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公开(公告)号：CN104878451A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN112422186A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011250442.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H04B10/116 , H04L27/26 , H04L25/06
Abstract: 本申请提供基于可见光通信系统的数据传输方法，应用于通信领域，解决LED非线性失真的问题，该方法包括：将原始数据信号串/并转换得到并行信号数据，将并行信号数据调制处理成具有厄密特共轭Hermitian对称形式的信号，该信号经过IFFT变换后加CP循环前缀形成M个第二信号子块，对第二信号子块进行并/串转换后得到M个串行信号数据，对M个串行信号数据进行部分线性压扩变换，得到M个压缩信号，将M个压缩信号进行D/A数模转换，得到M个模拟信号，在M个模拟信号上叠加最优直流偏置信号，得M个单极性信号，将M个单极性信号转换成DCO‑OFDM光信号，通过可见光信道发送给数据接收端，降低可见光通信系统中LED非线性失真的影响，提高系统通信性能。
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公开(公告)号：CN105506624B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510970847.7
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C28/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板的镀膜方法，包括步骤：S1，对待加工的氮化铝陶瓷基板进行清洗；S2，清洗完成之后，在氮化铝陶瓷基板上电镀一层渐变的TiAlN金属化合物膜层或者NiAlN金属化合物膜层；S3，在镀好的TiAlN金属化合物膜层上镀TiCu合金膜层；S4，在镀好的TiCu合金膜层上镀Cu金属膜层，完成陶瓷基板的镀膜操作。本发明提高金属与氮化铝陶瓷基板的结合力外，还可以减少工序中引入的热阻层，从而提高封装基板的导热和散热性能。
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公开(公告)号：CN104862781B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga‑Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga‑Na源材料由固体变为Ga‑Na溶液，C片由于密度小于Ga‑Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga‑Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga‑Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN104962995B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510436581.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充有生长溶液，反应釜底部设有晶种模板，反应釜顶部设有氮气进气口，该氮气进气口内设有压力调节阀门，其特征在于，所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置，该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统，使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点，有效提高了晶体质量及均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104894644B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510365581.3
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物晶体的生长装置及方法，包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚，反应釜外围设有加热器，所述坩埚内设有隔板，该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区，生长区底部放置有籽晶，隔板下部设有导通孔，该导通孔使生长区和预生长区相互连通，隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。通过对反应釜的倾斜操作，使得生长区和预生长区的溶液互相流动交换，使得籽晶区域的生长溶液的含N浓度较高，使氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。
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公开(公告)号：CN106367804A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610963655.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/08 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
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公开(公告)号：CN204608217U
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201520270379.8
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化物体单晶材料的生长装置，包括提供晶体生长的反应釜与提供N源的氮气罐，氮气罐通过管路与反应釜连接，反应釜内底部放置有原材料溶液与晶种模版，还包括带有金属源的金属源预加热区，该金属源预加热区通过加热器加热，该金属源预加热区上设有出口端，该出口端上设有用于调控金属流量的开关，金属源预加热区内的金属源经出口流至反应釜内，该金属源预加热区内置在反应釜中或者单独设置在反应釜外部，且该金属源预加热区通过管路与氮气罐连通。本实用新型有效克服了传统反应釜无法实现生长习性调控的缺点，提高氮化物体单晶材料的晶体质量和产率。
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公开(公告)号：CN204714948U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520345573.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。
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公开(公告)号：CN206512322U
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201621329743.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种光作用的晶体生长装置，包括反应釜、坩埚和加热器，坩埚设在反应釜内，加热器设在坩埚侧面，所述反应釜上设有调节阀，反应釜上设有延伸至坩埚内的光传输通道，该光传输通道与光源连接使光源发出的光线经光传输通道射入坩埚内，光传输通道的下端位于坩埚内的溶液液面的上方或内部，并且坩埚内还设有用于驱动流体流动的叶片，坩埚底面设有旋转支撑杆。本实用新型通过引入光作用，依靠照射Ga‑Na熔体及加速气体电离的光能量，有效地提高了GaN晶体生长速率。
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