一种具有负介电常数的聚二甲基硅氧烷/石墨烯柔性复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108929542B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201810902070.4

    申请日:2018-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种具有负介电常数的聚二甲基硅氧烷/石墨烯柔性复合薄膜及其制备方法。将聚二甲基硅氧烷的前驱体和固化剂与非极性的有机溶剂混合均匀后的溶液中加入质量分数为3%~4%的石墨烯,非极性的有机溶剂与前驱体质量相等;石墨烯均匀分散于溶液中形成混合浆料,取混合浆料倒在平板上,使混合浆料均匀涂覆在平板表面,固化处理并从平板上剥离后得到聚二甲基硅氧烷/石墨烯柔性复合薄膜。该复合薄膜的厚度为0.1~2 mm。本发明提供的柔性复合薄膜具有负的介电常数,具有工艺简便、成本低和易于规模化生产的特点,在可穿戴设备、传感器、隐身斗篷和柔性电子器件等领域具有重要的应用价值。

    一种基于金属粉绝缘包覆的负介电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108393487B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201810575436.1

    申请日:2018-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属粉绝缘包覆的负介电材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:制备二氧化硅绝缘包覆的金属粉;步骤2:将绝缘包覆的金属粉和未处理的金属粉按0‑1.5:1的质量比进行混合,得到混合金属粉;步骤3:将混合金属粉与环氧树脂粉料按1‑4:1的质量比进行混合,得到复合粉料;步骤4:将复合粉料加工成型,得到基于金属粉绝缘包覆的负介电材料。本发明所制备的基于金属粉绝缘包覆的负介电材料的负介电常数在10MHz‑1GHz频段内可调,负介电常数大小在‑2000到0范围内可精确调控。调控方法主要为,通过调控绝缘包覆的金属粉与未包覆的金属粉的比例、以及与环氧树脂的比例,操作简单,成本低。

    一种FeSiAl基软磁复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108597719A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810581239.0

    申请日:2018-06-07

    Abstract: 本发明公开了一种FeSiAl基软磁复合材料的制备方法,该方法是指先对铁硅铝进行磷化处理,再采用硅烷偶联剂作改性剂进行表面氧化硅包覆,得到双层绝缘包覆粉末。本发明提供的方法,工艺简单,原料易得,成本很低,重复性好,可以在工业上实现大批量生产。本发明制备的FeSiAl基软磁复合材料具有涡流损耗低,稳定性好,可高温热处理的特性,高频特性稳定良好,具有很好的市场前景。

    一种基于莱洛三角形的减振装置及方法

    公开(公告)号:CN119084526B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411562071.0

    申请日:2024-11-05

    Abstract: 本发明提供一种基于莱洛三角形的减振装置及方法,包括机械减振装置、莱洛三角体材料隔振件、减振装置主体外壳以及减振弹簧连接装置,机械减振装置通过转子柱与三组液压连杆协同工作,将纵向受力转化为水平面的转动,从而有效实现减振;莱洛三角体材料隔振件表面阵列布置了多个莱洛三角形减振槽,利用莱洛三角形的等宽特性,使得三边受力均匀分布,进一步增强了减振效果;所述减振弹簧连接装置采用双向虹膜结构,可轻松实现减振弹簧的连接与更换,且连接可靠耐用;本发明采用械减振装置与莱洛三角体材料隔振件相结合,抗冲击能力强,能有效降低震动,提高减振装置的安全性;且所述莱洛三角体材料隔振件不受基材的限制,承载能力强,可长期安全稳定工作。

    一种含MOF的复合太阳光光反射膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117700788A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311749632.3

    申请日:2023-12-19

    Abstract: 本发明涉及一种含MOF的复合太阳光光反射膜及其制备方法和应用。将聚偏二氟乙烯分散到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中充分搅拌;随后加入MOF金属有机框架粉末,边加边搅拌,得到成膜液;再加入二氧化硅,进行超声分散并充分搅拌;将所得的溶液涂布在玻璃板上,自然晾干,凝固后再烘干,得到MOF/二氧化硅/聚偏二氟乙烯复合太阳光光反射膜。与现有技术相比,本发明通过二氧化硅、MOF金属有机框架粉末和薄膜材料之间的配合从而使制备的薄膜材料具有良好的光反射性、热辐射性以及较好的韧性。本发明制备的MOF/二氧化硅/聚偏二氟乙烯光反射膜的辐射冷却效率高、疏水性能好且制备成本低。

    一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN112624768B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110018014.6

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法,包括:步骤1,分别称量氮化钛、多壁碳纳米管和钛酸铜钙后混合,其中多碳纳米管的质量占混合物总质量的6‑12%,将混合物粉碎,得到浆料;步骤2,浆料干燥后研磨,得到粉体;步骤3,将聚乙烯醇加入粉体后造粒,干压成型,得到坯体;步骤4,烧结坯体,得到陶瓷基三元复合材料。与金属材料、纯氮化钛等相比,本发明制备的氮化钛/多壁碳纳米管/钛酸铜钙三元复合材料的负介电常数低于200,在特定频率附近可以趋近于零,特别是在军事领域大功率微波器件、衰减瓷等方面具有重要应用价值。本发明提出的制备技术具有工艺简便,可以实现产品的批量化生产,具有很好的技术转化前景。

    一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN112624768A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110018014.6

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种具有弱负介电性能的陶瓷基三元复合材料及制备方法,包括:步骤1,分别称量氮化钛、多壁碳纳米管和钛酸铜钙后混合,其中多碳纳米管的质量占混合物总质量的6‑12%,将混合物粉碎,得到浆料;步骤2,浆料干燥后研磨,得到粉体;步骤3,将聚乙烯醇加入粉体后造粒,干压成型,得到坯体;步骤4,烧结坯体,得到陶瓷基三元复合材料。与金属材料、纯氮化钛等相比,本发明制备的氮化钛/多壁碳纳米管/钛酸铜钙三元复合材料的负介电常数低于200,在特定频率附近可以趋近于零,特别是在军事领域大功率微波器件、衰减瓷等方面具有重要应用价值。本发明提出的制备技术具有工艺简便,可以实现产品的批量化生产,具有很好的技术转化前景。

    一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110136910A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910501537.9

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明公开了一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料及其制备方法,该制备方法包含以下步骤:(1)将异丙醇铝、正硅酸乙酯、硼酸和氢氧化钾溶于有机溶剂中,完全溶解后移至反应釜,保温以获得透明胶体状的SiO2-Al2O3包覆层材料;(2)用油酸对羰基铁粉进行表面改性;(3)加入粘结剂,并与所述的SiO2-Al2O3包覆层材料及改性后的羰基铁粉混合,以获得具有绝缘包覆层的羰基铁粉核壳颗粒;(4)加入还原铁粉,将羰基铁粉核壳颗粒与还原铁粉球磨混合;(5)将球磨混合后的粉末压制成型;(6)将压制后的材料进行退火处理。本发明在降低涡流损耗的同时,有效降低了材料的低频磁滞损耗,同时还具有较高的磁导率与饱和磁通密度。

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