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公开(公告)号：CN104007512A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410186887.8
申请日：2014-05-05
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明公开了一种光偏振分束器。本发明分束器包括一定向耦合器，其窄波导接收输入光源并将其TE0光输出，以及将该输入光源中的TM0光耦合到宽波导中并转换为TM1光，宽波导的输出端与第一MMI耦合器连接，第一MMI耦合器将输入的TM1光分成功率相等、相位差180°的两束TM0偏振光；其两输出端分别经一90°移相器与第二MMI耦合器的输入端连接，第二MMI耦合器的一输出端作为TM0偏振光输出端口；第一MMI耦合器的长度Lπ1为第一MMI耦合器的拍长；第二MMI耦合器为干涉耦合器。本发明可实现高容量的单片集成芯片，并且具有带宽很大，消光比非常高，损耗很低的特点。
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公开(公告)号：CN101950786A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010281011.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/02
Abstract: 本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：S1：制备铒硅氧溶胶；S2：在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层；S3：在p型掺杂的硅基体上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极，形成硅基发光二极管。本发明通过制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为硅基发光二极管的本征层，将铒硅酸盐无机化合物中铒离子浓度提高1-2个数量级，富硅氧化硅中纳米硅和铒离子之间的高效能量传递效率可以实现电致发光，从而实现发光二极管获得强的通信波段1.53μm的电致发光。
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公开(公告)号：CN119270533A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411581699.5
申请日：2024-11-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种高带宽的石墨烯/硅光强度调制器，属于硅基光电子集成芯片领域。该调制器包括硅光波导衬底、石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构、偏压端和接地端；所述硅光波导衬底上设置石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构；所述石墨烯‑高k栅介质‑石墨烯电容器结构由上、下两层石墨烯和上、下两层石墨烯中间的高k栅介质组成；所述上、下两层石墨烯两端分别设置偏压端和接地端。本发明的调制器利用无机分子晶体氧化锑/氧化铝作为复合高k栅介质，可以有效保持石墨烯的硅基室温载流子迁移率、剩余载流子浓度等材料电学品质，从而减小器件的电阻‑电容参数，为提升石墨烯/硅光强度调制器的高频模拟带宽提供了新的解决方案。
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公开(公告)号：CN115616824A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211062849.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及光电子集成领域，尤其涉及一种超高带宽硅基调制器。所述硅基调制器包括调制臂，所述调制臂从下至上依次连接的硅衬底、二氧化硅埋氧层、脊形波导层、二氧化硅覆盖层和电极，还包括穿过所述二氧化硅覆盖层的过孔，所述过孔的一端连接所述电极，另一端连接所述脊形波导层；所述脊形波导层由平板层和位于所述平板层中间上方的脊组成，所述脊的宽度沿所述脊形波导层的纵向方向呈现周期性变化。所述硅基调制器的高频电极为GSGSG结构，用来传输高速信号。本发明的硅基调制器由于引入了慢光波导，其产生的慢光效应降低了光信号在其中传播的群速度，从而增强了光与调制区的相互作用，提高调制器的调制能力。
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公开(公告)号：CN114814856A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210317187.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01S17/02 , G01S17/08 , G01S17/58 , G01S7/484 , G01S7/4911
Abstract: 本发明提供一种基于外差检测的激光雷达系统，包括：并行混沌信号发射模块，用于发射并行混沌探测光信号和并行混沌探测光信号对应的本振光信号；空间光收发模块，用于发射并行混沌探测光信号至探测区域中，同时接收来自探测区域中的目标物体反射的回返光信号；探测处理模块，用于对回返光信号、并行混沌探测光信号和本振光信号进行光外差检测，确定探测差频电信号和本振参考差频电信号；数字信号处理模块，用于对探测差频电信号和本振参考差频电信号进行相关性检测，确定目标物体的探测信息。本发明的激光雷达系统极大地提高了抗干扰能力，能实现宽视场范围的并行高分辨率快速探测以及人眼安全功率下的远距离探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113098630B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110268702.8
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H04B15/00
Abstract: 本发明提供一种基于频率变换和数字滤波的1/f噪声抑制系统及方法，该系统包括：光域射频整形模块，用于形成带有待测信息且具有射频包络的光信号；电域变频模块，用于将所述光信号转换为电信号，并将所述电信号变频处理并采样得到采样信号；数字滤波模块，用于对所述采样信号进行数字余平方和及均值滤波得到电强度信息，通过将原始信号光学混频后，被整形为射频包络，并且本身的信号将会被放大，电学频率变换后，具有射频包络的光信号经过电学混频的方式被转换到中频进行采样，以降低1/f噪声以及远离本身1/f噪声的干扰，能够更好的在实际应用中实现纳微信息传感，提升性能和拓展应用。
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公开(公告)号：CN111176053B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010101410.0
申请日：2020-02-19
Abstract: 一种基于铌酸锂‑硅晶圆的单片集成光模数转换系统及制备方法，利用一种新型晶圆(铌酸锂‑硅晶圆)，实现了包括电光调制器阵列、可调延时线阵列、电子电路等在内的电光多器件单片集成光模数转换系统。使得多种器件在同一个芯片上制作出来，保证了系统的性能优势及其稳定性。此外，本发明提出了一种CMOS兼容的系统制备方式，使得基于铌酸锂‑硅晶圆的单片集成光模数转换系统可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。
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公开(公告)号：CN112014272B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202010796285.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供一种纳米粒子传感器及纳米粒子检测方法，纳米粒子传感器包括硅基垂直外差波导结构；所述硅基垂直外差波导结构包括垂直外差的探针波导和信号波导，所述探针波导和所述信号波导交汇处形成传感区；在所述信号波导中，输入本振光作为所述传感区的本振信号；在所述探针波导中，输入探针光用来与所述待测纳米粒子在所述传感区中进行相互作用；所述探针光和所述本振光在所述传感区内产生耦合；当所述待测纳米粒子进入所述传感区时，所述信号波导收集所述待测纳米粒子与所述探针光相互作用后散射的探针光，并输出所述本振光和所述散射的探针光产生耦合后的拍频信号。纳米粒子传感器能够实现快速稳定的纳米粒子检测。
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公开(公告)号：CN104007513B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410191953.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明公开了一种光偏振分束器。本发明的分束器包括一楔形多模干涉耦合器和一2×2矩形多模干涉耦合器；其中，较宽一端具有第一、第二、第三输出端口；楔形多模干涉耦合器满足自映像效应原理，能够对输入光源中的TM光在第一输出端口产生镜像点、对输入光源中的TE光在第二输出端口和第三输出端口处分别产生重叠成像点且相位差为90°；第一输出端口与耦合输出端连接作为TM光输出端口；第二输出端口、第三输出端口分别通过耦合器与矩形多模干涉耦合器的一、二输入端连接；矩形多模干涉耦合器中对输入的TE光产生镜像点的端口作为光偏振分束器的TE光输出端口。本发明具有尺寸小且加工简单，同时具有较大的加工容差和较高的消光比。
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