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公开(公告)号：CN114860054B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210782350.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的供电装置，采用硅基板（3）作为晶圆级处理器的衬底基板，所述供电装置与硅基板（3）贴合，包括供电单元（16），所述供电单元（16）同时为多个处理器Die（2）供电，每个供电单元分为电源去耦层、核心电压层和外围电压层；所述处理器Die（2）连接电源去耦层，所述核心电压层设置于电源去耦层和外围电压层之间。本发明解决了晶圆级处理器的高密度的供电及处理器外围配套电路需求，具有高功率密度、低翘曲、低电源噪声、易维护等优点，可为低压大电流需求的同构或异构晶圆级处理器提供一体化供电解决方案。
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公开(公告)号：CN115172192A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211098655.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成。本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN115149514A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202211059609.7
申请日：2022-08-31
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆处理器的共享控制式供电装置，采用多层垂直供电结构，将晶圆处理器的供电电路分为共享控制管理电路模块和直流变压及功率传输模块，所述直流变压及功率传输模块的上表面依次设置所述共享控制管理电路模块和所述晶圆处理器。本发明能有效提高晶圆处理器系统的供电密度，提高晶圆处理器供电系统的可靠性，降低晶圆处理器系统供电电路的功耗，实现了数字控制式供电系统，重新划分了供电系统的电压转换和控制管理平面，可为大功率晶圆处理器系统的高效供电提供一体化解决方案。
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公开(公告)号：CN115050727A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210971081.4
申请日：2022-08-15
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L25/18 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置，包括硅基板，所述硅基板上键合晶圆处理系统，所述晶圆处理系统的顶部通过弹性连接器连接有供电模块，所述晶圆处理系统的底部通过微型铜柱连接硅基板，所述硅基板内部对应所述晶圆处理系统映射区域通过金氧半场效晶体管MOSFET集成有逻辑功能电路块。本发明通过在晶圆处理器的硅基板中设计有源电路，通过硅基板中的BIST控制单元，实现了晶圆处理器Die与硅基板键合后系统的可测试功能，降低了晶圆处理器的维修难度和成本；对每个晶圆处理器Die及其内部每个独立模块的电源故障监测和精细化供电故障管理，避免影响其他晶圆处理器Die或此晶圆处理器Die其他模块功能的正常工作。
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公开(公告)号：CN114551385B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210454688.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/433 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种含有微流道散热结构的三维堆叠封装结构及其封装方法，该结构包括芯片封装部分和硅基板封装部分，所述芯片封装部分由含有硅通孔的多层芯片通过三维堆叠封装构成，所述硅基板封装部分由硅基板构成，硅基板上设有与外部引线互连的微凸点，所述芯片封装部分通过微凸点键合装配到硅基板上，所述多层芯片上刻蚀有相对应的供冷却液水平方向流动的微流道和上下层流动的通孔，所述微流道和通孔的周围设置有密封环。本发明不仅降低了工艺复杂度和成本，也不会造成三维堆叠结构整体厚度的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759012B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210664279.8
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H05K1/18 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明公开了基于TSV工艺晶上系统与PCB板互连结构，包括底部结构件和顶部结构件，所述底部结构件与所述顶部结构件通过连接件可拆卸链接，所述底部结构件的上表面设置有底部凹槽，所述底部凹槽内设置有晶上系统，所述晶上系统的下表面与所述底部凹槽之间贴合连接，所述顶部结构件的下表面设置有顶部凹槽，所述顶部凹槽内通过连接件连接有PCB预制件，所述PCB预制件的另一端通过弹性连接器连接所述晶上系统。本发明不仅可解决大尺寸晶上系统与翘曲PCB板连通问题，还可以解决晶上系统散热问题，从而为晶上系统的供电、调试、信号输入输出提供技术支撑，为更高速率、更大容量的晶上系统的设计与制造提供技术保障。
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公开(公告)号：CN114650655B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210559461.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种晶圆预制件与PCB板的互连和散热结构及其制造方法，包括顶部结构件，所述顶部结构件的顶端可拆卸连接有风扇，所述顶部结构件的底端可拆卸连接有底部结构件，所述顶部结构件的底端设置有顶部凹槽，所述顶部凹槽内设置有PCB预制件，所述底部结构件的顶端设置有底部凹槽，所述底部凹槽内设置有晶圆预制件，所述PCB预制件和晶圆预制件之间通过柔性连接器连接，所述底部结构件的底端还设置有液冷管路组件，所述液冷管路组件的顶端贯穿所述底部结构件并延伸至所述底部凹槽内与所述晶圆预制件连接。本发明解决大尺寸晶圆预制件与翘曲PCB板互连互通和散热问题，从而为大功率晶圆供电，晶圆与PCB板之间快速、稳定信息交换提供技术支撑。
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公开(公告)号：CN114864525A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210796930.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了适用于晶上集成的晶圆基板标准集成区域布线结构与方法，包括核心电压网络、互连信号网络、时钟信号网络、以及地线网络，核心电压网络与互连信号网络同属于顶层金属层，时钟信号网络位于中层金属层，地线网络位于底层金属层。标准集成区域向上提供的管脚包括核心电压管脚、互连信号管脚、时钟信号管脚、地线管脚、复杂功能管脚，复杂功能管脚由晶圆底部TSV直接连接到系统外部，其余管脚通过所属信号网络实现连接；核心电压管脚与地线管脚采用条纹交错的方式分布在中心对称的井字形核心电压区内，互连信号管脚分布在标准集成区域四周的互连信号区。本发明解决了因布线层数多、布线缺乏规划引起的晶圆基板金属走线良率低的问题。
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公开(公告)号：CN114860054A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210782350.2
申请日：2022-07-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的供电装置，采用硅基板（3）作为晶圆级处理器的衬底基板，所述供电装置与硅基板（3）贴合，包括供电单元（16），所述供电单元（16）同时为多个处理器Die（2）供电，每个供电单元分为电源去耦层、核心电压层和外围电压层；所述处理器Die（2）连接电源去耦层，所述核心电压层设置于电源去耦层和外围电压层之间。本发明解决了晶圆级处理器的高密度的供电及处理器外围配套电路需求，具有高功率密度、低翘曲、低电源噪声、易维护等优点，可为低压大电流需求的同构或异构晶圆级处理器提供一体化供电解决方案。
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公开(公告)号：CN114630494A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210511528.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 之江实验室
IPC: H05K1/18 , H05K3/32 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/16
Abstract: 本发明公开了晶圆集成系统与顶部PCB板的互连结构及其制造方法，包括金属结构件，所述金属结构件内设置有凹槽，所述凹槽内设置有晶圆集成系统，所述晶圆集成系统的下表面与所述凹槽的上表面还设置有导热材料，所述金属结构件的顶端连接有刚性板，所述刚性板上连接有PCB板，所述PCB板上连接有电源模块和I/O模块，所述刚性板中设置有电气连接装置，所述电气连接装置的下表面连接所述晶圆集成系统，所述电气连接装置的上表面连接所述PCB板。本发明解决晶圆集成系统与传统PCB集成系统互通互连的关键技术难题，尤其能解决因PCB板翘曲引起的互连失效问题，从而为晶圆集成系统与传统印制电路集成系统混合集成提供可靠的技术保障。
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