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公开(公告)号：CN107112242B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201580072647.8
申请日：2015-12-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司 , 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。
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公开(公告)号：CN111785694A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910271303.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN111785693A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910270551.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置具有：基板；电极，其形成在所述基板表面；以及保护膜，其形成在所述基板表面，其中，在垂直于所述基板表面的方向上，所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上，所述保护膜包括从所述基板表面起依次层叠设置的氧化膜、磷硅酸盐玻璃(PSG)以及第一非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)。根据本申请实施例，能提高半导体装置的可靠性。
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公开(公告)号：CN109309118A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H01L29/36 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66143 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/0684 , H01L21/0455
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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公开(公告)号：CN108987456A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710437128.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7823 , H01L29/1608 , H01L29/24 , H01L29/66681
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。所述半导体装置包括碳化硅漂移层、掩埋碳化硅层和氧化物半导体层；所述掩埋碳化硅层位于所述碳化硅漂移层内，并且所述掩埋碳化硅层被所述氧化物半导体层覆盖。因此，可以进一步提高半导体装置的击穿特性和/或长时间可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105247665A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031054.2
申请日：2014-05-02
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其特征在于，其具有：硅系基板；第一缓冲层，该第一缓冲层设置于前述硅系基板上，由含有Al成份的第一层与Al含量比前述第一层少的第二层交互积层而成；第二缓冲层，该第二缓冲层设置于前述第一缓冲层上，由含有Al成份的第三层与Al含量比前述第三层少的第四层交互积层而成；及，第三缓冲层，该第三缓冲层设置于前述第二缓冲层上，由含有Al成份的第五层与Al含量比前述第五层少的第六层交互积层而成；并且，整体来说，前述第二缓冲层的Al含量，比前述第一缓冲层和前述第三缓冲层多。由此，提供一种半导体装置，其可减低施加在缓冲层上的应力，并抑制漏电流、改善有源层顶面的平坦性。
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公开(公告)号：CN105247658A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031048.7
申请日：2014-05-02
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L29/1075 , H01L29/157 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明是一种半导体基板，其特征在于，其具有：硅系基板；缓冲层，该缓冲层设于前述硅系基板上，且由含有硼的氮化物系半导体所构成；及，有源层，该有源层被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少。由此，本发明提供一种半导体基板，其在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。
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公开(公告)号：CN109979838B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810058084.2
申请日：2018-01-22
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及检测半导体器件的裂纹的方法。该半导体器件包括裂纹传感器，该裂纹传感器具有SBD结构；该SBD结构至少配置在半导体本体的第一面上，并且配置为检测该半导体本体的第一面上的裂纹。因此，该裂纹传感器能够检测该半导体器件的表面上的裂纹，精度高且结构简单。
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公开(公告)号：CN110707064B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN109309118B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201710670126.3
申请日：2017-08-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：配置在上区域与下区域之间的中间区域；该中间区域内的第一导电类型的掺杂浓度低于漂移层内的该第一导电类型的掺杂浓度。因此，在施加后向偏压时，可延伸消耗层并且将该消耗层与该下区域连接；且可减小该上区域的电场。
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