-
公开(公告)号：CN117219504A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310648290.X
申请日：2023-06-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/302
Abstract: 提供改进蚀刻选择比的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包含：(a)向腔室内提供具有蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的掩模的基板的工序，掩模包含从由钨、钼、钌、钛、铟、镓以及锌构成的组中选择的至少一种金属；以及(b)使用由包含氟化氢气体的处理气体生成的等离子体对蚀刻对象膜进行蚀刻的工序。还提供一种等离子体处理系统。
-
公开(公告)号：CN117133648A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310552773.X
申请日：2023-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，即使在蚀刻的中间阶段以后也能够抑制不均匀的CD(Critical Dimension：关键尺寸)扩大区域的产生的。基板处理方法是基板处理装置中的基板处理方法，基板处理装置具备：腔室；基板支承部，其构成为在腔室内支承基板；上部电极，其与基板的中心相向；以及多个电磁体，所述多个电磁体相对于上部电极的中心辐射状地进行配置，所述基板处理方法包括以下工序：选择出蚀刻中的多个电磁体的极性变更模式；以及从供给到腔室内的处理气体生成等离子体，并基于极性变更模式对基板进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN116997997A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021687.X
申请日：2022-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种使用基板处理装置进行的基板的蚀刻方法，所述基板处理装置具备：处理腔室，其形成所述基板的处理空间；基板支承体，其设置于所述处理腔室的内部，用于保持所述基板；以及电源，其至少向所述基板支承体供给偏压电力，所述蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，将具有基底层和所述基底层上的有机材料层的所述基板提供到所述基板支承体上；工序(b)，在所述处理腔室内生成等离子体；以及工序(c)，以规定的周期重复对所述基板支承体的偏压电力的供给和停止，其中，在所述工序(c)中，将所述周期中的不供给所述偏压电力的断开时间设为10毫秒以上。
-
公开(公告)号：CN116805578A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310255655.2
申请日：2023-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理系统，提高相对于掩模的选择比。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在腔室内，从处理气体生成等离子体来对含硅膜进行蚀刻，所述处理气体包含PClaFb气体或PCcHdFe气体、以及HF气体，其中，a和b分别为1以上的整数，c为0以上的整数，d和e分别为1以上的整数。
-
公开(公告)号：CN115943481A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180052467.9
申请日：2021-05-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内的基板支撑器上准备具有电介质膜的基板的工序；和由包含HF气体和选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体以及C3H2F6气体中的至少1种CxHyFz气体的反应气体生成等离子体，对电介质膜进行蚀刻的工序，在进行蚀刻的工序中，将基板支撑器的温度设定为0℃以下，HF气体的流量比所述CxHyFz气体的流量多。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114792626A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210055438.4
申请日：2022-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法、部件处理方法以及基板处理装置，能够去除存在于基板或部件的表面的物质。提供一种用于对配置在基板处理装置的腔室内的基板支承部上的基板进行处理的基板处理方法。该基板处理方法包括以下工序：工序(a)，向所述腔室内供给包含氟化氢气体的处理气体；工序(b)，将基板支承部的温度控制为第一温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第一压力；以及工序(c)，将基板支承部的温度控制为第二温度，并将腔室内的氟化氢气体的压力控制为第二压力。在横轴为温度且纵轴为压力的曲线图中，第一温度和第一压力位于比氟化氢的吸附平衡压曲线靠上的第一区域，第二温度和第二压力位于比吸附平衡压曲线靠下的第二区域。
-
公开(公告)号：CN112908844A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011238186.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增加，并且利用来自等离子体的化学种或其他化学种，由前体层形成保护区域。执行分别包含形成前体层的步骤和蚀刻膜的步骤的多个循环。至少一个循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度和至少一个其他循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度，被设定为彼此不同的温度。根据本发明，能够提供保护膜的侧壁面并且在形成于膜的开口的深度方向上控制该开口的宽度的技术。
-
公开(公告)号：CN112838004A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011284490.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本申请涉及蚀刻方法以及蚀刻装置，改善通过蚀刻形成的图案的形状或形状在基板面内的均匀性。蚀刻方法包括：工序a)、工序b)、工序c)、工序d)以及工序e)。工序a)是将具有被蚀刻膜的基板提供至载置台上的工序。工序b)是对被蚀刻膜进行局部蚀刻而形成凹部的工序。工序c)是将载置台的温度设定为第一温度，在凹部的侧壁形成具有第一膜厚分布的第一膜的工序。工序d)是进一步对形成有第一膜的被蚀刻膜进行局部蚀刻的工序。工序e)是将载置台的温度设定为与第一温度不同的第二温度，在凹部的侧壁形成具有与第一膜厚分布不同的第二膜厚分布的第二膜的工序。
-
公开(公告)号：CN111326413A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010276188.8
申请日：2014-05-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/033 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。一种等离子体蚀刻方法，其对包含蚀刻对象膜和被图案化的掩模的被处理体进行等离子体蚀刻，所述方法具有：第1工序：使用前述掩模对前述蚀刻对象膜进行等离子体蚀刻；和第2工序：利用含硅气体的等离子体使含硅膜沉积在通过前述第1工序蚀刻了的前述蚀刻对象膜的侧壁部的至少一部分沉积含硅膜。
-
公开(公告)号：CN107078050B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201580060311.X
申请日：2015-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522 , H05H1/46
Abstract: 一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.038 seconds)
