单极阻变存储器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102683583A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110062624.2

    申请日:2011-03-15

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底;位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极;由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极;位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层,其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成;在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层,其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。

    敏化太阳能电池封装系统和封装方法

    公开(公告)号:CN102610399A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210062615.8

    申请日:2012-03-09

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了一种敏化太阳能电池封装系统和封装方法,该敏化太阳能电池封装系统包括:设置在操作仓内的吸附装置、压力装置、可移动的点胶装置和滴液装置,以及设置在所述操作仓外的控制装置;所述吸附装置包括可移动的上吸附单元和下吸附单元,所述上、下吸附单元分别通过压力装置产生负压,分别用于吸附上、下电极基板,所述下吸附单元设有胶体固化灯;所述点胶装置和滴液装置分别由所述控制装置控制,分别用于对所述下电极基板进行自动点胶和自动滴液,所述压力装置分别控制所述点胶装置的点胶压强和滴液装置的滴液压强。本发明封装工艺简单,封装自动化程度高,并同时提高太阳能电池的长期稳定性。

    具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN102522418A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110452945.3

    申请日:2011-12-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法,涉及半导体集成电路及其制造技术领域,所述存储器包括:硅衬底,在所述硅衬底上设有至少一个与其垂直的纳米柱,绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层,绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的隔离层和金属层,所述纳米柱的材料为重掺杂硅。本发明通过按照一定的结构设置,实现了在不增加工艺复杂度的情况下,提供了一种适合于三维集成,并具有自整流特性的存储器。

    大面积制备染料敏化太阳能电池中复合金属网格与背电极的隔离方法

    公开(公告)号:CN102324328A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110195043.6

    申请日:2011-07-12

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明提供一种大面积制备的染料敏化太阳能电池中复合金属网格与背电极的隔离方法。其包括以下步骤:1)在透明导电玻璃上溅射Ti和Al的复合金属网格;2)利用TiO2浆料采用丝网印刷的方法在透明导电基底上制备TiO2纳米颗粒薄膜;3)将印刷了TiO2浆料的基底加热,使得TiO2浆料中的有机物充分挥发或氧化,利用复合金属网格上层Ti金属的氧化物作为隔离层。本发明提供的方法有效地解决了染料敏华太阳能电池封装中Al金属网格与电解液的隔离,避免了DSSC内部短路的问题;并且采用了价格低廉的Al、Ti金属替代了现有工艺中的Pt、Au等贵重金属,为DSSC进行工业化大生产奠定了坚实的基础。

    用于染料敏化太阳能电池的真空自动封装方法

    公开(公告)号:CN102231333A

    公开(公告)日:2011-11-02

    申请号:CN201110084525.4

    申请日:2011-04-06

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02E10/549

    Abstract: 本发明属于染料敏化太阳能电池生产工艺技术领域,尤其涉及一种用于染料敏化太阳能电池的真空自动封装方法。该方法中,采用丝网印刷的方法制备TiO2薄膜,采用自动涂胶设备形成封装胶所需图形并进行预固化,将电解液利用自动滴注装置滴注到封装胶构成的图形内,在真空气氛中进行整平压合,最终完成电池的封装过程。本发明工艺简单,工艺参数可控性高,封装时间短,封装的可靠性和成品率高,并且采用在液态胶中掺入垫层的方法控制电池厚度和电解质用量,隔离工作电极和对电极。可以用于高效大面积染料敏化太阳能电池的封装。

    一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法

    公开(公告)号:CN101419867B

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN200810223906.4

    申请日:2008-10-09

    Applicant: 北京大学

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的纳米复合电极的制备方法,该方法包括:利用阳极氧化的方法首先在透明导电基底上制备TiO2纳米管阵列;然后在TiO2纳米管阵列表面涂布一层TiO2纳米颗粒的分散溶液;最后通过加热的方式使TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合在一起,并且使分散溶液的溶剂挥发,得到染料敏化太阳能电池的半导体复合电极结构。由于在制备有序纳米管阵列结构的基础上,将TiO2纳米颗粒与TiO2纳米管结合,使相对于单一的纳米管阵列电极的表面积增加,可以吸附更多的染料,从而增加太阳能电池的光电效率;同时,纳米颗粒层可以作为透射过纳米管阵列光线的漫反射层,使得光线在管中传播时间更长,增大了激发染料的概率。

    一种减小阻变存储器阻值离散性的方法

    公开(公告)号:CN101847688A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010163100.8

    申请日:2010-04-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法,该方法包括:S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态;S2、在SET过程中施加一个电流脉冲,使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态;S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲,使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性,并同时可以提高低阻态的阻值,从而减小器件的工作电流,降低功耗。

    一种铬掺杂二氧化钛室温铁磁薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101211764A

    公开(公告)日:2008-07-02

    申请号:CN200610170719.5

    申请日:2006-12-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种铬(Cr)掺杂的二氧化钛(TiO2)(CrxTi1-xO2)室温铁磁薄膜的制备方法,属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶-凝胶法制备Cr掺杂TiO2溶胶,将溶胶旋涂在单晶硅衬底上形成CrxTi1-xO2溶胶-凝胶薄膜。CrxTi1-xO2溶胶-凝胶薄膜在空气气氛中退火晶化处理后在室温下具有微弱的铁磁特性;CrxTi1-xO2薄膜经过含氢气氛或者真空下二次退火后,其铁磁性得到了增强。采用本发明可制得具有良好室温铁磁性的CrxTi1-xO2薄膜。

    一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101016164A

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200710003498.7

    申请日:2007-02-09

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法,属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质,即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后,使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料长时间湿法球磨,球磨料经烘干、研磨,反应烧结,再特殊退火处理,即使用一定比例的惰性气体和氢气混合气体,对掺杂的氧化锌稀磁半导体材料进行退火处理。退火后的CoxZn1-xO材料具有室温铁磁性,采用本发明可制得具有室温铁磁性的掺钴氧化锌稀磁半导体材料。

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