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公开(公告)号：CN117790395A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311832939.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , B22D33/06
Abstract: 本发明涉及一种适用于浅腔体芯片叠层电路镀膜工艺的夹具，涉及集成电路封装技术领域。所述夹具包括：上模和下模；所述上模的中心开设有矩形阶梯通孔，开设有多个第一螺孔，且底部开设有定位孔，设置有第一密封圈；下模的上部嵌入有定位柱、第二螺孔、密封凹槽；所述下模的上部的中心处开设有定位凹槽，所述定位凹槽内设置有中心定位组件。通过定位孔与定位柱、第一螺孔与第二螺纹孔的匹配，实现实现上模与下模的精准定位，同时保证上模的第一密封圈与下模的密封凹槽准确配合，保证密封性；同时通过设置在定位凹槽中的中心定位组件，可保证电路被定位至中心位置，避免安装上模时电路出现移动造成电路损伤。
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公开(公告)号：CN116153774A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211105028.2
申请日：2022-09-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本申请涉及集成电路封装领域，具体公开了一种硅转接板的制备方法，包括：将硅圆片的A面贴于第一划片膜上；在硅圆片的B面进行开槽切割；对第一划片膜进行解胶，揭掉第一划片膜，并将A面贴于第一减薄膜上；针对B面上的划片区域进行减薄；对第一减薄膜进行解胶，揭掉第一减薄膜，并将B面贴于第二减薄膜上；对A面进行减薄，减薄到开槽深度的位置，以从硅圆片上分离出硅转接板；将分离后的转接板转移至第二划片膜上，并解胶揭掉第二减薄膜；对第二划片膜进行解胶，利用分选设备将转接板取下。本申请的方案有利于避免芯片叠层封装硅转接板崩裂的可能性，减小硅转接板表面损伤，减小由于工艺带来的残余应力，降低转接板的翘曲度。
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公开(公告)号：CN112635385B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011529470.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN117790338A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311832945.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷封装集成电路倒置型熔封封帽定位装置及封帽方法，涉及集成电路封装技术领域技术领域，所述定位装置包括装配板、定位板、上压板和配重；其中，所述装配板上开设有盖板限位槽和陶瓷外壳限位槽，且所述陶瓷外壳限位槽环设在所述盖板限位槽的周围，所述装配板上设置有装配柱；所述定位板上开设有装配插孔以及定位孔；所述上压板上设置有定位柱；所述上压板上设置有所述配重。本发明陶瓷封装集成电路倒置型熔封封帽定位装置通过盖板限位槽和陶瓷外壳限位槽，实现集成电路金属盖板和陶瓷外壳进行精确定位，并通过将上压板、定位板依次固定在装配板上，且上压板放置有配重，为熔封工艺提供足够的焊接压力，进一步防止盖板对位偏移。
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公开(公告)号：CN112635385A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011529470.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN207534611U
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201721271122.X
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种用于超薄晶圆在料盒中翻面的装置，属于晶圆减薄技术领域。本实用新型的装置，相比于传统装置，有效、稳定的降低了超薄硅晶圆在料盒中正反面翻转时的碎片风险，解决了高可靠性超薄硅晶圆双面减薄过程中完成一面减薄后在料盒中翻面到另一面时由于硅晶圆为超薄硅晶圆，其脆性高、刚度低，极容易造成碎片而引起的失效问题。利用本实用新型的翻面装置可高效、稳定的完成硅晶圆在料盒中翻面，有效的降低了碎片风险，缩短了生产周期，且方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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