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公开(公告)号：CN115616824A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211062849.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及光电子集成领域，尤其涉及一种超高带宽硅基调制器。所述硅基调制器包括调制臂，所述调制臂从下至上依次连接的硅衬底、二氧化硅埋氧层、脊形波导层、二氧化硅覆盖层和电极，还包括穿过所述二氧化硅覆盖层的过孔，所述过孔的一端连接所述电极，另一端连接所述脊形波导层；所述脊形波导层由平板层和位于所述平板层中间上方的脊组成，所述脊的宽度沿所述脊形波导层的纵向方向呈现周期性变化。所述硅基调制器的高频电极为GSGSG结构，用来传输高速信号。本发明的硅基调制器由于引入了慢光波导，其产生的慢光效应降低了光信号在其中传播的群速度，从而增强了光与调制区的相互作用，提高调制器的调制能力。
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