-
公开(公告)号：CN1425707A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02155019.0
申请日：2002-12-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种固态基底表面有序排布纳米颗粒的方法属于纳米技术领域。本发明的具体步骤为：将带有亲水和疏水基团的链状有机分子溶于挥发性非水溶剂中。将与带有亲水和疏水基团的链状有机分子结合的纳米颗粒分散于上述溶液中。以纯水为底液，将上述含有纳米颗粒的非水溶液铺展在Langmuir槽中，控制水表面纳米颗粒单分子薄膜的膜压。用垂直提拉法将薄膜转移到处理过的固态基底表面形成Y－型LB膜。所制备的纳米颗粒薄膜经过高温退火或高能光线照射，一些有机分子离解，并从衬底上蒸发，纳米颗粒保留在基底上。所提供的方法具有简单易行，转移效率高，薄膜表面的颗粒排布有序，尺寸和厚度方便可调等特点，所制得的薄膜缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
-
公开(公告)号：CN1606137A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410054208.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/32 , H01L21/467 , H01L21/475 , C23F1/02
Abstract: 一种基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法，用于电子器件制造领域。本发明包括如下步骤：a.将单分散的无机纳米材料均匀排布在基底表面，形成纳米点、纳米线、纳米网状图形排列；b.以上述纳米阵列和图形作为掩膜，采用反应离子刻蚀和离子束刻蚀工艺，进行纳米图形和阵列的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列图案；c.去除表面的纳米材料，获得纳米图形和阵列。本发明所采用的刻蚀工艺与传统工艺兼容，同时在刻蚀过程中以制备好的纳米材料作为掩膜，扩大了所能刻蚀的基底材料种类，而且使刻蚀工艺简化、图形方便可调，易于控制，本发明方法具有简单易行，效率高，表面的图形可控等特点，所制得的图形缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
-
公开(公告)号：CN1309027C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410054208.8
申请日：2004-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/32 , H01L21/467 , H01L21/475 , C23F1/02
Abstract: 一种基于纳米材料排布的纳米刻蚀方法，用于电子器件制造领域。本发明包括如下步骤：a.将单分散的无机纳米材料均匀排布在基底表面，形成纳米点、纳米线、纳米网状图形排列；b.以上述纳米阵列和图形作为掩膜，采用反应离子刻蚀或离子束刻蚀工艺，进行纳米图形和阵列的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列图案；c.去除表面的纳米材料，获得纳米图形和阵列。本发明所采用的刻蚀工艺与传统工艺兼容，同时在刻蚀过程中以制备好的纳米材料作为掩膜，扩大了所能刻蚀的基底材料种类，而且使刻蚀工艺简化、图形方便可调，易于控制，本发明方法具有简单易行，效率高，表面的图形可控等特点，所制得的图形缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
-
公开(公告)号：CN1166725C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02155019.0
申请日：2002-12-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种固态基底表面有序排布纳米颗粒的方法属于纳米技术领域。本发明的具体步骤为：将带有亲水和疏水基团的链状有机分子溶于挥发性非水溶剂中。将与带有亲水和疏水基团的链状有机分子结合的纳米颗粒分散于上述溶液中。以纯水为底液，将上述含有纳米颗粒的非水溶液铺展在Langmuir槽中，控制水表面纳米颗粒单分子薄膜的膜压。用垂直提拉法将薄膜转移到处理过的固态基底表面形成Y-型LB膜。所制备的纳米颗粒薄膜经过高温退火或高能光线照射，一些有机分子离解，并从衬底上蒸发，纳米颗粒保留在基底上。所提供的方法具有简单易行，转移效率高，薄膜表面的颗粒排布有序，尺寸和厚度方便可调等特点，所制得的薄膜缺陷少，该方法适用范围广，便于推广和应用。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
