公开(公告)号：CN119229927A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411276019.9

申请日：2024-09-12

Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

Inventor： 祝连庆 ,  杨莉 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

IPC: G11C13/04 ,  H10B69/00 ,  H10N30/074

Abstract: 本发明涉及硅基光子集成技术领域，提供了一种基于光存储介质的波导存储器及其制作方法、存储设备，该基于光存储介质的波导存储器及其制作方法包括：通过对跑道型微环谐振器进行仿真，确认跑道微环谐振腔与总线波导之间的最优耦合间隙和最优耦合长度，制作芯层，根据最优耦合间隙和最优耦合长度在芯层上形成跑道微环谐振腔和总线波导，并利用磁控溅射在总线波导上沉积光存储介质，所述光存储介质在外部激励作用下会改变应激位置的相变状态，以通过光存储介质的不同相态实现信息的存储。本发明还提供了基于该制作方法得到的波导存储器和存储设备。本发明制备方法得到的波导存储器无毒，对人体和环境友好，制作成本低，结构简单，易于大规模制造。