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公开(公告)号：CN114520173A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011303570.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体基盘装置及具有其的半导体真空过渡室，半导体基盘装置包括：基盘，基盘上设置有放置晶圆的晶圆盒；联轴机构，联轴机构包括设置于基盘的底部的联轴器和锁紧组件，联轴器的底部设置有防呆槽；支撑轴，支撑轴的顶部设置有与防呆槽配合的防呆凸起，基盘通过联轴器上的防呆槽安装至支撑轴的防呆凸起上，并通过锁紧组件锁紧联轴器与支撑轴。根据本申请的半导体基盘装置，通过在基盘的底部设置联轴机构，不仅能够达到快速拆装基盘与支撑轴的目的，还能够减少基盘与支撑轴的装配过程中出现错位或者倾斜现象。
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公开(公告)号：CN114518693A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011308202.4
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种套刻误差补偿方法及光刻曝光的方法，包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆具有对准标记；装载所述晶圆，测量对准标记的第一位置；将晶圆翻转180°，测量对准标记的第二位置，并计算第一位置与第二位置的位置误差；计算对准标记的补偿量，然后进行补偿。与现有技术相比，本申请实施例将机台误差(Tool‑Induced Shift，TIS)补偿方法应用到对准标记的误差补偿，以解决对准标记对准偏差的问题。
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公开(公告)号：CN114429892A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011182424.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/075 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J9/04 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种热电子发射阴极及其组成的热电子和离子发射装置。一种热电子发射阴极，包括：热电子发射基底面；所述热电子发射基底面上分布有多个突起部。本发明提供的阴极具有更大的比表面积，释放热电子的面积更大，可以提高热电子的利用率，延长设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN114388479A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011140791.X
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备，该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层，多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同，且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到，以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到，而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜，可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消，由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低，减小光刻对准失败的几率。
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公开(公告)号：CN114355731A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090371.5
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114355729A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011090398.4
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶涂布设备及涂胶显影系统，其中，光刻胶涂布设备包括载台、驱动装置、供胶装置和第一柔性热电模块，其中，载台用于放置待涂布的晶圆；驱动装置与载台连接以带动载台旋转；供胶装置包括用于输送光刻胶的光刻胶管路；第一柔性热电模块用于调节温度，第一柔性热电模块与光刻胶管路连接。本发明提出的光刻胶涂布设备利用第一柔性热电模块对供胶装置的温度进行调节，避免了利用恒温水调温导致的安装不便以及泄露隐患，第一柔性热电模块不仅节省安装空间，而且提高了调温效果。
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公开(公告)号：CN114253092A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011019884.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G03F9/00 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统及量测方法，系统包括：第一图案层上的第一套刻标记和第二图案层上的第二套刻标记；第一套刻标记包括两个呈十字型设置的条型标记，第二套刻标记包括多个方型标记；所述十字型限定出四个空间，四个空间的至少三个空间中的每一空间设置至少一个方型标记。由于采用呈十字型的套刻标记和方型的套刻标记，与实际图案的形态一样，因此可以节省单独设计套刻标记工艺，缩短工艺时间，同时避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，从而使得测量值与实际产品的套刻精度一致。通过在十字型限定出的四个空间中的至少三个空间均设置一个方型的套刻标记，便于量测设备测量本图案层与另一图案层之间的套刻精度。
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公开(公告)号：CN113903653A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010575940.9
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆的处理方法及激光退火装置，该处理方法通过激光退火装置来实现，该方法包括：用有机溶剂清洗晶圆斜面部位；将清洗好的晶圆放置在所述激光退火装置的承载部上；调整晶圆与所述激光退火装置的激光出口的相对位置从而设定激光曝光位置；旋转晶圆，同时利用激光对所述激光曝光位置进行曝光；完成曝光后，冷却晶圆。本申请提供的晶圆的处理方法，利用激光退火工艺来减少或去除在晶圆边沿或斜面部位的细微裂纹，将非晶硅转换成多晶硅，提高了晶圆密度，大大降低了晶圆破裂发生的几率。
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公开(公告)号：CN112018041A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010702697.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法，包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成上电极；使用含氮气体对所述上电极的外表面进行处理，以在所述上电极的外表面形成第一钝化层；在第一钝化层的外表面形成上电极连接层。通过在上电极与上电极连接层之间的界面、上电极连接层与金属导线层之间的界面进行界面处理，即依次在上电极进行处理、第一处理工艺以及第二处理工艺，以及在上电极连接层进行钝化处理，使得上电极与上电极连接层之间界面、上电极连接层与金属导线层之间界面的不完全反应物被去除，大大降低了电容器的漏电。
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公开(公告)号：CN112017999A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010762993.1
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗设备及晶圆清洗方法，晶圆清洗设备包括支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件、清洗液喷嘴和控制器，支撑盘用于放置和吸附待清洗的晶圆，转轴与支撑盘连接并能够带动支撑盘旋转；位置检测器用于检测和判断晶圆是否偏离设定位置；调整组件用于移动晶圆以调整晶圆的位置；清洗液喷嘴用于向晶圆喷涂清洗液；控制器分别与支撑盘、转轴、位置检测器、调整组件以及清洗液喷嘴信号连接，用于接收位置检测器反馈的信号，以及控制支撑盘、转轴、调整组件以及清洗液喷嘴动作。本发明公开的晶圆清洗设备能够避免晶圆在清洗时因初始位置误差引起的晶边清洗宽窄不对称，进而避免了在后续工艺过程中造成缺陷，提高了产品良率。
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