公开(公告)号：CN119342932B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411886622.9

申请日：2024-12-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮 ,  杨舟

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/20 ,  H10F77/50 ,  H10F30/225 ,  H10F39/90 ,  H01S5/026 ,  H01S5/183 ,  H01S5/042 ,  F16L59/02

Abstract: 本申请提供一种光‑热隔离的共封装结构制备方法和共封装结构，涉及半导体技术领域，包括：获取封装所需的第一转接板；确定热敏感芯片待放置在第一转接板上的第一位置，在第一位置的四周制备热隔离结构，热隔离结构包括：填充聚对二甲苯的第一通孔结构和第二通孔结构，第一通孔结构与第二通孔结构之间的距离小于第一距离；在第一转接板的第一表面上定义第一互连金属电极和第二互连金属电极；将光隔离芯片埋入第一转接板中，并将光隔离芯片的电极连接至第一表面上的所述第一互连金属电极；将热敏感芯片固定在第一位置，通过打线工艺将热敏感芯片连接至第一表面上的第二互连金属电极，得到热敏感芯片‑光隔离芯片共封装结构。

公开(公告)号：CN119673869A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202510186727.1

申请日：2025-02-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮 ,  张弛

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供了一种硅通孔的制备方法和硅通孔结构，属于半导体技术领域，旨在实现硅通孔的金属填充的高填充率与应力控制之间的平衡，所述方法包括：在基片的第一表面上进行刻蚀，得到待填充的盲孔，所述盲孔的直径小于或等于1微米；对所述盲孔的开口处位置进行各向同性刻蚀，使所述盲孔的侧壁与所述第一表面的交界位置为倒角结构；向所述盲孔中填充第一金属材料，得到硅通孔。

公开(公告)号：CN119560394A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510096900.9

申请日：2025-01-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈浪 ,  王玮

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请提供一种晶圆级大芯片的封装方法和封装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取晶圆级大芯片；所述晶圆级大芯片是指由多个不同种类的芯粒或多个单种芯粒组合而成的芯片结构；按照所述晶圆级大芯片与基板的键合点位，在所述晶圆级大芯片的第一表面制备多个金属柱；制备玻璃转接板，所述玻璃转接板包括多个玻璃通孔，所述玻璃通孔的位置与所述多个金属柱的位置一一对应；将所述晶圆级大芯片的第一表面的金属柱插入所述玻璃转接板的玻璃通孔内，使所述晶圆级大芯片的第一表面与所述玻璃转接板的第一表面键合；将所述玻璃转接板的第二表面与所述基板进行键合，得到所述晶圆级大芯片的封装结构。

公开(公告)号：CN116705625B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310961493.4

申请日：2023-08-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  陈浪 ,  杜建宇 ,  张驰

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/67 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。

公开(公告)号：CN116314016A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310467668.6

申请日：2023-04-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 王玮 ,  林晨希 ,  陈浪

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的第一侧形成第一金属层；对硅基衬底的第二侧进行减薄，以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧；在硅基衬底的第二侧形成第二金属层；其中，在硅基衬底的第一侧形成第一金属层，包括：对硅基衬底的第一侧进行刻蚀，形成多个盲孔；在盲孔的一侧形成第一金属材料层；对第一金属材料层进行刻蚀，形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔，避免形成外延层，提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性，降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。