公开(公告)号：CN112409824B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202010771243.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵镇希 ,  郭泽秀 ,  姜明镐 ,  张胜宇 ,  卢健培

IPC: C09D1/00 ,  H01L21/316

Abstract: 提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子器件，组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中当将70克的用于形成二氧化硅层的组成物添加到100毫升容器，在40℃下使其静置28天，且获得由组成物产生的1毫升的气体时，1毫升的气体包含氢气、硅烷气体SiH4以及氨气，且氢气、硅烷气体SiH4以及氨气满足等式1：[等式1](氢气量(ppm))/(硅烷气体SiH4的量(ppm)+氨气量(ppm))≥1.5本申请能使二氧化硅层内部的空隙的数目最小。

公开(公告)号：CN113528014A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110406105.7

申请日：2021-04-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎 ,  郭泽秀 ,  裵鎭希 ,  张胜宇

IPC: C09D183/16 ,  C08G77/62

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，一种使用所述组成物的二氧化硅层以及包括所述二氧化硅层的电子装置。所述组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物具有约8,000克/摩尔到约15,000克/摩尔的重量平均分子量(Mw)，且由凯氏(kjeldahl)滴定法测量的含硅聚合物的氮含量按含硅聚合物的总重量计是约25重量％到约30重量％。

公开(公告)号：CN109957261B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201811353793.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  黄丙奎 ,  卢健培 ,  司空峻 ,  徐珍雨 ,  张俊英

IPC: C09D1/00 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。

公开(公告)号：CN110903764A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811610012.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  司空峻 ,  卢健培 ,  任浣熙 ,  赵炫洙

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D1/00

Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。

公开(公告)号：CN105720041B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201510574210.6

申请日：2015-09-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 张俊英 ,  郭泽秀 ,  金佑翰 ,  尹熙灿 ,  裵镇希 ,  金补宣 ,  罗隆熙 ,  朴玺美 ,  李汉松 ,  任浣熙

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。

公开(公告)号：CN108164711A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201710636140.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 沈秀姸 ,  裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  金龙国 ,  金眞敎 ,  卢健培 ,  尹熙灿 ,  李知虎 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。

公开(公告)号：CN105713512A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510591897.4

申请日：2015-09-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 任浣熙 ,  郭泽秀 ,  李汉松 ,  朴银秀 ,  姜善惠 ,  金补宣 ,  金相均 ,  朴玺美 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  张俊英 ,  赵娟振 ,  韩权愚 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16

CPC classification number: C09D183/14 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08K5/01 ,  C09D183/16

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。