公开(公告)号：CN1804114B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200510092786.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社堀场制作所

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  远藤笃史 ,  梅木诚 ,  西村克美 ,  南雅和 ,  吉田诚

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置和该装置的使用方法，它能够以最佳的清洁时间进行清洁。本发明的半导体处理用的成膜装置，包括：清洁气体供给系统(17)、浓度测定部(27)、以及信息处理部(102)。清洁气体供给系统(17)向反应室内供给，从反应室(2)的内面去除来源于成膜气体的副生成物膜的用于清洁处理的清洁气体。浓度测定部(27)设置在排气系统(GE)，用于监控从反应室(2)排出的排出气体所包含的预定成分的浓度。信息处理部(102)比较在浓度测定部(27)获得的测定值和预设定值，决定清洁处理的结束点。

公开(公告)号：CN300748574D

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200730007769.7

申请日：2007-04-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 井上久司 ,  远藤笃史

Abstract: 本外观设计产品整体透明，内部可见。