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公开(公告)号：CN103805947A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310552626.9
申请日：2013-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明能够避免相邻的蒸镀头彼此的蒸气的混入并且抑制排气效率的降低。本发明的成膜装置具备处理容器、搬运机构、多个蒸镀头、分隔壁和排气机构。处理容器区划出用于处理基板的处理室。搬运机构在处理室中，在沿着规定方向延伸的搬运路径上搬运基板。多个蒸镀头沿着规定方向配置于处理室，向由搬运机构在搬运路径上搬运的基板的成膜面喷射含有蒸镀材料的蒸气的气体。排气机构经由设置于各收纳室的排气口与各收纳室连接，对蒸镀头的周围进行排气。
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公开(公告)号：CN119340188A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411459225.3
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN119092391A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411208809.3
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。在一个例示的实施方式的等离子体处理方法中，包括在第一期间中在腔室内执行第一等离子体处理的步骤和在第二期间中在腔室内执行第二等离子体处理的步骤的处理顺序被多次进行，在第二期间内第一高频功率被供给到基片支承台的下部电极，在第一期间内停止对下部电极供给第一高频功率，在第二期间内的第一高频功率的各周期内作为脉冲状的高频功率供给等离子体生成用的第二高频功率，第二高频功率具有比第一高频功率的频率高的频率。本发明能够设定蚀刻中使用的离子的能量。
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公开(公告)号：CN118197893A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410297503.3
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H05H1/24
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置中使用的RF系统。在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到下部电极。在第一期间内的第一高频功率的各周期内的第一部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给用于产生等离子体的第二高频功率。在第二期间内的第一高频功率的各周期内的第二部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给第二高频功率。由此，能够快速地改变去往基片支承台的离子的能量。
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公开(公告)号：CN111837222B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980017894.6
申请日：2019-06-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到下部电极。在第一期间内的第一高频功率的各周期内的第一部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给用于产生等离子体的第二高频功率。在第二期间内的第一高频功率的各周期内的第二部分期间内，能够以脉冲状的高频功率来供给第二高频功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116844934A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310809321.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
Abstract: 在例示性实施方式的等离子体处理装置中，高频电源产生高频电力，以生成等离子体。偏置电源对下部电极周期性施加脉冲状的负极性的直流电压，以将离子引入基板支撑器。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压未施加到下部电极的期间，作为一个以上的脉冲供应高频电力。高频电源在脉冲状的负极性的直流电压施加到下部电极的期间，停止供应高频电力。一个以上的脉冲中的每一个具有从其开始时刻到其峰值出现的时刻为止逐渐增加的功率级。
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公开(公告)号：CN110323121B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910738763.9
申请日：2016-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 久保田绅治
IPC: H01J37/32
Abstract: 等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。
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公开(公告)号：CN109767967B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811317768.6
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
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公开(公告)号：CN111886935A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980017588.2
申请日：2019-06-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
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公开(公告)号：CN111819664A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017608.6
申请日：2019-07-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取绝对值小于所述第一电压值的第二电压值的第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，在与所述偏置功率的高频周期同步的信号的各周期内的部分期间，或者在所述偏置功率的传输路径上所测量的周期性地变动的参数的各周期内的部分期间施加所述第一状态的所述负直流电压，且与所述第一状态相连续地施加所述第二状态的所述负直流电压。
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