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公开(公告)号：CN103646909A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310724017.7
申请日：2013-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L21/02664
Abstract: 本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO2保护层；S2：从所述SiO2保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S3：去除所述SiO2保护层，在所述顶层硅表面外延生长一SiGe层；S4：在所述SiGe层表面形成一Si帽层；S5：将步骤S4获得的结构进行锗浓缩，形成依次包含有背衬底、埋氧层、Ge层、SiO2层的叠层结构；S6：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到GOI结构。本发明利用预先对SOI衬底进行离子注入，然后外延SiGe层并进行锗浓缩，在锗浓缩的退火过程中，顶层硅中注入的离子减弱了Si与SiGe之间的晶格失配，使应力抵消释放，从而降低最后GOI材料的穿透位错密度，获得高质量的GOI结构。
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公开(公告)号：CN105321821B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410328962.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线；所述平板的外端连接于基座；S2：通过干法腐蚀去除所述微结构下方的埋氧层以释放微结构，使得所述平板应力弛豫，中心桥线应力增加。本发明通过弹性变形机制和图形化改变顶层应变半导体层本身的固有应力，使得平板应力弛豫，而中心桥线应力增加，从而实现应力大小及应力区域的调控，在绝缘体上应变半导体材料结构上制备高质量、大应变的应变纳米线，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN105655242A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410675336.8
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法，其中，所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括：提供一铜衬底，在所述铜衬底上形成镍薄膜层；在所述镍薄膜层上选择一特定区域，在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素，以分别形成富N型掺杂元素区和富P型掺杂元素区；对掺杂元素注入后的所述铜衬底进行第一阶段保温，以使所述铜衬底和所述镍薄膜层形成铜镍合金衬底；然后在甲烷环境下进行第二阶段保温，以分别在所述富N型掺杂元素区和所述富P型掺杂元素区得到N型掺杂石墨烯和P型掺杂石墨烯。本发明结合铜和镍的性质，利用离子注入技术，实现了N型和P型掺杂元素的晶格式掺杂，从而得到稳定的掺杂石墨烯结构。
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公开(公告)号：CN105321821A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410328962.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线；所述平板的外端连接于基座；S2：通过干法腐蚀去除所述微结构下方的埋氧层以释放微结构，使得所述平板应力弛豫，中心桥线应力增加。本发明通过弹性变形机制和图形化改变顶层应变半导体层本身的固有应力，使得平板应力弛豫，而中心桥线应力增加，从而实现应力大小及应力区域的调控，在绝缘体上应变半导体材料结构上制备高质量、大应变的应变纳米线，工艺简单高效。
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公开(公告)号：CN104934294A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410100517.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上应变薄膜结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的埋氧层及形成于所述埋氧层上的顶层应变半导体层；所述顶层应变半导体层中形成有预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的至少两条桥线；所述微结构下方的埋氧层被挖空，所述微结构处于悬空状态；所述桥线处于拉伸状态。本发明通过图形化在绝缘体上应变半导体层中形成预设图形微结构，并通过腐蚀去除微结构下方的埋氧层，使得微结构悬空，得到了悬浮条件下顶层应变半导体层的应力分布，从而改变顶层半导体层中微结构本身的固有应力，实现应力的调控。通过切断微结构的部分桥线，可以进一步增加应力，制备得到高质量、大应力的纳米应变薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103985788A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410217764.6
申请日：2014-05-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/08 , H01L31/0352 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1808 , H01L31/0352 , H01L31/1085
Abstract: 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。
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公开(公告)号：CN103820387A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410086554.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种锗基石墨烯的成骨促进用途。锗基石墨烯能够明显促进骨髓间充质干细胞早期的碱性磷酸酶表达及后期的骨钙素表达，具有明显的促进骨髓间充质干细胞向成骨方向分化的能力。可以将锗基石墨烯负载到硬组织植入体表面并植入人体或动物体，提高成骨性能和使用效果，促进植入体与骨头的骨整合，促进新骨头的长出。也可以将锗基石墨烯作为成骨促进成分用于治疗骨缺损药物的制备，或者将锗基石墨烯作为成骨促进成分用于治疗骨质疏松药物的制备。此外，锗基石墨烯中的Ge元素还具有抗癌抗衰老的保健功能。
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公开(公告)号：CN103560157A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310583275.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , B81B3/0072 , B81C1/00666
Abstract: 本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。本发明可以给一定范围内的任意材料施加高张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。
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公开(公告)号：CN106183382B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610535950.3
申请日：2016-07-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种基于可热降解柔性印章的薄膜转印装置与方法。本发明的薄膜转印装置，包括：伺服电机平台系统、衬底微调系统、印章装载系统、旋涂系统和加热板；利用上述装置，将加载在加热板上的聚α‑甲基苯乙烯聚合物作为转移印章，通过全局加热致聚合物热降解，使柔性印章上的薄膜或器件功能层以一种简易、可控的方式剥落至目标衬底，从而将功能单元选择性地转印到目标衬底上。本发明适用于自动化控制的大规模无机柔性可延展电子器件的制备。
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公开(公告)号：CN106183382A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610535950.3
申请日：2016-07-10
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: B41F16/00 , B41M5/38207
Abstract: 本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种基于可热降解柔性印章的薄膜转印装置与方法。本发明的薄膜转印装置，包括：伺服电机平台系统、衬底微调系统、印章装载系统、旋涂系统和加热板；利用上述装置，将加载在加热板上的聚α-甲基苯乙烯聚合物作为转移印章，通过全局加热致聚合物热降解，使柔性印章上的薄膜或器件功能层以一种简易、可控的方式剥落至目标衬底，从而将功能单元选择性地转印到目标衬底上。本发明适用于自动化控制的大规模无机柔性可延展电子器件的制备。
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