合材料零件，且复合材料零件的致密度高，组织分布均匀，可实现大批量生产，且生产成本低。
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公开(公告)号：CN102634687A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210115209.3
申请日：2012-04-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于生物医用多孔金属植入材料领域，提供了一种选择性激光烧结制备不锈钢生物多孔植入材料的方法，首先采用覆膜法用于制备热塑性聚合物包覆316L不锈钢粉末，然后采用选择性激光烧结工艺成形该粉末快速制造了生物医用的多孔金属植入材料。覆膜工艺主要由熔化热塑性聚合物、包覆不锈钢粉末、粉碎和筛分覆膜不锈钢粉末构成。该方法简单可行，且覆膜316L不锈钢粉末烧结性能好，粘结强度高；选择性激光烧结技术成形覆膜不锈钢粉末，并结合脱脂和二次烧结的后处理成功制备了多孔金属植入材料，其微观结构和力学性能能够通过调整选择性激光烧结和后处理的工艺参数灵活控制，以达到与自然骨匹配的目的，该技术在制备生物医用多孔金属植入材料领域具有重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101972901B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010526125.X
申请日：2010-10-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于微电子封装领域，提供一种钎焊温度在450～510℃之间，用于连接SiCp/Al复合材料与可伐合金的钎料及其钎焊方法。本发明开发了一种钎焊温度在450～510℃之间的中温钎料，该中温钎料组分的质量百分含量为：Ag：30～50；Cu：5～15；Sn：35～60；Ni：0～3；用该钎料钎焊化学镀Ni后的SiCp/Al复合材料与可伐合金，钎焊后外壳气密性优于1×10-9Pa·m3/S，剪切强度高于65Mpa，满足国军标要求。特点在于将SiCp/Al复合材料在高于芯片的装片温度(430℃)，而低于SiCp/Al复合材料本身熔点的温度下进行钎焊。这保证了后续的芯片装片工艺能使用Au-Si共晶法(380～430℃)，进而保证封装的整体散热效果。SiCp/Al复合材料外壳主要适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件和大功率器件的封装外壳。
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公开(公告)号：CN102173853A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110044350.4
申请日：2011-02-16
Applicant: 北京科技大学 , 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高度定向贯通型多孔SiC陶瓷材料的方法。通过对碳纤维预制件进行结构控制，化学液气相沉积处理，机械加工以及高温氧化处理，制得一维、二维及三维定向贯通型多孔SiC陶瓷材料。本发明制备的高度定向贯通型多孔SiC陶瓷材料具有孔径可控、孔隙高度定向排列、长径比大、孔隙形态为连续纤维状贯通孔等优点，同时本发明的制备工艺简单，制备周期短，成本低。
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