公开(公告)号：CN115939195A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210916857.2

申请日：2022-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  李香淑 ,  赵常玹 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  裵鹤烈 ,  李银河 ,  李准浩

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括：衬底，包括源极、漏极以及在源极和漏极之间的沟道；栅电极，布置在衬底上方并面向沟道，栅电极在第一方向上与沟道隔开；以及在沟道和栅电极之间的铁电薄膜结构，该铁电薄膜结构包括在第一方向上从沟道起顺序布置的第一铁电层、包括电介质材料的结晶阻挡层、和第二铁电层。第一铁电层的晶粒的尺寸的平均值可以小于或等于第二铁电层的晶粒的尺寸的平均值，并且由于小的晶粒，可以改善性能的离散。

公开(公告)号：CN115832028A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211129909.8

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李润姓

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种铁电材料和包括该铁电材料的电子器件，该铁电材料包括：第一畴，包括在第一方向上极化的第一极化层和与第一极化层相邻设置的第一间隔物层；第二畴，包括在不同于第一方向的第二方向上极化的第二极化层和与第二极化层相邻设置的第二间隔物层；以及结构层，设置在第一畴与第二畴之间的畴壁上，并属于/具有根据Pbcn空间群排列的原子。

公开(公告)号：CN114447223A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111298883.5

申请日：2021-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  裵鹤烈 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 提供了一种包括铁电层和两个或更多个电极层的铁电半导体器件和包括其的半导体装置。该半导体器件可以包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层具有比铁电层的热膨胀系数小的热膨胀系数。第二电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异可以大于第一电极层的热膨胀系数和铁电层的热膨胀系数之间的差异。第二电极层可以具有比第一电极层的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN113497130A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011277444.1

申请日：2020-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  申建旭 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及电子器件、其制造方法、和存储设备。公开了具有相对较小的漏电流的半导体器件和电容器。所述半导体器件包括半导体层、设置在半导体层上的氧化物层、和设置在氧化物层上的金属层，并且氧化物层中的氢浓度为约0.7原子％或更高。

公开(公告)号：CN112563323A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010673033.8

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  金尚昱 ,  赵常玹 ,  许镇盛 ,  李香淑

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01G7/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

Abstract: 公开了铁电薄膜结构、形成其的方法和系统及包括其的电子器件。该铁电薄膜结构包括至少一个第一原子层和至少一个第二原子层。第一原子层包括基于氧化物的第一电介质材料，第二原子层包括第一电介质材料和具有比第一电介质材料的带隙大的带隙的掺杂剂两者。

公开(公告)号：CN110911492A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910226482.5

申请日：2019-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  申建旭 ,  申铉振

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。一种电子器件可以包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的铁电层；以及在衬底和铁电层之间的碳层。该碳层可以具有sp2键合结构。

公开(公告)号：CN107768517A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710362544.6

申请日：2017-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  南胜杰 ,  金昌炫 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  许镇盛 ,  朴晟准

IPC: H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  H01L27/24 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/04

Abstract: 公开包括二维材料的相变存储器件、操作其的方法和相变层。所述相变存储器件可包括包含二维(2D)材料的相变层。所述相变层可包括包含一个或多个2D材料层的层状结构。所述相变层可提供在第一电极和第二电极之间，并且所述2D材料层的一个或多个的至少一部分的相可基于通过所述第一电极和所述第二电极施加到所述相变层的电信号而改变。所述2D材料可包括基于硫属化物的材料或磷烯。所述2D材料可具有大于或等于约200℃且低于或等于约500℃的相变温度。

公开(公告)号：CN103715259B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极相邻的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。

公开(公告)号：CN104617135A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410616370.8

申请日：2014-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  朴晟准 ,  李载昊 ,  许镇盛

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  H01L21/335 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。

公开(公告)号：CN103715259A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310221610.X

申请日：2013-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  朴晟准 ,  卞卿溵 ,  D.徐 ,  宋伣在 ,  李载昊 ,  郑现钟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/16 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供包括石墨烯沟道的隧穿场效应晶体管（TFET）。该TFET包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的半导体层；在半导体层上的石墨烯沟道，该石墨烯沟道朝向与第一电极间隔开的第一区域延伸；在石墨烯沟道上的第二电极，该第二电极在第一区域上；覆盖石墨烯沟道的栅绝缘层；以及在栅绝缘层上的栅电极。第一电极和石墨烯沟道设置为彼此面对，半导体层设置在其间。