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公开(公告)号：CN112468134A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011150124.X
申请日：2020-10-23
Applicant: 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
IPC: H03K19/003
Abstract: 本申请公开了一种逻辑电路的生成方法、生成装置、门电路和逻辑电路，逻辑电路的生成方法包括：设计并生成初始隧穿场效应晶体管逻辑电路，初始隧穿场效应晶体管逻辑电路包括至少一个逻辑门；确定逻辑门的串联支路中与逻辑门的输入节点连接的第一隧穿场效应晶体管；使用场效应晶体管替换第一隧穿场效应晶体管；在逻辑门的串联支路与逻辑门的输出节点之间增加第二隧穿场效应晶体管，生成逻辑电路。能够克服隧穿场效应晶体管在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，以及克服替换入逻辑门中的场效应晶体管所导致的漏电流增大的缺陷，从而逻辑门由于其串联支路中电流衰减过大导致的性能、噪声容限等发生退化，提高逻辑电路的性能。
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公开(公告)号：CN107202917A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710207580.5
申请日：2017-03-31
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种逆RSSI架构的射频功率检测器，包括衰减阵列、整流器和稳定电阻，该衰减阵列采用逆RSSI架构，包括多级衰减单元，将输入的功率信号进行逐级衰减，产生不同幅度的功率信号；每一级衰减单元的输出端都连接一相同架构的整流器，该整流器接收功率信号并产生幅度相关的直流电流；所有整流器的输出端共同连接一稳定电阻，直流电流通过该稳定电阻产生电压信号。本发明将RSSI架构逆用，提出逆RSSI架构，将级联放大改换成级联衰减，无需直流失调消除模块，简化其结构的同时，增大射频功率检测器的动态范围，能够检测高功率射频信号。
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公开(公告)号：CN103378393B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210114031.0
申请日：2012-04-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明提供一种基于印刷电路板的集成定向耦合器，包括：第一线圈，由第M层金属绕成，交叉部分由第M-1层金属连接；第二线圈，与所述第一线圈耦合，由第N层金属绕成，交叉部分由第N+1层金属连接，其中N≥1，M≥N+2，N、M为正整数；两个可调电容，其一连接所述输入端和所述直通端，另一个连接所述耦合端和所述隔离端；以及两个跨接电容，其一连接所述直通端与所述耦合端，另一个连接所述输入端与所述隔离端。本发明的集成定向耦合器，可在PCB上集成，具有面积小、输入损耗小、耦合度好、隔离度好、调谐性强的特点。
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公开(公告)号：CN103378393A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210114031.0
申请日：2012-04-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明提供一种基于印刷电路板的集成定向耦合器，包括：第一线圈，由第M层金属绕成，交叉部分由第M-1层金属连接；第二线圈，与所述第一线圈耦合，由第N层金属绕成，交叉部分由第N+1层金属连接，其中N≥1，M≥N+2，N、M为正整数；两个可调电容，其一连接所述输入端和所述直通端，另一个连接所述耦合端和所述隔离端；以及两个跨接电容，其一连接所述直通端与所述耦合端，另一个连接所述输入端与所述隔离端。本发明的集成定向耦合器，可在PCB上集成，具有面积小、输入损耗小、耦合度好、隔离度好、调谐性强的特点。
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公开(公告)号：CN119272808A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410830806.7
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/0455 , G06F9/54 , G06F17/15 , G06F17/16 , G06F17/18 , G06F9/48 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08 , G06F15/173
Abstract: 本发明公开一种多尺度视觉Transformer加速器架构、边缘芯片及设备，其中加速器架构，包括：指令队列和指令调度器，用于接收CPU的指令，并分发给IMC阵列或DMA引擎；统一缓存区，用于存储卷积的输入特征和输出特征，以及MHA的Query矩阵及输出矩阵；IMC阵列，用于存储卷积的权重或MHA的Key、Value矩阵，以及执行卷积与MHA计算；DMA引擎，用于加速器内部存储及与加速器片外DRAM之间的数据传输；前处理模块，用于读取卷积的输入特征或MHA的Query矩阵，将数据对齐后送往IMC阵列；后处理模块，用于收集IMC阵列的输出结果，及执行相应的激活函数及量化操作。本发明能够根据不同的层尺寸动态调整并行度以提高空间利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114639404A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210232804.9
申请日：2022-03-11
Abstract: 本发明公开一种电荷消除电路模块、MRAM存储单元读出电路及存储系统。该读出电路包括第一位线电容、第二位线电容、位线电荷消除模块、耦合放大模块、耦合电荷消除模块、比较锁存模块，位线电荷消除模块可以将待比较的两条位线放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，耦合放大模块不仅能将其两个输入端放电至相同的低电平，也能将输入端的信号放大，耦合电荷消除模块可以将耦合放大模块两个输出端放电至相同的低电平或充电至相同的高电平，防止了预充后两个节点电容上的电荷差、连接两个节点电容的两条支路的失配误差和上一次读出完成后的节点电容上的残余电荷对读出准确率的影响。
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公开(公告)号：CN112906175B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN201911225817.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/20 , G01R31/26 , G01R31/27 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种面向超低功耗应用场景的半导体器件综合评估方法，既考虑了器件的低功耗能力，又考虑了器件对电路性能(速度)的影响。该方法以具体电路的工作频率要求为性能标准，得到半导体器件刚好满足该工作频率的最小工作电压；以对照器件在给定工作频率对应的最小工作电压下的最小功耗作为功耗标准，既能得到待评估器件相较于对照器件是否具有低功耗优势的结论，又能得到待评估器件的优势“工作频率‑工作电压”范围。
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公开(公告)号：CN111785770A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910265718.6
申请日：2019-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 一种常规隧穿场效应晶体管的衬底漏电隔离结构及工艺方法，属于微纳电子学技术领域，包括P型衬底，在P衬底上有有源区，有源区外为浅槽隔离；其特征是，有源区被NWELL包围；相邻两个NWELL之间是PWELL。相邻两个NWELL之间的PWELL，其宽度等于或稍小于两个Nwell之间的距离。本发明引进PWELL注入后，较小宽度的PWELL与NWELL实现的反向PN结就已经具有较好的漏电隔离效果。因此，用本发明的结构，不仅可以有效隔离衬底的漏电，还能够缩小集成时TFET器件之间的距离，带来电路面积上的优化。
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公开(公告)号：CN104880705B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201410167159.2
申请日：2014-04-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种基于数控振荡器的调频连续波雷达，属于集成电路技术领域。该调制频率连续波雷达包括低噪音放大器、混频器、中频放大器、滤波器、信号处理器、功率放大器，还包括锁相环，锁相环包括数字控制模块、数控振荡器、鉴相器、低通滤波器。本发明利用由数控振荡器等组成的锁相环开环结构作为雷达系统信号源，有效提高了信号源频率扫描的速度，可以使频率改变时间间隔达到纳秒量级，提高了系统性能，具有信号源频率变化快，通用性强，结构简单利于实现，单元面积小，可集成密度高，适合芯片SOC等特点。
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公开(公告)号：CN103378394B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210114033.X
申请日：2012-04-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明提供一种基于变压器的定向耦合器，包括：第一线圈，其两端分别作为输入端和直通端；第二线圈，与所述第一线圈构成变压器结构，其两端分别作为耦合端和隔离端；两个可调电容，其一连接所述输入端和所述直通端，另一个连接所述耦合端和所述隔离端；以及两个跨接电容，其一连接所述直通端与所述耦合端，另一个连接所述输入端与所述隔离端。本发明的基于变压器的定向耦合器可用于多种应用场合以及工艺环境，特别是可以采用CMOS工艺进行片上集成，大大降低了系统设计的复杂性，并可有效提高系统的性能。
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