-
-
公开(公告)号：CN115406160A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211045143.5
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种冰箱，所述冰箱包括具有敞开的前表面的主体以及配备为打开和关闭所述主体的敞开的前表面的门，其中，所述门包括：门板，包括板主体和配备于所述板主体的一表面的固定件；以及门主体，所述门板可分离地安装于所述门主体，在所述门主体的内部填充有隔热材料，所述门主体具有盖固定件，所述盖固定件以当所述门板被安装时供所述固定件插入的方式凹陷形成，并且所述盖固定件布置为与所述隔热材料接触。
-
公开(公告)号：CN112534197A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202080004419.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括形成储藏室的主体以及被设置为打开和关闭所述储藏室的门，其中，所述门包括门框架、盖和门板，所述盖布置在所述门框架之前并且包括盖固定件，所述门板布置在所述盖之前，所述门板包括位于所述门板的后表面上的第一固定件和第二固定件。当所述门板结合到所述盖的前侧时，所述第一固定件结合到所述门框架，并且所述第二固定件结合到所述盖。
-
公开(公告)号：CN108351153B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201680063072.8
申请日：2016-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本文公开了一种冰箱。所述冰箱包括：主体，其设置有存储腔室；门，其被配置为打开或关闭存储腔室；显示单元，其设置在门上；散热单元，其与显示单元相邻地设置并且被配置为经由形成在所述门内部的散热流动路径散发在所述显示单元中产生的热量，其中，所述散热流动路径的一端经由形成在所述门的上端部分中的第一开口与外部连通，并且散热流动路径的另一端经由形成于门的下端部分中的第二开口与外部连通。
-
公开(公告)号：CN109863358A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201880004000.5
申请日：2018-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括：主体，具有储藏室；内门，可旋转地设置在主体上；以及外门，被构造为与内门一起打开和关闭储藏室并且可旋转地设置在内门上，其中，内门包括：连接器安放部，设置在内门的上部并且被构造为将从主体延伸到内门的第一电线连接到从外门延伸到内门的第二电线。电线之间的连接得到改善以不受内门和外门的影响，如此可提高电线的耐久性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834188B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010176927.2
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有垂直折叠结构的非易失性存储器件和制造该非易失性存储器件的方法。半导体结构包括基本上垂直的第一部分和第二部分。多个存储单元沿半导体结构的第一部分和第二部分布置并串联连接。
-
公开(公告)号：CN100508109C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510096517.6
申请日：2005-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种电容器和一种制造该电容器的方法。可以通过形成两个或更多的介电层和下电极来形成该电容器，其中，在形成下电极之前形成该两个或更多的介电层的至少一个。
-
公开(公告)号：CN100435373C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410034355.9
申请日：2004-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分、以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。
-
公开(公告)号：CN101299440A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810086977.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66439 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L21/02365 , H01L21/02601 , H01L29/0665 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L29/66742 , H01L29/7839 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L51/426 , H01L2221/1094
Abstract: 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。
-
公开(公告)号：CN101009224A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610135571.1
申请日：2006-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/31 , H01L21/02134 , H01L21/02282 , H01L21/02345 , H01L21/3124
Abstract: 本发明提供了一种绝缘层构图方法、通过该绝缘层构图方法形成的绝缘层以及含有该绝缘层的显示装置。所述方法包括：通过将具有绝缘物质的FOX(可流动氧化物)和使用挥发溶剂溶解所述绝缘物质的溶剂来制备混合溶液；通过在衬底上施加所述混合溶液、烘烤并硬化施加在所述衬底上的混合溶液来形成涂层；将所述涂层的一区域曝光；以及，通过将所得的已曝光结构浸泡在异丙醇中、溶解所述涂层的未曝光区域并烘烤所述涂层的其余区域来形成绝缘层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
88
records
(took 0.026 seconds)
