公开(公告)号：CN103056500B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210516162.1

申请日：2012-11-30

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 冯小成 ,  李冬梅 ,  荆林晓 ,  郝贵争 ,  陈建安 ,  贺晋春 ,  井立鹏

IPC: B23K11/00 ,  B23K11/36 ,  B23K35/30 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷外壳封帽的焊接方法，属于半导体陶瓷封装技术领域。在金属盖板表面预置镀金属层，在陶瓷外壳焊接区域预置镀层金属封口框；将焊料环点焊在金属盖板的镀金属层上；在氮气气氛下，将金属盖板与陶瓷外壳的金属封口框对位，利用平行缝焊设备使用小角度(5°)铜电极进行低功率焊接，使焊料环充分熔化并分别与金属盖板的镀金层和陶瓷外壳的金属封口框焊接，完成电路的熔封。本发明的方法避免了平行缝焊过程中，脉冲过大，局部集中加热温度过高的问题；避免了熔封工艺中使电路内部芯片和键合处在高温状态中；降低了平行缝焊的最高温度。

公开(公告)号：CN104002003A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410256784.4

申请日：2014-06-10

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 冯小成 ,  荆林晓 ,  练滨浩 ,  曹玉生 ,  贺晋春 ,  陈宪荣 ,  陈建安 ,  姚全斌

IPC: B23K1/00 ,  B23K3/08

CPC classification number: B23K1/00 ,  B23K3/08

Abstract: 本发明涉及一种无需负载低空洞率的真空钎焊装片工艺方法，包括如下步骤：(1)将待钎焊的芯片背面采用溅射Au工艺，进行背面金属化；(2)将待钎焊的芯片安装在集成电路封装外壳的待钎焊镀金装片区，并在待钎焊的芯片与待钎焊镀金装片区之间放入钎料；(3)将待焊接试样放置在钎焊设备中按照特殊设计的工艺条件进行钎焊，本发明在钎焊过程中通过温度曲线优化结合真空度控制，用气压差来替代压块负载，并对温度区间、升温速率、保温时间以及真空度进行了优化设计，确定了最佳的工艺条件，避免了传统方法中采用负载对芯片的损伤问题，降低钎焊空洞率，显著提高了钎焊成品率和钎焊质量。

公开(公告)号：CN207534611U

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201721271122.X

申请日：2017-09-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 李峰 ,  荆林晓 ,  井立鹏 ,  贺晋春 ,  宋佳 ,  吴玥 ,  刘金杰 ,  张志勋 ,  郝贵争

IPC: B24B37/27 ,  B24B37/34

Abstract: 本实用新型涉及一种用于超薄晶圆在料盒中翻面的装置，属于晶圆减薄技术领域。本实用新型的装置，相比于传统装置，有效、稳定的降低了超薄硅晶圆在料盒中正反面翻转时的碎片风险，解决了高可靠性超薄硅晶圆双面减薄过程中完成一面减薄后在料盒中翻面到另一面时由于硅晶圆为超薄硅晶圆，其脆性高、刚度低，极容易造成碎片而引起的失效问题。利用本实用新型的翻面装置可高效、稳定的完成硅晶圆在料盒中翻面，有效的降低了碎片风险，缩短了生产周期，且方法简单实用、易于实现，可操作性强。