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公开(公告)号：CN112309817A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010716759.5
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视使用金属窗的电感耦合型的等离子体处理装置中等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：主体容器；一个或多个高频天线，所述一个或多个高频天线用于使所述主体容器的内部的等离子体生成区域产生电感耦合等离子体；多个金属窗，所述多个金属窗配置于所述等离子体生成区域与所述高频天线之间，所述多个金属窗与所述主体容器绝缘，并且所述多个金属窗彼此绝缘；以及等离子体检测部，其与所述多个金属窗的各个金属窗连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号：CN108735568B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810330050.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种等离子体处理装置和控制方法，目的在于监视等离子体的分布。该等离子体处理装置具有：多个气体供给喷嘴，其设置于处理容器的壁面，朝向该处理容器的径向内侧供给处理气体；N个微波导入模块，其沿所述处理容器的顶板的周向配置，将用于生成等离子体的微波导入到该处理容器内；以及传感器，在所述处理容器的壁面上设置有N或N的倍数个所述传感器，所述传感器监视在所述处理容器内生成的等离子体的电子密度Ne和电子温度Te中的至少一方，其中，N≥2。
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公开(公告)号：CN105531800A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050227.5
申请日：2014-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J2237/332 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生用天线，该等离子体产生用天线包括向处理容器内供给第1气体和第2气体的喷淋板，利用由于微波的供给而形成于该喷淋板表面的表面波形成等离子体而对基板进行处理，其中，具有从喷淋板的下端面向下方突出的导电体的垂下构件，该垂下构件的外侧面从上端部朝向下端部向外侧扩展，喷淋板具有多个第1气体供给口和多个第2气体供给口，第1气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠内侧的位置，第2气体供给口配置于比垂下构件的外侧面靠外侧的位置。
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公开(公告)号：CN103227089A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310039655.5
申请日：2013-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32027 , H01J37/32192 , H01J37/32293 , H01L21/3065 , H05H2001/4615
Abstract: 本发明提供一种即便在微波的投入电力低的情况下、压力高的情况下也能够确保所期望的表面波等离子体的直径的微波放射机构和表面波等离子体处理装置。微波放射机构（43）包括：传送微波的传送路径（44）；将从微波传送路径（44）传送来的微波经由缝隙（81a）放射到腔室（1）内的天线（81）；使从天线（81）放射的微波透过，在其表面形成表面波的电介质部件（110b）；和对由表面波生成表面波等离子体的等离子体生成区域施加正的直流电压的直流电压施加部件（112），直流电压施加部件（112）对上述等离子体生成区域施加正的直流电压，使得表面波等离子体扩散。
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公开(公告)号：CN102027575B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980117362.6
申请日：2009-08-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 池田太郎
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32256
Abstract: 微波导入机构(43)具备：天线部(45)，其具有将微波向腔室(1)内放射的平面天线(54)；同轴管(50)，其与平面天线(54)连接，向平面天线(54)引导微波；调谐器部(44)，其设置在同轴管(50)上，进行阻抗匹配，平面天线(54)在其面上具有以λg/4+δ的整数倍的间隔同心地描画出了多个假想圆的情况下，在各假想圆上以相同的长度均等地形成了n个(n为2以上的整数)的形成为圆弧状的多个槽(54a)，上述多个槽形成n个群，属于各群的槽具有相互相同的中心角以及角度位置并沿半径方向排列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101978794A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109245.5
申请日：2009-03-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01P5/02
CPC classification number: H01P5/12 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46
Abstract: 一种电力合成器(100)，其包括形成筒状的本体容器(1)、设置于本体容器(1)的侧面的、将电力作为电磁波导入的多个电力导入端(2)、分别设置于多个电力导入端(2)的多个供电天线(6)、将从多个供电天线(6)放射到本体容器(1)内的电磁波进行空间合成的合成部(10)、输出由合成部(10)合成后的电磁波的输出端(11)，供电天线(6)具有天线本体(23)和反射部(24)，所述天线本体(23)具有从电力导入端(2)供给电磁波的第一极(21)以及放射所供给的电磁波的第二极(22)，所述反射部(24)设置为从天线本体(23)向侧面突出，以反射使电磁波发生。
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公开(公告)号：CN101421825A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012765.5
申请日：2007-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/14
CPC classification number: C23C14/046 , H01J37/321 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883
Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。
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公开(公告)号：CN100388434C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380110150.8
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32431 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , Y10T279/23
Abstract: 半导体处理用的基板保持结构(50)包括配置在处理室(20)内的、放置被处理基板(W)的放置台(51)。在放置台(51)内形成收容作为热交换介质而使用的流体的温度调节空间(507)。为了将高频电力导入放置台(51)而配置导电性传送路径(502)。在传送路径(502)内形成有相对温度调节空间(507)进行热交换介质流体的供给或者排出的流路(505、506)。
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公开(公告)号：CN112735934B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202011131045.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法，具有以下工序：从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测；基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据，来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布；以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布，来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
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公开(公告)号：CN113871281B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110689591.8
申请日：2021-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在气体供给管从构成喷淋头的上部电极的中央向上方延伸的等离子体处理装置中，提高通过电磁波在腔室内生成的等离子体的密度的分布的均匀性。公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、喷淋头、气体供给管、导入部以及电磁波的供给路。喷淋头由金属形成，设置于基板支承部的上方，提供朝向腔室内的空间开口的多个气体孔。气体供给管由金属形成，在腔室的上方沿铅垂方向延伸，并与喷淋头的上部中央连接。导入部由电介质制成，并沿喷淋头的外周设置，以将电磁波从该导入部导入腔室内。供给路包括与气体供给管的环状的凸缘部连接的导体。
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