-
公开(公告)号：CN102422397B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200980159180.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/60 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/20 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/4958 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L2224/04042 , H01L2224/05018 , H01L2224/05026 , H01L2224/05558 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48724 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/2076
Abstract: 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。
-
公开(公告)号：CN103460359A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201180069623.9
申请日：2011-04-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7788 , H01L29/7789
Abstract: 提供一种可降低栅泄漏电流的制造氮化物电子设备的方法。在时刻t0将基板产物配置到生长炉后，将基板温度上升到摄氏950度。在基板温度充分稳定的时刻t3，将三甲基镓及氨提供到生长炉，生长i-GaN膜。在时刻t5，基板温度达到摄氏1080度。在基板温度充分稳定的时刻t6，将三甲基镓、三甲基铝及氨提供到生长炉，生长i-AlGaN膜。在时刻t7，停止三甲基镓及三甲基铝的供给并停止成膜后，迅速停止对生长炉提供氨及氢，并且开始氮的供给，在生长炉的炉膛中，将氨及氢的气氛变更为氮的气氛。形成了氮的气氛后，在时刻t8开始基板温度的降低。
-
公开(公告)号：CN103441140A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310306272.X
申请日：2009-07-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0611 , H01L29/08 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/475 , H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及肖特基势垒二极管。所述肖特基势垒二极管包括：GaN层（3）和肖特基电极（4），所述肖特基电极（4）形成在所述GaN层（3）上，其中，使与所述肖特基电极（4）相接触的所述GaN层（3）的区域（3c）的位错密度为1×108cm-2或更小以减小反向泄漏电流，通过使所述肖特基电极（4）中与所述GaN层（3）相接触的部分由Ni或Ni合金构成来增加势垒高度。由于在肖特基势垒二极管反向偏置时，由位错导致的反向泄漏电流小，所以由于肖特基电极的势垒高度增加而可以增强肖特基势垒二极管的耐受电压。
-
公开(公告)号：CN103210495A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180052281.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7788 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/3006 , H01L29/2003 , H01L29/4238 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7789
Abstract: 提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，其中在晶体管操作时，在获得极好纵向击穿电压的情况下，能够抑制漏极泄漏电流。该半导体器件特征在于被提供有：开口（28），其从n+接触层（8）经由p型势垒层（6）到达n型漂移层（4）；再生长层（27），其被定位为覆盖p型势垒层（6）等，该再生长层（27）包括未掺杂的GaN沟道层（22）和载流子供应层（26）；绝缘膜（9），其被定位为覆盖再生长层（27）；和栅电极（G），其位于绝缘膜（9）上。该半导体器件特征还在于，在p型势垒层中Mg浓度A（cm-3）和氢浓度B（cm-3）满足式（1）：0.1＜B/A＜0.9。
-
公开(公告)号：CN103189992A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052289.6
申请日：2011-10-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/22 , H01L21/265 , H01L21/26546 , H01L21/28264 , H01L29/0623 , H01L29/7789
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件等，该半导体器件配备有在开口部分中的沟道和栅电极并且在发生截止操作时可以减小在开口的底部部分附近的电场集中。该半导体器件包括n-型GaN漂移层（4）/p型GaN势垒层（6）/n+型GaN接触层，并且特征在于配备有：开口部分（28），其从表面层延伸进入n型GaN基漂移层；再生长层（27），其被定位在所述开口中，并且包括电子供应层（22）和电子漂移层（22）；源电极（S）；漏电极（D）；栅电极（G），其被定位在再生长层上；以及半导体杂质调节区（31），其被设置在开口部分的底部部分中。该杂质调节区（31）是用于促进当发生截止操作时关于电势分布从漏电极侧到栅电极侧的电势降低的区。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1993834B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200680000560.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/475
Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)-面XRD半峰全宽。
-
公开(公告)号：CN1624944B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410098298.0
申请日：2004-12-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。基板通过氧掺杂使之n型化，该氧浓度在氧原子1E17个/cm3～2E19个/cm3的范围内，基板的厚度为100μm～200μm。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。
-
公开(公告)号：CN101542736A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000260.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/66143 , H01L29/66204
Abstract: 提供一种具有外延生长层的肖特基势垒二极管，该外延生长层形成在衬底上并且具有台面部分，肖特基电极形成在台面部分上。肖特基电极的边缘和台面部分的顶表面边缘之间的距离为2μm或者更小。因为距离(x)是2μm或者更小，因此提供了具有显著地降低的泄露电流、提高的击穿电压、以及优良反向击穿电压特性的肖特基势垒二极管。
-
公开(公告)号：CN1977366A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000383.6
申请日：2006-03-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: 提供具有高纯度沟道层和高阻缓冲层的高电子迁移率晶体管。高电子迁移率晶体管11设有由氮化镓构成的支撑衬底13、由第一氮化镓半导体构成的缓冲层15、由第二氮化镓半导体构成的沟道层17、由第三氮化镓半导体构成的半导体层19以及用于晶体管11的电极结构(栅电极21、源电极23和漏电极25)。第三氮化镓半导体的带隙比第二氮化镓半导体更宽。第一氮化镓半导体的碳浓度NC1是4×1017cm－3以上。第二氮化镓半导体的碳浓度NC2小于4×1016cm－3。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.05 seconds)
