公开(公告)号：CN111668218A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010091291.5

申请日：2020-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  金奇南 ,  丁炯硕 ,  郑圭镐 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，所述半导体器件能够通过使用包含铁电材料及顺电材料的电容器介电膜来增大电容器的电容而改善元件的性能和/或可靠性。所述半导体器件包括：被设置成彼此间隔开的第一电极与第二电极；以及电容器介电膜，设置在第一电极与第二电极之间且包括第一介电膜及第二介电膜。所述第一介电膜包括第一单金属氧化物膜及第一双金属氧化物膜中的一者，第一介电膜具有正交晶系，第二介电膜包含顺电材料，且电容器介电膜的介电常数大于第二介电膜的介电常数。

公开(公告)号：CN111009490A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910383561.7

申请日：2019-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志云 ,  李珍秀 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层，其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。

公开(公告)号：CN109119420A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810654945.3

申请日：2018-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东洙 ,  郑元根 ,  罗勋奏 ,  裵洙瀯 ,  宋在烈 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括在基板上的第一晶体管和在基板上的第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管的每个包括竖直地堆叠在基板上且彼此竖直地间隔开的多个半导体图案以及填充半导体图案之间和所述基板与所述多个半导体图案中的最下面的半导体图案之间的空间的栅极电介质图案和功函数图案。第一晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层，第二晶体管的功函数图案包括第一功函数金属层和第二功函数金属层，第一晶体管和第二晶体管中的每个的第一功函数金属层具有比第二功函数金属层的功函数大的功函数，并且第一晶体管具有比第二晶体管的阈值电压小的阈值电压。

公开(公告)号：CN1812054B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200510129719.6

申请日：2005-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。

公开(公告)号：CN118804678A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410439499.X

申请日：2024-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金志星 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B53/30

Abstract: 实施方式提供了电容器和包括电容器的半导体器件。根据至少一个实施方式的电容器可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间并包括铁电层和设置在铁电层中的辅助部分的电介质层，其中辅助部分的能带隙Eg可以低于约4.0eV。

公开(公告)号：CN118301933A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311773880.1

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：结构，包括导电区域；以及电容器，与该结构的导电区域电连接。该电容器包括与导电区域电连接的第一电极、在第一电极上的第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电层。第一电极和第二电极中的至少一个包括：第一材料层，包括第一材料区域和第二材料区域，该第一材料区域包括第一晶体区域和与第一晶体区域不同的第二晶体区域，该第二材料区域在第一晶体区域和第二晶体区域之间；以及在第一材料层上的第二材料层。第一材料层的至少一部分在第二材料层和介电层之间。第一材料区域的材料不同于第二材料区域的材料。

公开(公告)号：CN117729775A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311083766.6

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B53/30 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括多个存储器单元，每个存储器单元包括单元晶体管和连接到单元晶体管的忆容器，并且忆容器包括：信息存储层，包括铁电材料；第一电极和第二电极，连接到信息存储层的两端；固定层，堆叠在信息存储层上并且包括顺电材料或反铁电材料；以及第三电极，连接到固定层而不接触信息存储层。

公开(公告)号：CN117460251A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310792042.2

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件包括基板、在基板上垂直地延伸并且彼此水平地间隔开的下电极、提供在基板上以共形地覆盖下电极的导电图案、提供为穿透导电图案并连接到下电极的侧表面的部分的支撑图案、以及设置在支撑图案的表面上的导电岛。导电岛可以分布在支撑图案的表面上以彼此间隔开，导电图案可以与导电岛间隔开并且与导电岛电断开。

公开(公告)号：CN117119787A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310221816.6

申请日：2023-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：上电极；下电极；电介质层，所述电介质层位于所述上电极与所述下电极之间；以及低带隙界面层，所述低带隙界面层包括位于所述电介质层与所述上电极之间的第一低带隙界面层和位于所述电介质层与所述下电极之间的第二低带隙界面层中的至少一者，其中，所述第一低带隙界面层和所述第二低带隙界面层中的每一者包括带隙能大于大约2.5eV且小于或等于大约3.5eV的金属氧化物。

公开(公告)号：CN117015236A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310373577.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：层间绝缘层、嵌入在层间绝缘层中的多个第一接触焊盘、嵌入在层间绝缘层中并且布置在多个第一接触焊盘上的第一功函数调整图案、以及布置在多个第一功函数调整图案上的多个下电极。