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公开(公告)号：CN101820720A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010132922.X
申请日：2010-03-24
Applicant: 中国地质大学(北京)
CPC classification number: Y02E30/126
Abstract: 一种软磁壳强电磁场增强电感耦合等离子体发生装置，主要由射频感应线圈4、带有内环形间隙的软磁壳5、产生约束磁场的激磁铜线圈6、进气管道1、外壳2、工件台3、真空获得系统7、真空测量系统和控制系统等组成，带有内环形间隙的软磁壳5可使产生约束磁场的激磁铜线圈6激磁产生的磁力线集中在软磁壳5内环形间隙附近，等离子体发生器中心区域的磁感应强度显著增强，大大延长带电粒子的运动轨迹，明显增加带电粒子与气体分子的碰撞次数，从而可以在较低的气压下获得高密度的等离子体、提高等离子体密度和改善等离子体的分布。
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公开(公告)号：CN101609735A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910089459.2
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热解有机前驱体在镀有金属催化剂的基片上合成Si3N4/SiO2同轴纳米电缆阵列。含有步骤(1)高含氮量的聚硅氮烷在160－300℃下的低温交联固化，得到半透明的非晶SiCN固体；(2)交联固化后的非晶SiCN固体在高耐磨器具中的高能球磨、粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在含有一定量氧气的载气保护下的高温热解、蒸发，并在镀有金属催化剂薄膜的基片上沉积得到所述的结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得Si3N4/SiO2同轴纳米电缆生长有序，产量大、密度高、纯度高且直径分布均匀。所合成的同轴纳米电缆结构在原子力显微镜、近场光学显微镜、纳米力学探针和新型纳米复合材料增强剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114487083A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210065335.6
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明属于磁性吸附材料技术领域，具体涉及一种磁性羟基纳米材料Fe3O4@COFs，并进一步公开其用于制备磺胺质谱检测探针的用途。本发明所述磁性羟基纳米材料Fe3O4@COFs，是以单分散Fe3O4纳米颗粒为核，以TAPB和DHTP为单体，在室温下快速合成了富含羟基的核‑壳结构磁性共价有机骨架纳米球。所述Fe3O4@COFs纳米材料具有平均孔径分布、高磁化强度、高比表面积和良好的化学稳定性、光学吸收性等优点，其丰富的羟基，可以和磺胺类抗生素分子的氨基形成氢键，COFs表面和磺胺的苯环形成π‑π共轭作用力，磁核能够实现样品的快速分离，是快速富集分离磺胺的吸附剂，同时作为基质辅助激光解析离子化质谱分析的基质，测量磺胺低分子目标物时有较低的背景干扰，能有效吸收激光的能量并促进目标物电离，使其成为一种理想的MALDI基质材料。
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公开(公告)号：CN111948266B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202010833703.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01N27/30 , G01N27/333 , G01N27/48 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供了一种自支撑硼掺杂金刚石电化学传感器及制备方法和应用。该自支撑硼掺杂金刚石电化学传感器的制备方法包括如下步骤：1)以纳米金刚石粉为种晶籽料，均匀铺在预处理后的金属基材的表面，机械研磨后得到种晶后的金属基材；2)将所述种晶后的金属基材利用热丝化学气相沉积技术进行镀膜；其中，在金刚石形核阶段，以甲烷为碳源，氢气为刻蚀气体；在金刚石生长阶段，以乙醇为碳源，硼酸三甲酯为硼源；3)脱膜后封装，即得。本发明提供的自支撑硼掺杂金刚石电化学传感器可以满足在线监测系统对传感器提出的精准长效检测要求，有效克服了BDD薄膜传感器工作寿命短的缺点，具有在线监测水体中重金属离子，尤其是Pb2+的应用潜力。
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公开(公告)号：CN107365959B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201710445413.4
申请日：2017-06-14
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明公开了一种在硬质合金上原位生长石墨烯传感器基质的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金表面磁控溅射沉积非晶SiC薄膜，利用真空退火在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质。所述方法能够在硬质合金表面原位生长空间钻探所需的石墨烯传感器基质，克服了传统传感器灵敏度低、寿命短，易衰减等缺陷，为空间钻探用石墨烯复合传感器提供了新的合成方法，为金属催化SiC合成石墨烯研究和应用提供了新的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105044138B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510526083.2
申请日：2015-08-25
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01N23/207
Abstract: 公开了一种三维X射线衍射测试方法，该方法以X射线单次测量实现对称性纳米样品三维成像，并且适用于测量由具有对称外形的纳米晶体构成的薄膜。在该方法中，利用含有NH4F和EDTA二钠盐的氢氟酸溶液腐蚀样品架毛坯表面，同时利用有效的粘结剂将单晶样品架与金属片进行复合，获得X射线衍射样品架，可大幅降低X射线衍射测试中的基底背景干扰，另外高效粘合剂的使用能够有效地改善样品架韧性，克服容易脆裂的缺点，显著延长其使用寿命。
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公开(公告)号：CN106248325A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610544489.8
申请日：2016-07-12
Applicant: 中国地质大学(北京)
CPC classification number: G01M5/0033 , G01N19/02
Abstract: 本发明公开了一种液态介质下特种钻探部件磨损检测方法及检测设备。所述检测方法包括以下步骤：1）以典型部件为检测对象改装现有实验机，设计保证液态工况模拟的机构，对设计机构进行强度校核及结构优化；2）以影响部件的磨损因素为依据设计磨损实验并阐明磨损原因；3）根据磨损原因提出解决方案。所述检测设备由液态环境检测机构和旋转检测台组成，所述旋转检测台是现有设备；所述液态环境检测机构是新设计的设备，包括上盖、套筒及工作台；所述检测机构通过所述工作台连接于所述旋转检测台上。通过使用所述方法及设备，可以有效地实现液态环境磨损检测、分析磨损机理和影响因素并制定针对性的解决办法，降低特种钻探部件失效几率。
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公开(公告)号：CN105044138A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510526083.2
申请日：2015-08-25
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: G01N23/207
Abstract: 公开了一种三维X射线衍射测试方法，该方法以X射线单次测量实现对称性纳米样品三维成像，并且适用于测量由具有对称外形的纳米晶体构成的薄膜。在该方法中，利用含有NH4F和EDTA二钠盐的氢氟酸溶液腐蚀样品架毛坯表面，同时利用有效的粘结剂将单晶样品架与金属片进行复合，获得X射线衍射样品架，可大幅降低X射线衍射测试中的基底背景干扰，另外高效粘合剂的使用能够有效地改善样品架韧性，克服容易脆裂的缺点，显著延长其使用寿命。
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公开(公告)号：CN101603207B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910089460.5
申请日：2009-07-21
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。所述材料为高纯度的网络状分枝α-氮化硅纳米结构。本发明采用热解有机前驱体方法在镀有金属催化剂的基片上合成网络状分枝氮化硅单晶纳米结构。含有步骤：(1)高含硅氮含量聚硅氮烷在160-300℃下的低温交联固化；(2)交联固化后的非晶固体在高耐磨器具中高能球磨粉碎；(3)高能球磨后得到的前驱体粉末在保护气氛下的快速高温热解、蒸发和在镀有金属催化剂薄膜的基片上的沉积。所述方法，蒸发源组成可控且可调，工艺和设备简单、成本低廉，所得网络状分枝结构产量大、纯度高，可用作高性能纳米复合材料中的增强增韧剂，同时还可于制作纳电子器件。
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公开(公告)号：CN101823875A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010150432.2
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及一种适用于高压涌流下工作电器使用的氧化锌压敏电阻材料及其制备方法，属于电子陶瓷制备及应用技术领域。所述材料的组分及含量包括ZnO 70～98mol％、Pr6O11 0.1～20mol％、氧化钴(Co3O4或CoO)0.01～25mol％、Cr2O3 0.01～25mol％、ZrO2 0.01～30mol％、TiO2 0～5mol％。所述材料制备方法依次包括“混料、高能球磨、烘干、研磨过筛、模压成型、烧结和被银”工艺步骤。用上述材料和制备方法所制得的氧化锌压敏电阻片，其电位梯度E(电流密度为1mA/cm2时对应的电位梯度值)为500～2500V/mm，非线性系数α[根据公式α＝1/log(E10mA/E1mA)计算]为10～50，漏电流IL(75％E所对应的电流密度值)为5～50μA/cm2，综合性能优良。特别适用于高压避雷器等高压涌流下工作的电器使用。本发明也可用于家用电器等领域。
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