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公开(公告)号：CN118016522B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410189160.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3065 , H01L29/06 , B81C1/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本申请提供一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法，涉及电子制造领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的一侧形成掩膜层；基于激光直写的光刻工艺对掩膜层进行过度曝光处理，形成与多个第一区域对应的多个第一通孔，其中，相邻第一通孔沿行方向和列方向的侧壁部分连通，以在第二区域形成阵列排布的多个第一结构；基于多个第一结构对硅基衬底靠近掩膜层的一侧进行刻蚀，形成与多个第一结构对应的多个硅柱。本申请采用激光直写的光刻工艺对掩膜层进行曝光处理，降低了对光刻精度的要求，且通过过度曝光的方式形成多个更小尺寸的第一结构，从而基于第一结构刻蚀得到高特征比的硅柱，有效降低了制备高特征比的硅柱结构的工艺复杂性和工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314016A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310467668.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的第一侧形成第一金属层；对硅基衬底的第二侧进行减薄，以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧；在硅基衬底的第二侧形成第二金属层；其中，在硅基衬底的第一侧形成第一金属层，包括：对硅基衬底的第一侧进行刻蚀，形成多个盲孔；在盲孔的一侧形成第一金属材料层；对第一金属材料层进行刻蚀，形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔，避免形成外延层，提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性，降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。
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公开(公告)号：CN116960009A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310877128.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一晶圆与第二晶圆。
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公开(公告)号：CN116314016B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310467668.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 本申请提供一种亚微米尺寸的硅通孔结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的第一侧形成第一金属层；对硅基衬底的第二侧进行减薄，以使第一金属层贯穿硅基衬底的第二侧；在硅基衬底的第二侧形成第二金属层；其中，在硅基衬底的第一侧形成第一金属层，包括：对硅基衬底的第一侧进行刻蚀，形成多个盲孔；在盲孔的一侧形成第一金属材料层；对第一金属材料层进行刻蚀，形成第一金属层。本申请通过在硅基衬底一侧直接制备盲孔，避免形成外延层，提升了硅通孔制备工艺的工艺兼容性，降低了硅通孔制备工艺的制作难度以及制作成本。
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公开(公告)号：CN118016522A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410189160.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3065 , H01L29/06 , B81C1/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本申请提供一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法，涉及电子制造领域，包括：提供硅基衬底；在硅基衬底的一侧形成掩膜层；基于激光直写的光刻工艺对掩膜层进行过度曝光处理，形成与多个第一区域对应的多个第一通孔，其中，相邻第一通孔沿行方向和列方向的侧壁部分连通，以在第二区域形成阵列排布的多个第一结构；基于多个第一结构对硅基衬底靠近掩膜层的一侧进行刻蚀，形成与多个第一结构对应的多个硅柱。本申请采用激光直写的光刻工艺对掩膜层进行曝光处理，降低了对光刻精度的要求，且通过过度曝光的方式形成多个更小尺寸的第一结构，从而基于第一结构刻蚀得到高特征比的硅柱，有效降低了制备高特征比的硅柱结构的工艺复杂性和工艺成本。
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公开(公告)号：CN116960009B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310877128.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一晶圆与第二晶圆。
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