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公开(公告)号：CN110246914A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910411820.2
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/08 , H01L31/18 , H01Q1/22 , G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种基于锑化铟的刻蚀增强型太赫兹探测器及制备方法，所述探测器由氧化铝衬底，锑化铟敏感元，锑化铟介质超表面结构层，对数螺旋天线和器件管座组成。本发明制备的刻蚀增强型太赫兹探测器，在过去的金属-半导体-金属(MSM)结构基础上，通过引入锑化铟介质超表面结构层，使得锑化铟敏感元上的局域等离子体激元引起的场增强效应进一步增加，起到了增强太赫兹波探测的效果，促使器件的探测率、响应率等性能指标进一步的提高，对于优化器件结构设计和改善器件性能都有着十分重要的意义，可实现室温条件下0.03-3THz的宽波段快速、高灵敏响应，在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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公开(公告)号：CN110044476A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910271495.4
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器,属于光电探测技术领域，该方法利用反铁磁材料在太赫兹波段的反铁磁耦合共振吸收特性，将太赫兹辐射能量转化为自旋波，利用具有强自旋-轨道耦合的非磁金属中逆自旋霍尔效应将自旋波在界面处转化为电荷流，在非磁金属表面两侧电极读出电压信号，从而实现对太赫兹辐射探测。该发明利用了电子自旋属性来实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有零功耗、响应快、易集成、可室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN106395728A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610893671.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: B81B1/00 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
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公开(公告)号：CN117490852A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210874513.X
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽波段红外探测器及其制备方法。本发明在硅衬底上依次构筑介质微桥，镍酸镧导电氧化物底电极，锰钴镍氧金字塔结构表面探测元，锰钴镍氧补偿元，NiCr顶电极和补偿元顶电极，实现了宽波段红外探测。本发明器件设计大大减少了敏感元与空气界面的红外反射损失；结合镍铬吸收层顶电极与镍酸镧吸收层底电极，实现了器件光敏元对0.3‑30μm的宽波段的近完美吸收(90％以上)。本发明有效提高了锰钴镍氧器件宽波段光吸收效率，并可应用于阵列探测器件。
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公开(公告)号：CN106374323B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110672211A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910856628.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米金修饰的非制冷红外探测器及制作方法。通过在氮化硅微桥衬底上依次制备镍铬薄膜底电极，纳米金修饰的锰钴镍氧薄膜，单层石墨烯薄膜顶电极，实现多波段响应的非制冷红外探测。该红外探测器响应波段为0.3-2μm，3-5μm和8-14μm。其中0.3-2μm响应来自锰钴镍材料的吸收，3-5μm的响应来自于3-5μm减反谐振腔及纳米金颗粒吸收，而8-14μm波段吸收来自NiCr下电极。顶底电极结构可使锰钴镍氧探测器相比传统器件电阻减小3个数量级，器件噪声比较传统平面型器件降低1-2个数量级，易于集成。
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公开(公告)号：CN110132426A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910411823.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋-轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该发明利用自旋-轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN106784126A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038641.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115
Abstract: 本发明公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN106374323A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN104934502B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510295806.2
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种可控制硒气压的制备铜铟镓硒薄膜的硒化装置，该硒化装置由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成，其特征在于，石墨盒上除了常规的上盖以外，还在上盖中间开孔，并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖子，通过改变小盖子质量和开孔面积可以调节石墨盒内的硒气压。本发明的优点在于：装置提高了铟镓硒薄膜固态源硒化过程的可控性、稳定性和重复性。
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