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公开(公告)号：CN100365819C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510127626.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供了一种快闪存储器单元，是一种基于垂直沟道场效应晶体管结构的器件，其特征在于，硅台上方的n+掺杂区是源端，硅台两边的n+掺杂区都是漏端，硅台的两侧各有两个多晶硅栅，外侧的多晶硅栅为控制栅，里侧的多晶硅栅为浮栅，浮栅与沟道区、源区之间为隧穿氧化层，控制栅与沟道区、浮栅之间为阻挡氧化层。所述的硅台两边的n+漏端分开连接，形成共源端的两个存储单元。本发明还提供了上述器件的制备方法，其特征在于，同时采用等离子体耦合高选择比异性刻蚀技术与反应离子刻蚀同性刻蚀技术，自对准形成分裂栅浮栅结构，控制栅对应的沟道长度和浮栅对应的沟道长度都是通过刻蚀技术实现。
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公开(公告)号：CN1322591C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03127940.6
申请日：2003-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。
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公开(公告)号：CN1313813C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200410039025.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/24
Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。
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公开(公告)号：CN1924417A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200510086322.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: F16K17/20
Abstract: 本发明提供了一种由微鳞片结构组成的微型阀，属于微流体控制输运领域。该微型阀包括微流道及连接于流道侧壁上的微型鳞片阵列结构，微鳞片彼此平行排布，并与流道侧壁成一定的倾角，顺着鳞片排布方向的流动为正向流动，反之为逆向流动。由于正向流动时鳞片对流体产生的阻力小，而逆向时鳞片对流体产生较大的阻力，因此正向与逆向产生流量差，结构实现了单向阀的功能。本发明利用MEMS微加工工艺或化学合成技术制备，可广泛应用于微流体芯片系统内的流体控制。
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公开(公告)号：CN1292541C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200410009425.5
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京大学
IPC: H03K17/72
Abstract: 本发明提供了一种体硅MEMS继电器及其制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该继电器包括：一采用正向吸合驱动方式的由上、下两个部分组成的继电器本体，上部结构包括带有锚点和梁结构的单晶硅结构板，在单晶硅结构板上分别设有开关上极板和上极板驱动金属板；下部结构包括一玻璃/硅衬底结构，在衬底结构上设有与开关上极板和上极板驱动金属板相对应的开关下极板和下极板驱动金属板。通过采取正向吸合的设计，避免了接触电阻大的问题，提高了继电器的接触电阻性能。且采用绝缘衬底结构，电学性能稳定，可靠性高，不易在加高压驱动时产生击穿。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1797805A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101832.9
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬/铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥离薄膜敏感材料，使之图形化；高温退火后，划片、封装。由于在表面较平坦的基片上使用直流磁控反应溅射的方法制得氧化锡薄膜，薄膜敏感材料厚度及成分均匀可控、灵敏度高、响应快、一致性好、稳定性好。该制备加工方法对传感器自身的污染小、使用的薄膜材料较少，可降低对环境的污染、与集成电路工艺相兼容，工艺重复性好、适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN1787692A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510117339.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微型麦克风膜片，其中膜片上加有压应力，且压应力在1～100MPa之间。本发明通过采用复合膜片，或者通过调整掺杂剂量、退火温度和退火时间等工艺参数，在膜片内引入适当的压应力，在不改变麦克风膜片大小的条件下，提高微型麦克风膜片的机械灵敏度。
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公开(公告)号：CN1785794A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510117340.3
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种预测微结构力学特性的方法，其包括以下步骤：(1)制作出一系列版图尺寸不同的检测结构；(2)根据实验得到的这些检测结构的力学特性；(3)由检测结构的版图尺寸和力学特性，反算出修正参数；(4)根据所设计的MEMS结构的版图尺寸，选用相应的版图尺寸的结构所对应的材料修正参数，预测MEMS结构的力学特性。当需要预测采用ICP刻蚀释放的体硅梁的刚度时，可以采用折梁支承的平行板电容器作为检测结构，通过测量其侧向吸合电压得到不同版图宽度和不同间距的体硅梁的修正弯曲刚度或修正弹性模量，用于预测不同版图尺寸的体硅梁的刚度。验证实验表明，对于宽梁、窄梁和中等宽度的体硅梁，本发明提出的新方法都可以准确预测其刚度。
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公开(公告)号：CN1690765A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410009049.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种变形镜及其制备方法，属于变形镜加工制备领域。该变形镜包括镜面单元和控制电极，镜面单元为一硅片，通过刻蚀硅片，镜面单元包括：一薄膜镜面和一带有若干个凸台的背腔，控制电极固定在衬底上，通过阳极键合将镜面单元与衬底固定连接，镜面单元的凸台与控制电极相对应，两者之间留有间隙。与表面工艺制作的变形镜相比，本发明增大了镜面的有效变形范围，大大提高了变形镜的应用领域，且利用刻蚀体硅方法制得薄膜来充当镜面，可以减小由于应力造成的镜面卷曲。
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