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公开(公告)号：CN103107278A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210541111.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4-xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04-0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热-电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN102031415A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910112583.6
申请日：2009-09-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类I型锑基笼合物材料及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用无机固相一步合成法或两步合成法进行合成。本发明中，利用过渡金属或者主族元素对锑基骨架进行了修饰，在骨架原子所形成的多面体空腔中填充了碱金属填隙原子，得到了一类I型锑基笼合物材料，其分子式通式可以表示为：A8MxSb46-x，(18≤x≤25)式中A为填隙原子，为碱金属Rb，Cs中的一种，M为第二骨架元素，为过渡金属或者主族金属原子，为Zn，Cd，Ga，In中的一种，x表示第二骨架元素的摩尔含量，当M＝Zn，Cd，x＝18；当M＝Ga，x＝25；当M＝In，x＝20。本发明获得的笼合物材料，具有化学物相单一，均匀性好，组分可控等优点。本发明制备的I型锑基笼合物材料，成功拓展了I型笼合物理论和实验研究范围，具有潜在的热电应用价值。
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公开(公告)号：CN107022793B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201610071451.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外非线性光学晶体、其制备方法和应用。该红外非线性光学晶体具有如下所示的分子式：A18X21Y6M48，其中，A为Ba、Sr或Pb；X为Zn、Cd或Mn；Y为Ga、In或Al；M为S、Se或Te。该晶体属于三方晶系，空间群为R3。其中的晶体Ba18Zn21Ga6S48是I型相位匹配非线性光学材料，在150～210μm颗粒度范围，其粉末倍频强度和激光损伤阈值分别是商用材料AgGaS2的0.5倍和28倍，其它晶体具有相同或相似的结构和光学等性能，在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN103236493B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310174698.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种热电材料TmCuTe2化合物的制备方法及其用途。该化合物属于三方晶系，空间群为，晶胞参数为，，α=β=90°,γ=120°，Z=8，晶胞体积为。采用高温固相法合成TmCuTe2化合物粉体，将得到的粉体进行热压烧结即可得到块体材料。该材料在754K时达到最佳热电优化值为0.81，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，而且该化合物高温稳定性好，因此可用于热‑电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN104766922B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510177777.X
申请日：2015-04-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种柔性热电器件的制备方法以及制得的柔性热电器件。所述方法采用具有高导电性能的紫铜丝网作为电极材料，直接把紫铜丝网固定在模具基板上，以耐高温的硅胶作为柔性基板替代传统陶瓷基板，把P‑N热电粒子交替落入栅格模具装置中实现整体焊接的基础上，在冷热端面进行设计图案的线路切割，使得彼此每对P‑N半导体热电粒子在电学上串联热学上并联的彼此独立结构；并在上胶厚度可调的装置上进行耐高温柔性绝缘基本的固化操作，得到柔性器件。本发明的柔性器件，可以实现大角度弯折，不改变半导体材料本体，没有影响到进行掺杂改性后的半导体材料成分，拓宽了热电器件的应用场合，不再局限于平面场合，释放了热电器件工作过程产生的热应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105951182A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610347594.2
申请日：2016-05-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本发明涉及一种相位匹配的红外非线性光学晶体材料，其具有如下所示的分子式：CsXSn2Se6。其中，X为13主族元素。该红外非线性光学晶体材料的晶体结构属于三方晶系，空间群为R3。本发明提供的新型红外非线性光学晶体材料，具有优良的二阶非线性光学性质以及大小适中的双折射率，较高的热导率，较宽的透光范围，具有强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的3～4倍，可用于中红外探测器和激光器。
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公开(公告)号：CN105803532A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410837415.4
申请日：2014-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种热电材料，其特征在于，含有CsAg5Te3晶体材料。所述热电材料700K时最佳热电优化值ZT可达1.6，并且具有较高稳定性，可多次循环使用。本申请还公开了一种CsAg5Te3晶体材料的制备方法，以Cs、Ag、Te为原料，采用高温固相法，一步合成CsAg5Te3晶体材料，在大幅缩短合成时间的同时，得到高纯度的产品。
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公开(公告)号：CN105734668A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610182753.8
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ba3P3O10Cl单晶的生长方法，包括：1)采用BaCO3与NH4H2PO4作为原料，经烧结后得到多晶原料；2)将多晶原料与BaCl2、CsCl混合研磨，得到原料混合物，并将原料混合物进行真空密封；3)对真空密封后的所述原料混合物高温加热熔融，之后降温，得到Ba3P3O10Cl单晶。本发明采用合成的多晶原料混合一定比例的BaCl2与CsCl，熔封在密闭的石英管内，采用真空密闭助熔剂坩埚下降法生长，并调整生长过程中的温度等参数，从而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸Ba3P3O10Cl单晶，尺寸约为Φ10×50mm，且在紫外可见光区域透过率可达90％以上。
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公开(公告)号：CN105603531A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410658470.7
申请日：2014-11-17
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种具有强的红外倍频响应的非线性晶体材料、其制备方法和应用。其该非线性晶体材料具有如下所示的分子式：Ba4MGa4Se10Cl2其中，M为金属元素，选自IIB族金属元素、VIIB族金属元素、VIII族金属元素中的至少一种或M由IB族金属元素中的至少一种与IIIA族金属元素中的至少一种组成；该晶体属于四方晶系，空间群为材料的粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的59倍，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
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公开(公告)号：CN105329862A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510887234.7
申请日：2015-12-04
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C01B19/00
Abstract: 本发明公开了一种制备CsBi4Te6热电材料的方法。其将稀土元素RE、CsX、Bi和Te混合，在高温下制备得到CsBi4Te6材料。其中X为卤素。本发明所提供的方法摈弃了现有技术中采用价格昂贵的Cs单质或二元Cs2Te化合物，采用原料CsX提供Cs源，CsCl化合物不仅性能稳定，使得反应只需在真空密闭体系中进行即可，不需要特殊的装置，也不存在原料不稳定无法保存的问题，因此该合成方法操作非常简便，适合大规模应用。此外，原料CsX价格低廉，大幅度降低了成本。
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