公开(公告)号：CN112309831A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010730842.8

申请日：2020-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  金海龙 ,  柳承旻 ,  文瑄敏 ,  宋政奎 ,  禹昌秀 ,  郑圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L21/02

Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。

公开(公告)号：CN112086456A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010141333.1

申请日：2020-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。

公开(公告)号：CN107464807B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201710407365.X

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安世衡 ,  金润洙 ,  崔在亨 ,  蒋在完 ,  文瑄敏 ,  李珍宣

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

公开(公告)号：CN110504219A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910342749.7

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜埈求 ,  姜相列 ,  金润洙 ,  李珍秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成初级下电极层，该初级下电极层包括铌氧化物；通过在初级下电极层上执行氮化工艺，将初级下电极层的至少一部分转换成包括铌氮化物的第一下电极层；在第一下电极层上形成电介质层；以及在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：CN107464807A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710407365.X

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安世衡 ,  金润洙 ,  崔在亨 ,  蒋在完 ,  文瑄敏 ,  李珍宣

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

公开(公告)号：CN106972016A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610868493.X

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  任基彬 ,  金润洙 ,  林汉镇

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种具有电容器的半导体器件包括：具有晶体管的衬底；形成在衬底上且不重叠形成在衬底中的第一接触节点的第一绝缘图案；第二绝缘图案，其形成在衬底上，不重叠形成在衬底中的第二接触节点，并且与第一绝缘图案分离；形成在部分衬底上和第一绝缘图案的侧壁上的第一下电极；形成在部分衬底上和第二绝缘图案的侧壁上的第二下电极；形成在第一下电极和第二下电极上的电介质层图案；以及形成在电介质层图案上的上电极。相关制造方法也被讨论。