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公开(公告)号：CN105858715B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201610366213.5
申请日：2016-05-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G9/03
Abstract: 本发明涉及半导体材料和光学技术领域，是一种制备富受主型ZnO微米管的方法。其以ZnO粉末为原料；球磨烘干、200目过筛；装入长条橡胶气球，压实封闭、抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将该棒放入提拉旋转烧结炉中烧结为陶瓷棒；将陶瓷棒放入光学浮区炉中，设置浮区炉卤素灯输出功率为900‑1050W/h，通入速率氧气/空气，保温一定时间，经过光学气化过饱和析出的生长过程，制备出富受主型ZnO微米管，受主态长效稳定，为p型ZnO材料的制备提供了新的思路，同时该微米管尺寸较大，形貌完整，具有规则六边形截面，并且具有新颖的室温光致发光特性。
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公开(公告)号：CN104659174B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510065338.X
申请日：2015-02-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2‑0.6J/cm2，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。
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公开(公告)号：CN106637415A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610851895.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用高温固融法制备铝掺杂氧化锌晶须的方法，其特征在于：(1)将ZnO粉料用光学浮区法自主生长氧化锌晶须；(2)将氧化锌晶须和硝酸铝在乙醇溶液中进行高温固融，硝酸铝溶液浓度为0.03mol/L，其中氧化锌晶须和硝酸铝的用量比为0.2g:0.0006mol；搅拌均匀，过滤烘干得到掺杂后的氧化锌晶须；将掺杂后的氧化锌晶须置于管式炉中在氮气气氛下500℃进行退火处理，退火时间为10‑15h，退火结束后得到铝掺杂的氧化锌晶须。本工艺大大的提高了效率；得到的铝掺杂氧化锌晶须为mm尺寸，大大的提高了晶须电阻率测量的精确性，并且真正的得到了单根氧化锌晶须的电阻率。
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公开(公告)号：CN103756671B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410015279.0
申请日：2014-01-13
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/54 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/259
Abstract: 本发明涉及一种增强发光薄膜光致荧光发光强度的三明治结构及制备方法，该三明治结构为微米透明介电小球单层密铺于发光薄膜表面形成的衬底—发光薄膜—单层密铺小球阵列的三明治结构；所使用的微米介电小球要对光致荧光发光中激发光和荧光波长具有较高的透射率；所使用的荧光增强媒介—微米级透明介电小球的价格低廉，适合工业规模化应用；所使用的微米透明介电小球在空气环境下无氧化，可长期稳定地增强发光薄膜光致荧光发光强度；所使用的微米透明介电小球对发光薄膜及衬底没有要求，衬底可为非金属或金属，有效地扩展了发光薄膜光致荧光发光增强技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN103551734B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310518304.2
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36 , B23K26/402
Abstract: 一种使PTFE或FEP表面同时具备超疏水及水下高反光性质的方法属于激光加工领域。本方法利用1064nm皮秒激光微加工系统在PTFE、FEP表面加工出25μm缝宽的一维或二维沟槽阵列，使得其表面产生超疏水性，若将制备后的超疏水样品完全浸入水中，超疏水表面会呈现金属光泽高反光表面。本发明操作步骤如下：调节皮秒激光光路；利用专业软件绘制出加工路径；根据加工要求调整皮秒激光输出功率；当激光功率满足要求后，输出皮秒脉冲激光进行加工；加工完成后，无需后续清洗即可达到超疏水要求，制成品浸入水中可直接出现类金属高反光表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104949959A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510406413.4
申请日：2015-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种大面积表面增强拉曼光谱单晶硅基底的快速制备方法，属于SERS衬底制备领域。本发明在单晶硅表面覆盖周期密排的微球阵列；采用激光扫描或辐照后去除表面残留的微球；然后浸入含有乙醇的氢氧化钠水溶液中，水浴温度70-80℃环境中，腐蚀10-30s，取出使用去离子水清洗，得到具有微结构阵列的单晶硅片，水溶液中，氢氧化钠的质量百分比为5％-10％，乙醇的质量百分比为8％-10％；利用磁控溅射在刻蚀后的单晶硅表面进行银薄膜沉积，沉积厚度为50-200nm。本发明能够快速、简便的制备具有周期性及均一性的微结构阵列，通过对微结构阵列形貌尺寸特征及银膜厚度的控制，可以对SERS衬底的性能进行调控。同时，该方法重现性高，成本较低，所制备出的SERS衬底性能稳定，可重复利用。
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公开(公告)号：CN102912438B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210353144.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法，属于Ti:Ta2O5晶体生长领域。先将TiO2和Ta2O5粉料混合球磨、预烧，压制成棒状的多晶棒；将多晶棒分别作为料棒和籽晶安装在单晶炉中，设置升温速率，进行晶体生长，设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明方法是一种快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ti:Ta2O5晶体的无坩埚生长技术。
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公开(公告)号：CN104659174A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510065338.X
申请日：2015-02-08
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02002 , H01L21/322 , H01L33/00
Abstract: 一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm2-0.6J/cm2，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等一些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。
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公开(公告)号：CN102534129A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110369805.X
申请日：2011-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: C21D1/09
Abstract: 一种激光叠片侧面辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金方法，属于纳米材料技术领域。其特征在于利用波长为10.6μm的CO2激光和波长为1.07μm的掺镱光纤激光辐照侧面辐照叠在一块的环状铁基非晶合金(Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9)，材料会产生定量纳米晶化相，本发明方法能够在常温常压下，针对多片环状材料，快速、可控、环保、低能耗地利用激光辐照方法同时制备出多片铁基非晶纳米晶合金；通过选择不同的激光辐照工艺参数，制备出不同含量的纳米α-Fe(Si)晶化相加剩余非晶的双相组织结构材料；纳米晶α-Fe(Si)的平均尺寸在10nm左右，晶化比例大于50％，矫顽场小于1.2A/m，初始磁道率达到2.07x104A/m，最大磁道率为12.8x104A/m，材料的综合磁性能和传统热处理很接近。
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公开(公告)号：CN102312293A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110257469.X
申请日：2011-09-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法，属于晶体生长领域。包括以下步骤：将Ta2O5粉料经过球磨、烘干；装入橡胶管中，放入等静压下压制成素坯棒；将素坯棒经烧结后获得多晶棒；将素坯棒或多晶棒作为料棒，并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一直线，其接触点与卤素灯处于同一水平线上；升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；通过聚焦镜的移动或上下棒的移动，使熔区远离聚焦点，使熔区温度下降实现结晶，晶体生长速度10～60mm/h；生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短，制备效率高，能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。
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