-
公开(公告)号：CN116699877A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310699135.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串联阵列20个PN二极管。本发明用于光子芯片中高速信号的加载，调节光子计算芯片中光强大小，减少驱动所需功耗，实现光芯片中低电压高速信号的加载。
-
公开(公告)号：CN115732594A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
-
公开(公告)号：CN115657338A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211328980.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于相变材料调制光子晶体纳米梁的光存储器，包括：孔径啁啾型光子晶体纳米梁，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第一侧形成P型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置的第二侧形成N型掺杂区，在所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置溅射相变材料；其中，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与P型掺杂区之间形成间距，所述孔径啁啾型光子晶体纳米梁中心位置与N型掺杂区之间形成间距。本发明使用相变材料能够很好的克服通过热光效应或者电光效应对硅基波导的折射率进行调谐不稳定的缺点。
-
公开(公告)号：CN112712162A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011459694.7
申请日：2020-12-11
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于光子晶体纳米梁的热光调制语音转换系统，包括输入层、隐藏层和输出层；其中，隐藏层中包括光学干涉单元和光学非线性单元，光学干涉单元包括MZI结构与光子晶体纳米梁，经过MZI结构的光相位与MZI结构温度之间的关系可表示为：其中，λ表示光的波长，neff表示为光的有效折射率，L表示为MZI结构中调制臂的波长。本发明与光学相结合的深度学习神经网络能有效地提高学习效率、计算速度以及准确度。基于光子晶体纳米梁的热光调制语音转化系统可以有效地解决传统计算机网络功耗大效率低以及体光学元件(如光纤、透镜)需要高的稳定性等问题。光学神经网络架构可以比在当前电子计算机上实现传统人工神经网络更加节能。
-
公开(公告)号：CN108168467A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711441539.0
申请日：2017-12-27
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种FP干涉测量角量传感器，包括转盘，所述转盘上的四周均贯穿有圆形磁栅尺，所述转盘的底部且与圆形磁栅尺相对应的位置设置有传感探头，所述传感探头的底部通过连接软管固定连接有第一圆筒外壳，并且第一圆筒外壳的底部连通有第二圆筒外壳，涉及光纤传感技术领域。该FP干涉测量角量传感器，极大的提高了线性位移的范围以及测量的角度，不仅研究了光纤光栅通过等强度梁、杠杆原理测量线位移以及温补问题，还可以更好的研究连续大范围测量问题与线位移与角量测量的转换，为以后的FP测量角量提供了更多更全面的文献参考，促进光纤科学研究的发展，为FP腔作为测量角量传感器开辟了一条新的道路。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107907069A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711441571.9
申请日：2017-12-27
Applicant: 北京信息科技大学
CPC classification number: G01B11/165 , G01K11/3206 , G01K15/007
Abstract: 本发明公开了一种基片式温度应变测量FBG传感器，其特征在于：包括基片、第一FBG第二FBG；所述第一FBG第二FBG从左到右依次设置在基片上；所述第一FBG通过DP420胶水与基板之间进行粘接，所述第二FBG通过353ND胶水与基板之间进行粘接；所述基片上分别均匀开设有固定孔；所述S1中所述的测试系统包括环形器、Fluke水浴箱、宽带光源和解调仪，所述宽带光源的输出端与环形器的输入端电性连接；所述Fluke水浴箱内放置的FBG传感器通过导线与环形器电性连接；该基片式温度应变测量FBG传感器及性能测试方法，本发明不但温度应变解耦，且同时达到温度应变解耦作用；传感器可以同时测量温度与应变，且应变灵敏度提高倍。
-
公开(公告)号：CN119322383A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411441187.9
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，公开了一种基于多层光学堆栈的红外探测器宽波段增透膜，包括以下具体步骤：步骤一：首先确定增透膜的应用波段，选择增透膜材料MgF2、S i、ZnSe，基底材料为GaSb；步骤二：依据菲涅尔定律和光波的相关理论，研究光波在经过不同界面时反射波和透射波振幅的大小以及反射相位的变化，利用相关公式求出多层膜的反射率特征矩阵，并考虑材料的折射率和吸收系数。通过采用新型多层膜设计，显著提高了红外探测器的透过率和波段响应，这种增透膜不仅适用于短中波红外探测器，还可扩展到其他光电设备，具有广泛的应用前景和市场潜力，通过这种技术，可以在保持成本效益的同时，显著提升器件和设备的性能。
-
公开(公告)号：CN119229927A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411276019.9
申请日：2024-09-12
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G11C13/04 , H10B69/00 , H10N30/074
Abstract: 本发明涉及硅基光子集成技术领域，提供了一种基于光存储介质的波导存储器及其制作方法、存储设备，该基于光存储介质的波导存储器及其制作方法包括：通过对跑道型微环谐振器进行仿真，确认跑道微环谐振腔与总线波导之间的最优耦合间隙和最优耦合长度，制作芯层，根据最优耦合间隙和最优耦合长度在芯层上形成跑道微环谐振腔和总线波导，并利用磁控溅射在总线波导上沉积光存储介质，所述光存储介质在外部激励作用下会改变应激位置的相变状态，以通过光存储介质的不同相态实现信息的存储。本发明还提供了基于该制作方法得到的波导存储器和存储设备。本发明制备方法得到的波导存储器无毒，对人体和环境友好，制作成本低，结构简单，易于大规模制造。
-
公开(公告)号：CN118393662A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410282003.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，公开了一种基于硅基锗外延的感算一体硅光神经网络系统，包括单波长可调谐激光器、高Q值硅基微环光频率梳、硅基光分束器、硅锗感算一体阵列、光电探测模块、外围信号检出模块。所述硅锗感算一体阵列，由多个硅锗感光微环排列组成，所述硅锗感光微环包括深度为110nm、宽度为450nm的add‑drop型微环、在部分微环上进行选区外延的深度为200nm的外延锗，所述高Q值硅基微环光频率梳用于分频并提供多路信号加载，所述单波长可调谐激光器用于提供稳定的初始光源、所述光电探测模块用于将光信号转换为电信号。相较于传统硅光神经网络，所提出的网络架构涉及器件少，集成度高，对于实现高集成，全过程的硅光神经网络，具有重大意义。
-
公开(公告)号：CN117722957B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311573239.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明提供了一种磁栅式光纤光栅大量程位移传感器，包括：第一磁探头、第二磁探头和磁栅尺；第一磁探头包括第一等强度梁、第一光栅光纤和第一永磁体；第一等强度梁的自由端固定第一永磁体；第二磁探头包括第二等强度梁、第二光栅光纤和第二永磁体；第二等强度梁的自由端固定所述第二永磁体；第一永磁体的磁极与第二永磁体的磁极同向布置；磁栅尺包括等间距阵列的多个磁栅永磁体，并且相邻两个磁栅永磁体的磁极反向布置；第一永磁体和第二永磁体之间的间距L满足如下关系：L＝(m±1/4)τ，其中，m为正整数，τ为相邻两个同向布置的所述磁栅永磁体的间距。本发明提高实现了温度解耦控制，实现大量程的位移精确测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.026 seconds)
