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公开(公告)号：CN1424768A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN03112625.1
申请日：2003-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种内置保护P型高压金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底的上方设有N型外延接触孔、源、漏、场氧化层和多晶栅，在多晶栅的下方有栅氧化层，在N型外延接触孔、源、漏、场氧化层及多晶栅的上方有氧化层，在漏和场氧化层的下方设有P型漂移区，在N型外延接触孔及源上设有铝引线、在多晶栅和漏上分别设有铝引线，在N型外延接触孔、源及P型漂移区与P型衬底之间设有N型杂质区，位于多晶栅的末端下方并在场氧化层的下面设有N型保护阱且该N型保护阱位于P型漂移区内。本发明引入了N型保护阱，N型保护阱可以增大多晶栅末端的电场曲率半径、降低由于多晶栅末端电位突变引起的电场聚集，从而提高了器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN100547792C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710133266.3
申请日：2007-09-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构及制备方法，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压-P型横向金属氧化物半导体管、高压-N型横向金属氧化物半导体管及低压-互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压-P型横向金属氧化物半导体管、高压-N型横向金属氧化物半导体管及低压-互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本发明结构及制备方法，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。
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公开(公告)号：CN100485966C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610041322.6
申请日：2006-08-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。
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公开(公告)号：CN101217162A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810019332.9
申请日：2008-01-04
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种高压N型金属氧化物半导体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱上设有P型接触孔、N型源及场氧化层，在N型漂移区上设有N型漏及场氧化层，其特征在于位于P型阱上方的栅氧化层部分的厚度小于位于N型漂移区上方的栅氧化层部分并由此分别形成薄栅氧化层和厚薄栅氧化层，在P型阱内设有P型杂质注入区且该P型杂质注入区位于薄栅氧化层的下面。本发明还公开了高压N型金属氧化物半导体管的制备方法。本发明有益效果在于大幅降低了鸟嘴区域热载流子注入现象，提高了器件整体寿命；保证器件开启电压、饱和电流等基本电特性和普通结构器件保持一致；具有较好的兼容性。
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公开(公告)号：CN1996616A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610098372.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种厚栅高压P型金属氧化物半导体管及其制备方法，本发明的半导体管包括：P型衬底，N型埋层，N型外延层，N型阱和P型漂移区，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层；P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，P型源及N型接触孔上连有金属引线，P型漏上连有金属引线，N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。其制备方法为选择P型衬底，制作N型埋层，N型外延层，P型漂移区和N型阱，P型阱，场氧化层，然后多晶硅栅的生长、刻蚀，源、漏区，引线孔，铝引线的制备及钝化处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1996599A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610098373.2
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/04
Abstract: 本发明公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。本发明能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。
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公开(公告)号：CN1976057A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610041322.6
申请日：2006-08-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。
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公开(公告)号：CN1763972A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510094031.9
申请日：2005-08-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种用作高压器件的三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有氧化层，在氧化层上设有柱状P型漂移区，在氧化层上且位于P型漂移区两端分别相邻设置P型漏和P沟道，在氧化层上且位于与P沟道相邻的位置设有P型源，在P型漂移区的表面包覆有场氧化层，在P沟道的表面包覆有栅氧层，在场氧化层和栅氧层的表面包覆有多晶硅层；本发明具有结构紧凑且能与标准SOI金属氧化物半导体工艺相兼容，在相同的击穿电压下，导通电阻小于传统的高压横向双扩散金属氧化物半导体管的三分之一，而电流密度增加2倍以上等优点。
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公开(公告)号：CN1487595A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN02138394.4
申请日：2002-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种高压N型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在源下方设有P型阱，在P型阱上设有P型阱接触孔，P型阱、漏和场氧设在P型衬底上，源连接有场极板。本发明引入了场极板且场极板与源相连，场极板即与地相接，从而获得低电压，而极板上的电压越低，由于场极板的作用而在硅表面形成的耗尽区越大，故其削弱表面峰值电场效果越好，从而提高其击穿电压。
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公开(公告)号：CN200997402Y
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200620165095.3
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开一种兼容性好且能够降低工艺成本的厚栅高压P型金属氧化物半导体管；包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型埋层，在N型埋层上设有N型外延层，在N型外延层上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱上设有P型源和N型接触孔，在P型漂移区内设有P型漏，在P型源、N型接触孔、N型阱、N型埋层、P型漂移区及P型漏的上方设有氧化层，在P型源及N型接触孔上连接有金属引线，在P型漏上连接有金属引线，在N型阱、P型漂移区、N型外延层与氧化层之间设有场氧化层，该场氧化层自P型源延续至P型漏，在氧化层内设有多晶硅栅且该多晶硅栅位于场氧化层的上方，在多晶硅栅上连接有金属引线。
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