公开(公告)号：CN104007512A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410186887.8

申请日：2014-05-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 尹美 ,  李艳萍 ,  王兴军 ,  李红滨

IPC: G02B6/27

Abstract: 本发明公开了一种光偏振分束器。本发明分束器包括一定向耦合器，其窄波导接收输入光源并将其TE0光输出，以及将该输入光源中的TM0光耦合到宽波导中并转换为TM1光，宽波导的输出端与第一MMI耦合器连接，第一MMI耦合器将输入的TM1光分成功率相等、相位差180°的两束TM0偏振光；其两输出端分别经一90°移相器与第二MMI耦合器的输入端连接，第二MMI耦合器的一输出端作为TM0偏振光输出端口；第一MMI耦合器的长度Lπ1为第一MMI耦合器的拍长；第二MMI耦合器为干涉耦合器。本发明可实现高容量的单片集成芯片，并且具有带宽很大，消光比非常高，损耗很低的特点。

公开(公告)号：CN104007512B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410186887.8

申请日：2014-05-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 尹美 ,  李艳萍 ,  王兴军 ,  李红滨

IPC: G02B6/27

Abstract: 本发明公开了一种光偏振分束器。本发明分束器包括一定向耦合器，其窄波导接收输入光源并将其TE0光输出，以及将该输入光源中的TM0光耦合到宽波导中并转换为TM1光，宽波导的输出端与第一MMI耦合器连接，第一MMI耦合器将输入的TM1光分成功率相等、相位差180°的两束TM0偏振光；其两输出端分别经一90°移相器与第二MMI耦合器的输入端连接，第二MMI耦合器的一输出端作为TM0偏振光输出端口；第一MMI耦合器的长度 Lπ1为第一MMI耦合器的拍长；第二MMI耦合器为干涉耦合器。本发明可实现高容量的单片集成芯片，并且具有带宽很大，消光比非常高，损耗很低的特点。