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公开(公告)号：CN111595884B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010645524.1
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01N23/2251 , G01N23/2202
Abstract: 本发明公开了一种适用于薄层超晶格材料的扫描电子显微镜检测方法，利用光刻胶回流工艺和干法刻蚀工艺在待测样品表面制备平滑斜面形貌，相比切割、解离方法暴露的剖面结构，平滑斜面形貌不仅可以在材料外延面呈现超晶格薄层结构，而且对薄层结构进行了几何放大；本方法通过光刻胶回流工艺制备的斜面角度θ，能提供1/sin(θ)的超晶格薄层尺寸放大倍数，由于该放大倍数源于材料自身，不损失超晶格薄层结构细节，不依赖扫描电子显微镜设备，因而可以有效提升纳米厚度超晶格薄层的扫描电镜显微图像质量，从而可以有效解决超晶格薄层厚度低于或临近扫描电子显微镜分辨率时超晶格结构显微图像不清晰的问题。
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公开(公告)号：CN107393983B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201710763444.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种含极化调控层的氮化物量子阱红外探测器及其制备方法，该探测器的结构包括下电极接触层、功能层和上电极接触层，功能层由周期性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN/AlzGa1‑zN复合异质结构构成，其中0≤x
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公开(公告)号：CN107257285B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710595957.9
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提出一种基于单光子激励和光学PUF的认证系统，该方法和系统使用激光脉冲衰减的方法制备单光子源，利用高速DMD数字微镜对入射光波前进行高速编码，将编码后的光照射到随机介质构成的光学PUF钥匙上产生散斑响应，利用sCMOS相机、EMCCD相机或EBCCD相机采集散斑图样，利用散斑信息进行PUF钥匙的注册和认证。本发明利用了单光子的量子不可克隆性和随机介质PUF钥匙的不可复制性，从物理上保证了认证过程的安全性，利用了窄带带通滤光片对环境光进行滤波，降低了环境光的影响，在安全领域具有极好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106847933B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201710029191.8
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种单片集成紫外‑红外双色雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、本征倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层；周期性异质结构吸收层由两种材料交替生长而成，沿材料生长方向上形成量子限制效应，导带内子带能级间跃迁对应于红外光子的吸收，价带到导带的带间跃迁对应于紫外光子的吸收。吸收层内产生的光生电子均可以迁移到本征倍增层中发生碰撞离化，同时实现双波段的雪崩探测。
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公开(公告)号：CN114580032A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210204286.X
申请日：2022-03-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Inventor： 李倩
IPC: G06F21/73
Abstract: 本申请公开了一种基于原子缺陷单光子发射的量子物理不可克隆函数，包括宽禁带半导体薄膜，宽禁带半导体薄膜中随机分布有不同种类的原子缺陷，且宽禁带半导体薄膜为晶体结构；其中，原子缺陷受到激发光的照射时产生单光子，不同种类的原子缺陷发光不同，同一种原子缺陷在不同晶体环境中与周围原子的作用力不同，使产生的单光子的发射波长、荧光寿命和偏振态不同，发射波长、荧光寿命、偏振态和原子缺陷的深度作为量子物理不可克隆函数的编码维度。本申请中的量子物理不可克隆函数可以产生量子物理不可克隆函数，量子物理不可克隆函数的复制难度达到了原子级，具有极高的安全性。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112635615A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011351362.7
申请日：2020-11-26
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0304 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了具有多吸收量子阱的光伏型氮化物子带跃迁红外探测器，该器件核心结构包括下电极接触层、有源层和上电极接触层。在单个周期的有源层中，吸收区由多个量子阱构成，输运区由耦合的多量子阱结构或体材料构成。器件工作时在吸收区中产生的光生电子进入输运区后在非对称电场的作用下可以自发迁移到下一个周期吸收区的基态能级上，在接下来的周期中重复上述过程，最终实现光‑电信号的转换。相比于传统的量子级联红外探测器，本发明提出器件吸收区采用了多个量子阱的结构，一方面单个周期的有源层对红外光子的吸收效率能大大增加，另一方面在器件设计时可以减少有源层周期数，实现器件响应度的提升和材料生长难度的降低。
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公开(公告)号：CN108417486B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201810204935.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于衬底的电路依次包括衬底及第一层金属，所述基于垂直电极的GaN基SBD器件从下至上依次包括第二层金属、第一层介质层、GaN缓冲层、n+GaN层、n‑GaN层、第三层金属、第二层介质层及第四层金属；还公开了GaN基SBD变频电路的制作方法，本发明通过结构和技术创新让第三代宽禁带半导体GaN和金刚石材料的优势得到充分利用和整合，用于实现高功率、高温度可靠性的高性能变频电路。
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公开(公告)号：CN109052311A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810736716.6
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00404
Abstract: 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件，可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻，降低由电极接触带来的器件损耗，提升器件性能和稳定性；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN105404916B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510951087.5
申请日：2015-12-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G06K19/073 , G06K19/06 , G06K19/02
Abstract: 本发明公开了一种新型防窥探发光示警光学PUF，其结构包括衬底，生长在衬底上的光学PUF介质层，可嵌埋在衬底或光学PUF介质层中的长余辉发光材料，以及将衬底、光学PUF介质层和长余辉发光材料封装在内部的不透明盒子；本发明通过在常规光学PUF结构中加入的长余辉发光材料，经过光源短时间照射关闭光源之后，仍能在很长时间内持续发光，利用发光作为判断PUF是否被窥探过的依据，从而使得PUF具有防窥探发光示警功能，解决了普通光学PUF不能判断光学PUF是否被敌方窥探过激励‑响应对的缺陷；该光学PUF具有防窥探发光示警功能，保证了光学PUF的安全性，具有真正的实用性，可广泛应用于量子认证与量子密钥分配中。
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公开(公告)号：CN105404912B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201510951090.7
申请日：2015-12-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G06K19/06
Abstract: 本发明公开了一种可重构并防窥探的光学PUF，包括衬底、生长于衬底上的介质纳米颗粒层以及在介质纳米颗粒层中随机掺杂的不同粒径的金属纳米粒子；本发明采用在介质纳米粒子散射层中掺杂了不同粒径的金属纳米粒子，利用不同尺寸金属纳米粒子对光的吸收选择性，使得光学PUF对于入射激光的波长极其敏感；当正常操作使用特定波长激励时，光学PUF会产生强散射形成特定散斑图，用于身份认证；在使用特定波长以外的激光时，光学PUF中包含的金属纳米粒子会发生熔化，不可逆地损坏PUF的微观结构，从而对PUF的散斑响应产生显著影响；因此，本发明在获得物理不可克隆特性的同时，可以有效防止恶意窥探，并具有微观结构可重构的特性。
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