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公开(公告)号：CN115116536A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210604542.4
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器的总剂量效应评估方法及系统，本发明测试模式包括静态测试、动态读测试、动态写测试和不加电对比测试；通过分析不同测试模式下磁阻式随机存取存储器的总剂量辐射特性，能够有效评估总剂量效应。本发明评估方法对掌握磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应致错机理有重要意义，为磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应评估方案的制定提供重要支撑。
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公开(公告)号：CN115113009A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210601758.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种通用的激光背辐照试验样品制备方法，首先根据待测芯片管脚数目选取通用管壳；再根据待测芯片尺寸和敏感区分布决定管壳开孔方案，并根据开孔方案对通用管壳进行开孔；然后将裸芯键合到选取的已开孔的通用管壳里，使待测芯片的全部敏感区域裸漏；最后对待测芯片的全部敏感区域进行激光扫描试验。本发明简化了样品制备的方法，解决了激光不能穿透金属层对器件开展激光单粒子试验研究的问题，为集成电路开展激光背辐照试验提供支撑和指导。
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公开(公告)号：CN114709197A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN114582861A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN112036110A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119298901A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411211963.6
申请日：2024-08-30
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K19/094 , H03K19/20 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种更少敏感节点的抗单粒子翻转锁存器电路结构，包括：时钟滤波电路、延时滤波电路、锁存电路和堆叠反相器电路。时钟滤波电路用于过滤时钟端的单粒子瞬态脉冲并向所述的锁存电路提供时钟信号。延时滤波电路用于过滤数据端单粒子瞬态脉冲并向所述的锁存电路提供输入信号。锁存电路用于实现数据传输与锁存，并维持锁存状态下单粒子辐射后输出信号正确状态与电平纠正。堆叠反相器电路用于提供反相信号。设计的锁存器电路可实现单粒子瞬态加固与单粒子瞬态脉冲过滤，电路敏感节点少，加固效果好且简单易实现。
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公开(公告)号：CN119210404A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411202455.1
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种自恢复的抗单粒子多位翻转锁存器电路结构，包括：时钟控制反相器电路、锁存单元、SEU监控单元、输出控制单元和反相器电路。第一时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元的输入端和SEU监控单元的输入端；第二时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元的输入端和SEU监控单元的输入端；第一锁存单元的输出端接SEU监控单元的输入端和输出控制单元的输入端；第三时钟控制反相器电路和第四时钟控制反相器电路的输出端分别接第二锁存单元的两个输入端；第二锁存单元的输出端接输出控制单元的输入端；SEU监控单元的输出端接输出控制单元的输入端。本发明具有良好的单粒子加固能力，可实现抗单粒子多位翻转加固。
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公开(公告)号：CN113868043B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111015116.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，针对不同功能模块编写对应的测试程序，并按照设计的测试方案进行辐射试验，得到不同测试程序下单粒子功能错误截面联立解得各个独立功能模块的单粒子功能错误截面，为动态可重构芯片的单粒子辐射性能评估提供参考，为动态可重构芯片的抗辐射加固设计提供方向，本发明还公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块，为动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法的实现提供了稳定的测试环境。
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公开(公告)号：CN118399927A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410488250.8
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于电路级抗辐射加固技术领域，具体涉及了一种低延时抗单粒子瞬态和单粒子翻转的锁存器电路，旨在解决传统的锁存器电路功耗、成本、适用性和延时难以满足需求的问题。本发明包括：时钟产生电路，锁存器电路的信号输入端分别连接至第一传输门电路、第二传输门电路和第三传输门电路的输入端；第一传输门电路连接缓冲电路；第二传输门电路和第三传输门电路分别连接至锁存电路的两个输入端；锁存电路的输出端与缓冲电路的输出端共同连接至锁存器电路的信号输出端。本发明基于采用双路反相器的冗余互锁结构实现内部节点的单粒子翻转加固，并基于施密特触发器实现单粒子瞬态加固，抗单粒子性能较好，延时低，易于实现。
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