大量制备β-SiC纳米晶须的方法

    公开(公告)号:CN1239758C

    公开(公告)日:2006-02-01

    申请号:CN03141669.1

    申请日:2003-07-17

    Abstract: 一种大量制备β-SiC纳米晶须的方法,属于纳米技术领域。本发明以二氧化硅粉和硅粉为主要原料,配料后,经高频感应加热发生硅热还原反应生成SiO,然后以碳纤维作为碳源,直接生成大量β-SiC纳米晶须。与现有技术相比,本发明具有方法简单,成本低廉,可以大规模制备出高质量β-SiC纳米晶须的特点。适合进行工业化生产,为国内外进一步开发利用β-SiC纳米晶须提供了一种良好的方法。

    碳纳米管微结构的制备方法

    公开(公告)号:CN1709788A

    公开(公告)日:2005-12-21

    申请号:CN200510027570.0

    申请日:2005-07-07

    Abstract: 一种碳纳米管微结构的制备方法,步骤包括:基片准备;碳纳米管浆料制备;微结构成模:在经过处理的基片上表面,制成光刻胶层,并经曝光、显影和坚膜工艺以后形成具有所需图形和高度的微图形结构;碳纳米管压铸:采用压铸方法将碳纳米管浆料压入微结构模型中;固化成型:通过加热和保温处理,稳定固化碳纳米管微结构;脱模:通过将经过上述步骤的基片充分浸没在适用于溶解微结构模型的溶液中,在基片表面上形成碳纳米管微结构。本发明集合了常规图形化-光刻技术以及三维微结构-微压铸制造技术的特征,具有制备过程简单,结构图形边界清晰,图形深宽比大,图形化精度高,工艺适用性强等特点,尤其适用于大面积碳纳米管图形化结构的制备。

    固态基底表面有序排布纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:CN1166725C

    公开(公告)日:2004-09-15

    申请号:CN02155019.0

    申请日:2002-12-19

    Abstract: 一种固态基底表面有序排布纳米颗粒的方法属于纳米技术领域。本发明的具体步骤为:将带有亲水和疏水基团的链状有机分子溶于挥发性非水溶剂中。将与带有亲水和疏水基团的链状有机分子结合的纳米颗粒分散于上述溶液中。以纯水为底液,将上述含有纳米颗粒的非水溶液铺展在Langmuir槽中,控制水表面纳米颗粒单分子薄膜的膜压。用垂直提拉法将薄膜转移到处理过的固态基底表面形成Y-型LB膜。所制备的纳米颗粒薄膜经过高温退火或高能光线照射,一些有机分子离解,并从衬底上蒸发,纳米颗粒保留在基底上。所提供的方法具有简单易行,转移效率高,薄膜表面的颗粒排布有序,尺寸和厚度方便可调等特点,所制得的薄膜缺陷少,该方法适用范围广,便于推广和应用。

    纳米碳基薄膜场发射压力传感器

    公开(公告)号:CN1424565A

    公开(公告)日:2003-06-18

    申请号:CN03114812.3

    申请日:2003-01-09

    Abstract: 一种纳米碳基薄膜场发射压力传感器属于微细加工和传感器技术领域。主要包括:电子发射阴极、阳极、绝缘隔离层、发射腔体、电极引线。电子发射阴极材料采用纳米碳基薄膜,电子发射阴极和阳极通过绝缘隔离层相连,在高真空环境下进行键合封装,在电子发射阴极和阳极之间形成场发射腔体,电极引线分别从电子发射阴极和阳极背面引出。本发明由碳基纳米薄膜作为电子发射阴极构成的压力传感器,不仅具有高灵敏性、耐高温、抗辐射、低功耗的优点,而且整个压力传感器的整体结构和制备工艺简化,成本降低,成品率提高。

    极小热滞形状记忆合金薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN1399005A

    公开(公告)日:2003-02-26

    申请号:CN02136712.4

    申请日:2002-08-29

    Abstract: 极小热滞形状记忆合金薄膜的制备方法属于薄膜材料和薄膜技术领域。本发明薄膜由NiTi两元合金构成,其重量百分比为:Ni:52.6-51.9%,Ti:47.4-48.1%,膜厚为5-8微米。采用磁控溅射方法和后晶化热处理制备,方法具体如下:(1)选用NiTi铸态合金材料作为溅射靶材;(2)NiTi薄膜的溅射沉积,溅射参数为:溅射前的本底真空度:4-8×10-5Pa,溅射时氩气作为工作气体,压力为0.1-0.8Pa,溅射功率为150W-250W,溅射时间100-120分钟;(3)NiTi薄膜的后晶化处理,晶化处理参数为:温度为500-550℃,时间为20-30分钟。本发明薄膜室温时具有典型的R相变特征,可发生完全的R相变及逆相变,NiTi/Si驱动膜的特征频率可达400Hz,动态特性明显提高,较好的解决了形状记忆合金响应频率不高的问题。

    采用形状记忆合金/硅双层驱动膜结构的微泵

    公开(公告)号:CN1081294C

    公开(公告)日:2002-03-20

    申请号:CN99113953.4

    申请日:1999-08-04

    Abstract: 本发明涉及一种采用形状记忆合金/硅双层驱动膜结构的微泵,它由NiTi形状记忆合金薄膜1及Si薄膜2构成的双层驱动膜、泵腔体3、进水泵4和出水阀5等组成。该微泵采用在泵腔体材料Si上直接沉淀形状记忆合金NiTi薄膜,形成NiTi/Si可双向运动的驱动膜,并运用微细图形化技术对结构进行优化设计。具有结构及制备工艺简单、输出流量大、驱动频率高、可控性强、功耗低、寿命长的特点。

    镍钛合金薄膜多元化学刻蚀剂

    公开(公告)号:CN1081246C

    公开(公告)日:2002-03-20

    申请号:CN99113924.0

    申请日:1999-07-29

    Inventor: 丁桂甫 徐东

    Abstract: 一种镍钛合金薄膜多元化学刻蚀剂,由重量百分比(Wt%)为0.95%-26.7%的氢氟酸,0.5%-19.5%的硝酸,2.0%-22.6%的盐酸,1%-10%的刻蚀速率促进剂和水组成,其中刻蚀速率促进剂可以是碘酸钾,次氯酸钠,过氧醋酸或双氧水中的一种。本发明对光刻胶及许多有机化合物具有高稳定性,可以保证图形转移的精度,提高对复杂细微掩模图形的复制能力,同时可以提高批量加工的成品率,加工成本和废液处理成本非常低。

    基于MgxZn1-xO压电薄膜的固体装配型谐振器

    公开(公告)号:CN104009727A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410216787.5

    申请日:2014-05-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于MgxZn1-xO压电薄膜的固体装配型谐振器,其包括电极、压电薄膜、Bragg反射层薄膜和基片,所述的Bragg反射层由高声阻薄膜和低声阻薄膜组成,依次溅射n个周期的高声阻薄膜和低声阻薄膜,且最上层为低声阻薄膜;压电薄膜的材料是MgxZn1-xO,其中n为正整数,0.05≦x≦0.33。本发明结构稳定、机械强度高、回波损耗值高、机电耦合系数和品质因数较高,且成本较低。

    一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102332375B

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201110226566.2

    申请日:2011-08-09

    Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法,具体包括如下步骤:在衬底上制备三维微放电电极;在微电极表面沉积聚合物介质薄膜;形成介质和电极交替结构;在未覆盖介质的微电极上沉积一维纳米材料。本发明可以有效改善介质对微放电电极表面的覆盖性,增强了介质对离化的抑制作用,所形成的交替介质和电极结构,可避免电极间的碳纳米管的短路故障,提高器件的工作寿命和制备合格率。

    气敏传感器性能测试装置
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102384962A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110352980.8

    申请日:2011-11-09

    Abstract: 本发明涉及传感器性能测试装置,尤其涉及一种气敏传感器性能测试装置。一种气敏传感器性能测试装置,包括:控温控湿机构,所述控温控湿机构用于控制所述测试室的温湿度;所述控温控湿机构包括:加热管层,制冷管层,保温层,湿度调节器;所述加热管层围出一个腔体,所述测试室包括测试区域,所述测试区域是所述腔体中的空间区域,所述加热管层中设置有加热管;所述制冷管层包裹所述加热管层,所述制冷管层中设置有制冷管;所述保温层包裹所述制冷管层;所述加热管层、所述制冷管层和所述保温层设置有安装孔,所述湿度调节器固定设置于所述安装孔中并且位于所述测试区域内。本发明解决了现有的气敏传感器性能测试装置只能模拟高温环境的技术问题。

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