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公开(公告)号：CN114896940A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210817940.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/18
Abstract: 本发明提供了一种软件定义的晶圆级交换系统设计方法及装置，包括：确定晶圆级交换系统布局约束；构建目标晶圆级交换系统并确定参数，设计交换网络逻辑拓扑结构；设计交换芯粒在晶圆基板上的布局；分别设计对外芯粒和内部芯粒接口结构；配置交换芯粒各端口交换模式与使能状态；当晶圆级交换系统可实现目标逻辑拓扑结构，则结束流程；否则，重新构造交换网络逻辑拓扑结构并将其映射到基板上。本发明基于集成电路制造工艺约束所能提供的物理拓扑结构固定的晶圆基板，通过软件定义混合交换机制的方式构建面向不同应用场景的高性能、大规模、拓扑结构灵活的晶圆级交换系统。
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公开(公告)号：CN113282401A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110825659.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向物联网异构物体多形态的可重构服务模型，包括相互连接的服务管理系统、微服务云和n个异构物体；所述服务管理系统接收用户指令，并识别管理接入网络的异构物体，根据用户信息直接调用预设服务，或调用微服务云组合执行新的服务，并根据系统当前运行情况管理微服务策略；所述微服务云，异构物体可直接从微服务云端调取所需微服务，以实现固有服务外的功能；所述n个异构物体，可以将固有服务拆分为若干微服务，从而与其他异构物体的微服务形成新的服务组合，实现异构物体的多形态重构。本发明使异构物体的架构和管理策略更加灵活，利用异构物体的空闲资源，突破资源按需分配，服务个性化定制，实现云服务与实体服务的任意转换。
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公开(公告)号：CN117246976B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311533163.1
申请日：2023-11-17
Applicant: 之江实验室
IPC: B81C3/00 , B81C1/00 , H01L23/473
Abstract: 本公开涉及晶上集成结构及其形成方法。该用于形成晶上集成结构的方法包括：在第一基板形成锁孔结构，形成锁孔结构的步骤包括：形成从基板的键合面延伸入基板的键合槽；形成多个从键合槽延伸入基板的键合孔；形成低陷在键合槽内的金属层结构；在第二基板形成凸闩结构，形成凸闩结构的步骤包括：形成层叠于基板的金属焊盘，其中，金属焊盘的外周与对应的键合槽的槽壁匹配；形成多个层叠于金属焊盘的金属凸点，金属焊盘处金属凸点的位置与对应的键合槽内键合孔的位置匹配；形成延伸入基板的流道结构；将金属焊盘对接于键合槽内；以及将凸闩结构键合于锁孔结构。该方法执行简单。此外，该方法能够将两个基板牢固可靠地连接。
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公开(公告)号：CN117080352B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311330498.3
申请日：2023-10-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶上系统封装结构及其制备方法，包括：第一晶圆基板、第二晶圆基板及芯片。第一晶圆基板包括第一衬底和第一互连层，第一衬底的第二面处设有第一微通道。第二晶圆基板与第一晶圆基板堆叠，第二晶圆基板包括第二衬底和第二互连层，第二衬底的第二面处设有第二微通道，第一微通道和第二微通道互相连通形成微通道散热结构。芯片设置在第一互连层，至少部分芯片设置在微通道散热结构对应的位置。第一晶圆基板和第二晶圆基板具有良好的导热性，可以快速散去芯片产生的热量，第一微通道和第二微通道可以实现对多种预制件的精准散热，进一步提高了散热效果，减小温度不均匀性。
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公开(公告)号：CN117219518A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311466364.4
申请日：2023-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 本公开涉及微流道基板及其制造方法、晶上封装结构及其制造方法。制造微流道基板的方法包括：形成多个延伸入预制基板的导电通道，及形成至少一个延伸入预制基板的金属翅，其中，导电通道和金属翅均从预制基板的第一侧延伸入预制基板，导电通道的长度大于金属翅的长度；形成从第一侧延伸入预制基板的微流道，得到围绕导电通道的第一翅并使金属翅的至少部分外周面暴露于微流道，其中，微流道的深度小于导电通道的长度；形成位于预制基板的第一侧并电连接于导电通道的第一金属层；从预制基板的背向第一侧的第二侧减薄预制基板，得到基板并使导电通道暴露于第二侧；以及形成位于基板的第二侧并电连接于导电通道的第二金属层。实现高效的散热能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117038629A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311298879.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了基于玻璃载板的无塑封嵌入式晶上系统结构及制备方法，该基于玻璃载板的无塑封嵌入式晶上系统结构包括：玻璃载板、芯粒、硅中介层、外结构件及芯片贴膜。玻璃载板上设有沟槽和载板微流道，芯粒通过芯片贴膜粘结在沟槽内。芯粒的第一键合面设有第一金属衬垫。硅中介层堆叠于玻璃载板和芯粒，硅中介层设有第二金属衬垫、金属互连、硅通孔、第一金属重布线层及第三金属衬垫。外结构件上设有结构件微流道，结构件微流道与载板微流道连通。第一金属衬垫和第二金属衬垫键合，硅通孔、第一金属重布线层和第三金属衬垫与芯粒连接。玻璃载板可以防止芯粒和硅中介层集成后翘曲量的增加，降低了后续工序的难度。
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公开(公告)号：CN117003197A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN116631944A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310912407.0
申请日：2023-07-25
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
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公开(公告)号：CN115172192B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211098655.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成。本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN116429300A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310685836.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅和微流道冷却的超高温压力传感芯片及系统，使用底部各向异性腐蚀并氧化和在压阻式的半导体电阻的周围刻蚀电阻分隔结构并填充和覆盖绝缘层相结合的方法，将组成惠斯登电桥的半导体电阻用二氧化硅层绝缘隔离包裹起来，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题。本发明还提出了使用微流道环绕高温压力传感芯片的微组装方法，隔离了外界高温并降低了芯片周围温度，使得系统可以在高于硅基压力传感芯片最高工作温度的1000℃以上的超高温环境中工作。同时这种微流道环绕芯片进行冷却的方法也适用于其他材质和原理的工作在极端高温环境中的传感器、集成电路、大功率器件等。
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