公开(公告)号：CN109659213B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201710934610.2

申请日：2017-10-10

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟 ,  李一成

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔体、介质窗、用于将介质窗固定在腔体顶部的支撑件，以及用于向腔体内部输送气体的进气机构，该进气机构包括设置在支撑件中的进气通道；该进气机构还包括第一管路和第二管路，其中，第一管路设置在腔体上，且与进气通道一端可拆卸的密封连接，该第一管路用于通过进气通道向第二管路输送气体；第二管路设置在支撑件上，且与进气通道另一端固定密封连接，该第二管路用于将气体输送至腔体内。本发明提供的反应腔室，其不仅可以简化开腔维护流程，降低维护成本，而且可以减少反应副产物在进气管路中的沉积，减少金属污染，从而可以保证工艺结果和产品良率。

公开(公告)号：CN110473814A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910826132.2

申请日：2019-09-03

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞 ,  王伟 ,  楼丰瑞 ,  石锗元 ,  廉串海 ,  吕增富

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种内衬结构、反应腔室和半导体加工设备，该内衬结构包括：内衬主体，包括构成阶梯结构的上环部和下环部，且下环部的外径小于上环部的内径；并且，在上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口，该内衬开口延伸至上环部的下端；内门，设置在上环部的下方，且内门的内径与上环部的内径相同，并且内门是可升降的，以能够开启或关闭内衬开口。本发明所提供的内衬结构、反应腔室和半导体加工设备的技术方案，不仅可以避免内门与内衬发生刮擦，而且可以保证腔体内壁和内衬内壁的完整性，从而可以提高气流场的均匀性。

公开(公告)号：CN110416110A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810401251.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种SOG片预处理方法、SOG片传输方法、翘曲度检测装置及SOG片传输系统，通过确定待预热SOG片的翘曲度，并根据翘曲度、预设的翘曲度阈值和预设的预热时间阈值之间的关系式确定待预热SOG片的预热时间。本发明通过在每个SOG片预处理之前计算每个SOG片的翘曲度，由此计算其预热时间，不同SOG片的翘曲程度不同，相应的预热时间也不同，而不是为多个SOG片设置统一的预热时间，使得预处理工艺更为灵活，也更有针对性，能够提高系统的工作效率和设备产能。

公开(公告)号：CN107086186B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201610086068.5

申请日：2016-02-15

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种反应腔室和基片加工设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的反应腔室中，由于用于向晶片底部通入气体的气体引入单元位于基座内部，在基座维护时容易损坏，而且重新确认其位置也比较困难的问题。本发明的反应腔室，包括基座，基座用于支撑晶片，基座内设有向晶片底部通入气体的第一气体通道和气体转接单元，所述反应腔室设置有贯穿其侧壁的第二气体通道，所述反应腔室外设置有气体接入单元；所述气体依次通过所述气体接入单元、第二气体通道、气体转接单元和第一气体通道，到达晶片底部，以使晶片的温度均匀。

公开(公告)号：CN108461441A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710086745.8

申请日：2017-02-17

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 王伟

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供了一种承载装置，用于承载且固定被加工工件，承载装置包括导电层、和叠置于导电层上的绝缘层，绝缘层包括中心体、环形边缘体和凹槽体；在中心体的上表面上设置有凹部，凹部用于放置凹槽体；凹槽体上设置有用于与气源相连的气体凹槽；环形边缘体环绕中心体的侧壁设置；环形边缘体的导热率小于中心体的导热率，和/或，中心体的导热率小于凹槽体的导热率。本发明还提供了一种包括本发明提供的承载装置的工艺腔室。本发明的承载装置和工艺腔室可以提高被加工工件的温度均匀性，从而可以提高工艺均匀性(例如，刻蚀均匀性)。

公开(公告)号：CN119406843A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411545558.8

申请日：2024-10-31

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 李东芳 ,  梅润川 ,  赵婷婷 ,  鲁艳成 ,  王伟

IPC: B08B5/02 ,  B08B13/00

Abstract: 本说明书实施例提供了一种半导体工艺设备，该设备包括工艺腔室，循环吹扫装置以及腔室通风装置；其中，腔室通风装置包括进气组件和排气组件；充气组件用于向工艺腔室内通入第一吹扫气体；进气组件用于向工艺腔室内通入第二吹扫气体；第一吹扫气体与第二吹扫气体不同；进气组件单位时间内向工艺腔室内通入气体的流量大于充气组件单位时间内向工艺腔室内通入的气体流量，如此，在对工艺腔室清洁过程中，可以利用循环吹扫装置对工艺腔室进行初步清扫后，利用腔室通风装置提供的较大流量的第二吹扫气体对工艺腔室进行快速清扫，以使内部的目标气体浓度迅速降低至安全值以下，在保障作业人员的健康与安全的情况下，提高腔室清洁的效率。

公开(公告)号：CN114895728B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202210480887.3

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 沈浩 ,  王伟

IPC: G05D23/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种温控装置及半导体工艺设备，温控装置应用于半导体工艺设备，用于对介质窗的温度进行控制，温控装置包括换热结构、循环部件和温控组件，其中，换热结构设置于介质窗上，且在介质窗上的正投影呈渐开线状；循环部件与换热结构连通，用于向换热结构中输送换热介质，换热介质能够在换热结构和循环部件中循环并与介质窗进行热交换；温控组件设置于循环部件上，用于控制换热介质的温度。本发明提供的温控装置及半导体工艺设备，能够提高介质窗的温度均匀性，避免介质窗的损坏，并能够提高对介质窗的控温效率。

公开(公告)号：CN112151364B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202011032583.8

申请日：2020-09-27

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 茅兴飞 ,  韦刚 ,  王伟 ,  陈国动

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/22 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种半导体反应腔室，包括腔室本体、进气部件、承载部件、上射频组件、多个紫外光发生装置和设置在腔室本体顶部的介质窗，承载部件设置在腔室本体内，并对应设置于介质窗下方；进气部件贯穿于介质窗中心；上射频组件设置于腔室本体的上方，用于对通入腔室本体内的工艺气体进行电离，生成等离子体和第一紫外光；多个紫外光发生装置设置在介质窗和承载部件之间，并环绕在进气部件的周围，且沿腔室本体的周向均匀间隔分布；紫外光发生装置与介质窗之间具有预设夹角，用于产生朝向承载部件照射的第二紫外光。本发明提供的半导体反应腔室能够提高单一待加工晶片刻蚀速率的均匀性，并提高多个待加工晶片之间的刻蚀一致性，从而提高工艺效果。

公开(公告)号：CN117954371A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202211272511.X

申请日：2022-10-18

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 姚卫杰 ,  李岩 ,  茅兴飞 ,  王伟 ,  戴庚霖 ,  杨纪鹏 ,  杨延铭

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体和下电极组件，下电极组件设置于腔室本体内，下电极组件包括升降部件和隔离基座，隔离基座设有容纳腔，且隔离基座的外壁设有至少一个凹陷部，凹陷部向容纳腔的内部凹陷，至少一个升降部件分别设置于各个凹陷部内，且可相对于隔离基座在竖直方向上移动。半导体工艺设备包括上述的半导体工艺腔室。采用上述方案，隔离基座将升降部件与容纳腔内的其它结构件间隔开，同时，升降部件不会占用位于隔离基座外部的其它部件的空间，如此，既能避免升降部件影响容纳腔内的结构件，又能减小隔离基座的占用空间，进而减小下电极组件占用的空间。

公开(公告)号：CN115497797A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210586916.4

申请日：2022-05-27

Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司

Inventor： 赵晋荣 ,  茅兴飞 ,  王松 ,  姚卫杰 ,  杨纪鹏 ,  陈星 ,  韦刚 ,  陈国动 ,  王伟 ,  李岩 ,  戴庚霖 ,  杨延铭

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备，该线圈结构中，每个线圈单元均包括M个线圈组，M为大于等于4的整数；M个线圈组的结构相同，且相互并联；M个线圈组中的各层所述平面线圈一一对应地同层设置，并且位于同一层的M个平面线圈沿平面线圈的圆周方向相互间隔，且均匀分布；线圈组包括相互平行的N层平面线圈，N为大于等于4的偶数；N层平面线圈沿垂直于平面线圈所在平面的方向间隔设置，且依次首尾串接；每相邻两层平面线圈在平面线圈所在平面上的正投影呈镜像对称。本发明的技术方案，既可以提高在线圈在其下方产生的耦合能量在径向、角向上的分布均匀性，又可以提高线圈的整体耐压能力，从而可以实现大功率馈入。