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公开(公告)号：CN114039201B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202111324626.4
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种分形蝶形太赫兹天线。所述的天线通过类似鱼骨结构一样的天线臂对所捕获的电磁波进行有效的辐射，已达到更好的耦合光波能量。在天线的尖端部位，采用了锥形汇聚沟道，使天线的反射能量得到二次耦合的机会。本发明结构中，采用了引流‑分流‑再汇聚的结构特点。当电磁波初步到达天线表面的时候，第一次通过梯形的天线尾引如第一波能量；当电磁能量进入天线内部的时候，在通过两侧的鱼骨通道分流，增加电流的流通路径；最终通过尖端汇聚到敏感源上。这一发明对于提升太赫兹探测器的探测率和目标识别准确率上有着重要意义，可以提升探测器在太赫兹领域的更高工作频段。
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公开(公告)号：CN106654837B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201611055856.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该发明基于种子光注入放大原理，首先利用两束高功率近红外泵浦光源(1064nm激光器和光学参量振荡器)在硒化镓晶体中实现常规太赫兹波差频辐射，然后在此光路中注入种子太赫兹实现高功率、极窄线宽的太赫兹辐射。本发明具有结构简单，工作可靠，便于操作，相干性好，室温工作，并且能够增强辐射功率、极窄线宽、宽带、可调谐等优点。
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公开(公告)号：CN107068783B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201611055724.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锑化铟太赫兹探测器及制作方法，该探测器由高阻硅镜中心下方粘接的锑化铟探测器和背面镀金介质层，衬底两侧粘接的转接金属片，以及器件管座组成。制作方法包括：在氧化铝衬底上粘接单面抛光锑化铟材料，减薄得锑化铟薄层；使用CVD法在薄层表面生长SiOx钝化膜；通过刻蚀工艺制作敏感元，光刻镀金制作耦合天线，使用环氧胶将器件粘接到硅镜中心；在器件上设置背面镀金介质层，增强敏感元处电场强度；使用导电硅脂实现转接金属片和器件管脚的电学连接，使用树脂片实现管座对硅镜和器件的机械支撑。根据所述方法制作的太赫兹探测器结构紧凑，响应范围可覆盖0.04‑2.5THz，可在室温及适当制冷条件下实现对太赫兹波的高灵敏探测。
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公开(公告)号：CN106784029A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038485.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/08 , G01J1/42
CPC classification number: H01L31/02016 , G01J1/42 , G01J2001/4295 , H01L31/02327 , H01L31/08
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹线列探测装置。该探测装置由八元线列式探测器件、组合聚焦装置、可控温杜瓦单元、前置放大器及读出电路等四部分组成。该线列太赫兹探测装置通过八元铜光锥和聚四氟乙烯透镜组成的聚焦装置会聚入射的太赫兹波；通过平面耦合型碲镉汞探测器件接收太赫兹波并将其转换为电信号，并由前置放大器及读出电路放大并读出；可控温杜瓦单元用于提供合适的工作温度。该种线列探测器件响应范围可覆盖0.03‑4THz，可在近室温及液氮(77‑250K)条件下实现高灵敏度线列扫描式太赫兹探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106707288A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710037294.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统，该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技术，结合太赫兹透镜组准平行发射‑回波聚焦技术，实现远距离目标的太赫兹反射/散射信号主动探测。本发明具有覆盖波段宽，频段兼容性好，结构简单，系统信噪比高，探测距离远，室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN102592983B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210026626.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/306 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。
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公开(公告)号：CN102680112A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142451.X
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种以PCB电路制作的单元热敏器件读出电路，所述电路包括偏置电路，积分放大电路，相关双采样电路。偏置电路为单元热敏器件提供稳定的偏置电压，并将辐射信号转化为电流信号，该电流信号流经积分放大器转化为电压信号，然后被相关双采样电路采集。在信号输出端，相关双采样电路将辐射信号扣除电路噪声后输出。与集成电路上制作的读出电路相比，该PCB电路设计灵活，制作周期短，成本低廉，在对系统体积要求不大的情况下可以代替集成读出电路，作为探测器与红外成像系统的接口电路。同时该电路还可以作为测试电路和前置放大电路，实测单元器件的性能，在新型热敏器件的探索中有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN102650037A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210141224.5
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/36 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O薄膜材料磁控溅射靶材制作方法，主要包括以下步骤：(1)称量锰、钴、镍的醋酸盐粉末。(2)使用醋酸的水溶液将粉体溶解，制备出前驱体溶液。(3)对前驱体溶液进行负压抽滤，滤除其中的少量杂质沉淀。将溶液使装入蒸发皿中，烘干，获得干燥的醋酸盐凝块。(4)将醋酸盐凝块捣碎，使用高温烘箱进行烘烧-研磨-烘烧-球磨过程，得到粒径较小、没有残余有机物的锰氧化物粉末。(5)取适量锰氧化物粉末。加入聚乙烯醇溶液，造粒。放入模具中，压制素胚。(6)分段脱胶，除去素胚中的聚乙烯醇。(7)高温烧结。切割，打磨，抛光，得到所需溅射靶材。
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公开(公告)号：CN118603304A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410629601.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种热敏型线列太赫兹探测器及其制备方法，所述太赫兹探测器从下至上依次包括铜硅底座、宝石衬底、锰钴镍氧热敏元、环氧胶和聚合物衍生陶瓷(Polymer derived ceramic，PDC)吸收膜。本发明结合PDC吸收膜和锰钴镍氧热敏元，实现了器件对0.1‑10THz的宽波段近完美吸收(90％以上)。通过硅材料湿法方法实现下凹型硅金字塔阵列，以其为模版制作聚合物金字塔阵列，通过热解方法制备得到PDC吸收膜，可贡献0.1～10THz的高吸收。本发明结合可有效解决原有锰钴镍氧热敏探测敏感元光吸收弱的问题，实现宽波段太赫兹探测。
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