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公开(公告)号：CN111785770A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910265718.6
申请日：2019-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 一种常规隧穿场效应晶体管的衬底漏电隔离结构及工艺方法，属于微纳电子学技术领域，包括P型衬底，在P衬底上有有源区，有源区外为浅槽隔离；其特征是，有源区被NWELL包围；相邻两个NWELL之间是PWELL。相邻两个NWELL之间的PWELL，其宽度等于或稍小于两个Nwell之间的距离。本发明引进PWELL注入后，较小宽度的PWELL与NWELL实现的反向PN结就已经具有较好的漏电隔离效果。因此，用本发明的结构，不仅可以有效隔离衬底的漏电，还能够缩小集成时TFET器件之间的距离，带来电路面积上的优化。
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