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公开(公告)号：CN102368524A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110316113.9
申请日：2011-10-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 蓝雨软件技术开发(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子阱结构中其它势垒材料与InN或GaN形成的合金，并且InN或GaN在合金中的含量沿生长方向线性增加。本发明结构简单、易操作，可以有效减少漏电流，增强空穴的注入效率，提高量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性，从而大幅提高其在高注入电流下的发光效率，作为高亮度、高功率器件结构在照明领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101335309B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810041158.8
申请日：2008-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、1010cm-2～1011cm-2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间，使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时，从量子阱引出了另一路横向电流，该横向电流由二维电子气组成，受量子点电场的强烈调制，可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备，但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。
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公开(公告)号：CN101262025A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036257.7
申请日：2008-04-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种量子放大的p型量子阱红外探测器。该探测器包括：量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层。其特征是：p型量子阱有源层集成在量子点共振隧穿二极管的本征GaAs量子点覆盖层上。其核心机理为利用p型量子阱有源层进行中、长波红外吸收，产生的空穴由共振隧穿二极管的双势垒附近的量子点俘获，引起共振隧穿电流的强烈变化，从而使得本发明的器件兼有量子点共振隧穿二极管的高量子放大倍率和p型量子阱探测器的正入射红外波段响应能力。克服了制约量子阱红外探测器应用性能的二个关键问题，即正入射禁戒和量子效率低。
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公开(公告)号：CN101252152A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035501.8
申请日：2008-04-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/052 , H01L31/0376 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种可见—红外波段吸收的非晶薄膜太阳能电池，该电池包括：衬底，在衬底上通过磁控溅射方法生成的二个串联的薄膜太阳能子电池。所说的二个串联的薄膜太阳能子电池是由依次排列生成在衬底上的吸收红外波段的非晶碲镉汞薄膜子电池和吸收可见光波段的非晶硅薄膜子电池组成。在非晶硅薄膜子电池的顶层上生成有透明导电的ITO防反射层。本发明的最大优点是：拓宽了太阳光谱从可见—红外波段的吸收；其次，薄膜电池采用非晶材料，制备工艺简单，造价低廉，同时不受衬底生长条件的限制，可以选择价格低廉的衬底，能够降低电池的制造成本。
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公开(公告)号：CN101251627A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810035323.9
申请日：2008-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体波导偏振分束器。它是在二维碲介电柱光子晶体中引入线缺陷形成耦合波导的结构，利用TE光和TM光的波导耦合长度不同实现TE光和TM光的分光。采用二维光子晶体波导实现偏振分束器的特点是：首先，与现有各类偏振分束器件相比，它可以实现高偏振度、高消光比的偏振分光。其次，器件的尺寸可以做得很小，并与现有的光子晶体器件在结构上兼容，满足集成化的要求。第三，结构非常灵活，可以通过调节耦合区长度或晶格常数，实现波长在3.5到35μm范围内的任意一波长的偏振分光。本发明还介绍了该偏振分束器的设计思路、具体的结构设计以及在此设计思想下所获得的偏振分束器的光学性能等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101221203A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710172700.9
申请日：2007-12-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞薄膜光伏器件有害界面电荷的方法，该方法是利用一束光子能量大于被测器件带隙的超快脉冲激光背照射HgCdTe器件，利用数字示波器测量光伏器件两电极间的瞬态光伏信号与时间的演化关系，根据外电路测量到的界面电荷诱导电场和pn结电场形成的光生电动势在时间维度上被分离，通过对界面电荷诱导电场形成的光生电动势和有冶金pn结内建电场形成的光生电动势的指认，可以较方便地获取对器件光电响应有很大影响的界面电荷的信息。这是一种方便、快速、无损伤的鉴别方法，对于改善器件性能，提高器件稳定性，以及指导人们探索新型器件都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN1996685A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148067.5
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S3/107 , H01S3/08 , H01L31/068 , G02F1/015
Abstract: 本发明公开了一种被动式饱和箝位输出光强连续可调的碲镉汞光限幅器，该光学限幅器包括：一对分布布拉格反射镜形成的F－P光学谐振腔和置于F－P光学谐振腔中间的作为吸收层的HgCdTe光电二极管及施加于HgCdTe光电二极管的直流稳压电源。本发明的优点是：1.由于吸收层采用HgCdTe光电二极管，通过控制施加于HgCdTe光电二极管的反向偏压来达到双光子吸收系数的人为调控；通过F－P光学谐振腔来增大双光子吸收材料的等效吸收长度，从而实现在一定范围内对大功率激光器的输出光强精确连续可调和饱和箝位。2.由于吸收波长可通过HgCdTe材料中Cd组分来调节，因此，这种光学限幅器可以在整个红外光学波段都能实现光学限幅要求。
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公开(公告)号：CN1787234A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510027144.7
申请日：2005-06-24
Applicant: 华东师范大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN1187841C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02136721.3
申请日：2002-08-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提出了一种特别适合于长波与甚长波响应的高量子效率窄带光谱响应的量子阱红外探测器，包括：窄带滤光片，在窄带滤光片的一表面附着厚度为几个微米的量子阱薄层，在量子阱薄层上面还制备有一无序型光栅。其中还公开了各部分的制备过程和相关的工作模式。这类器件结构的优点是：将有效地提高器件的量子效率和工作温度，抑制器件的暗电流和背景光电流，进而大大提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN110224034A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910411818.5
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种具有谐振选频功能的金属微腔红外探测器。探测器通过探测材料的红外吸收特性与微腔结构的谐振选频特性的有机结合，可以实现红外波段的窄带探测以及光谱成像探测。具体来说，通过将红外探测材料置于微腔结构内部，基于微腔结构的共振模式，入射红外光耦合进入微腔后，只有特定波长的光能够在微腔内部形成稳定的谐振模式，进而被探测材料吸收探测，从而实现免滤光或分光的选频窄带探测。器件的探测波长可以随微腔结构尺寸的调整而调整，因此，这种集成了微腔结构的红外探测器同时具有在像元级尺寸上实现波长选择探测的能力。通过不同像元的组合，可以方便地实现具有光谱探测识别能力的焦平面探测器芯片。
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