公开(公告)号：CN1534724A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN03132805.9

申请日：2003-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东俊 ,  郑泰荣 ,  李宰求

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  Y02P80/30

Abstract: 在一个实施方案中，形成覆盖在半导体基片上的相邻的导电图形。所述导电图形各有导线和封盖层。在相邻的线图形之间形成第一间隔片形成层。在封盖层的顶表面与导线的底表面之间形成所述第一间隔片形成层。在导电图形上共形地形成的第二间隔片形成层。在共形的第二间隔片形成层上形成第一层间绝缘层。接着，在第一层间绝缘层中形成开孔，所述开孔延伸到第一间隔片形成层的部分上。用第二间隔片形成层作蚀刻掩模蚀刻第一间隔片形成层的一部分，从而在导电图形的侧壁上，与接触孔同时地形成单层间隔片。

公开(公告)号：CN1146961C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99111093.5

申请日：1999-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金注完 ,  金成镇 ,  赵昶贤 ,  黄秉槿 ,  李宰求 ,  高宽协

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185

Abstract: 一种形成电介质层的新方法。当图形之间形成的凹槽区域的纵横比大时，该方法包括淀积第一电介质层、腐蚀第一电介质层和淀积第二电介质层的步骤，从而可以形成无空隙的电介质层。