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公开(公告)号：CN102152233B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110049840.3
申请日：2007-08-16
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C08G18/79 , H01L21/304 , C08G101/00
CPC classification number: B24B37/24 , B24B29/00 , B24D3/26 , B24D3/32 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G18/7831 , C08G18/3814 , C08G18/792
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在吸湿或吸水时可以高度地维持尺寸稳定性的抛光垫及其制造方法。其中，抛光垫的特征在于，具有由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，所述聚氨酯发泡体含有异氰酸酯封端的预聚物、多聚二异氰酸酯与增链剂的反应固化物，其中，所述异氰酸酯封端的预聚物含有异氰酸酯单体、高分子量多元醇及低分子量多元醇。
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公开(公告)号：CN101448607B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780017994.6
申请日：2007-05-15
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良的抛光垫。另外，本发明的目的在于提供包括使用该抛光垫对半导体晶片的表面进行抛光的工序的半导体器件制造方法。一种抛光垫，具有包含抛光区域和光透过区域的抛光层，其特征在于，所述光透过区域由芳环浓度为2重量％以下的聚氨酯树脂形成，并且所述光透过区域的光透过率在波长300～400nm的整个范围内为30％以上。
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公开(公告)号：CN102152233A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110049840.3
申请日：2007-08-16
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/00 , C08G18/79 , H01L21/304 , C08G101/00
CPC classification number: B24B37/24 , B24B29/00 , B24D3/26 , B24D3/32 , C08G18/10 , C08G18/14 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/724 , C08G18/7831 , C08G18/3814 , C08G18/792
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种在吸湿或吸水时可以高度地维持尺寸稳定性的抛光垫及其制造方法。其中，抛光垫的特征在于，具有由具有微小气泡的聚氨酯发泡体构成的抛光层，所述聚氨酯发泡体含有异氰酸酯封端的预聚物、多聚二异氰酸酯与增链剂的反应固化物，其中，所述异氰酸酯封端的预聚物含有异氰酸酯单体、高分子量多元醇及低分子量多元醇。
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公开(公告)号：CN101443157B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200780017751.2
申请日：2007-05-15
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良、并且可以防止抛光区域和光透过区域之间浆料漏出的抛光垫。一种抛光垫，在由抛光区域和光透过区域构成的抛光层的单面上至少层压透明支撑膜，其特征在于，至少包含光透过区域和透明支撑膜的光学检测区域的光透过率在波长300～400nm的整个范围内为40％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100540221C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710148747.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101443157A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780017751.2
申请日：2007-05-15
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/205
Abstract: 本发明的目的在于提供在宽波长范围(特别是短波长侧)内光学检测精度优良、并且可以防止抛光区域和光透过区域之间浆料漏出的抛光垫。一种抛光垫，在由抛光区域和光透过区域构成的抛光层的单面上至少层压透明支撑膜，其特征在于，至少包含光透过区域和透明支撑膜的光学检测区域的光透过率在波长300～400nm的整个范围内为40％以上。
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公开(公告)号：CN101148031A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710148746.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101148030A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710148745.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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公开(公告)号：CN101130234A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710148751.8
申请日：2002-10-03
Applicant: 东洋橡胶工业株式会社
IPC: B24B37/04 , B24D3/20 , B24D13/00 , B24D18/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨垫，通过该研磨垫可以稳定且高研磨效率地将透镜、反射镜等的光学材料、或硅晶片、硬盘用的玻璃基片、铝基片、以及一般的金属研磨加工等的要求高度表面平坦性的材料平坦化。本发明还提供半导体晶片用研磨垫，其平坦化特性优良，划痕的发生少并且可以低成本制造。还提供无脱夹误差从而不仅不损害晶片也不降低作业效率的研磨垫。还提供平坦性、晶片内均匀性、和研磨速度令人满意、并且研磨速度变化小的研磨垫。还提供可以同时获得平坦性提高和划痕减少的研磨垫。
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