公开(公告)号：CN115832028A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211129909.8

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李润姓

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种铁电材料和包括该铁电材料的电子器件，该铁电材料包括：第一畴，包括在第一方向上极化的第一极化层和与第一极化层相邻设置的第一间隔物层；第二畴，包括在不同于第一方向的第二方向上极化的第二极化层和与第二极化层相邻设置的第二间隔物层；以及结构层，设置在第一畴与第二畴之间的畴壁上，并属于/具有根据Pbcn空间群排列的原子。

公开(公告)号：CN115832029A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211134088.7

申请日：2022-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉 ,  许镇盛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的沟道；在沟道上的界面绝缘层；在界面绝缘层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极，其中，当界面绝缘层的介电常数的数值为K并且铁电层的剩余极化的数值为Pr时，界面绝缘层的材料和铁电层的材料被选择为使得K/Pr为1或更大。

公开(公告)号：CN116137287A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211433777.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵鹤烈 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李润姓 ,  南胜杰 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体器件、其制造方法、半导体装置及电子装置。该半导体器件包括具有包含掺杂剂的沟道层的基板、在沟道层上的铁电层、以及在铁电层上的栅极。沟道层具有1×1015cm‑3至1×1021cm‑3的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN115881189A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211184303.4

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  南胜杰 ,  李泫宰 ,  崔悳铉

IPC: G11C15/04 ,  G11C11/56 ,  G11C8/14

Abstract: 提供了内容可寻址存储器和包括其的电子装置。该内容可寻址存储器可以包括连接到匹配线、字线和搜索线的存储器单元，存储器单元包括掺有不同掺杂剂的第一沟道层和第二沟道层。

公开(公告)号：CN116632042A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310180204.7

申请日：2023-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文泰欢 ,  崔悳铉 ,  许镇盛 ,  李泫宰

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  G06N3/06 ,  G06N3/0464

Abstract: 提供了铁电场效应晶体管、神经网络装置和电子装置。铁电场效应晶体管包括：基板；源极，在第一方向上从基板的上表面突出；漏极，在第一方向上从基板的上表面突出；沟道，与基板的上表面间隔开并在源极和漏极之间在不同于第一方向的第二方向上延伸；铁电膜，围绕沟道的外周表面；以及栅电极，围绕铁电膜，其中沟道具有拥有不同的曲率的弯曲的剖面。

公开(公告)号：CN115440805A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210624256.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔悳铉 ,  许镇盛 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种薄膜结构、包括该薄膜结构的半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置。薄膜结构包括基板和在基板上的铁电层。铁电层包括具有萤石结构的化合物，其中 晶向在基板的法线方向上取向，并且具有正交相并包含氟。铁电层可以具有铁电性。