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公开(公告)号：CN114843177A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210394894.1
申请日：2022-04-14
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种沟槽肖特基结构制作方法，涉及半导体工艺技术领域。首先利用图像化光刻板层在外延层上刻蚀沟槽，再基于沟槽的内壁生长介质层，然后沿外延层的表面沉积多晶硅，其中，多晶硅位于外延层的表面与沟槽内，再将位于外延层表面的多晶硅氧化，以形成氧化层，然后基于氧化层刻蚀接触孔，并露出沟槽，最后基于接触孔沉积势垒金属与正面金属，以形成沟槽肖特基结构。本申请提供的沟槽肖特基结构制作方法具有制作了工艺、节省了制作成本的优点。
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公开(公告)号：CN222616604U
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202421500158.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种氧分析仪保护装置及晶圆退火设备，涉及半导体制备技术领域。氧分析仪保护装置应用于氧分析仪，氧分析仪与晶圆退火腔体通过气体采样管连接。氧分析仪保护装置包括氮气管路以及阀门机构。阀门机构包括第一阀门以及第二阀门，第一阀门设置于气体采样管上，第二阀门设置于氮气管路上。氮气管路与气体采样管连通，且氮气管路与气体采样管的管路连接处位于第一阀门与氧分析仪之间。本实用新型可以有效地保护氧分析仪，并延长氧分析仪的使用寿命。
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公开(公告)号：CN222392690U
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202323552343.2
申请日：2023-12-25
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本申请提共了一种芯片加工设备与系统，涉及半导体技术领域。该芯片加工设备包括主阀、连接管路以及炉管，所述主阀通过所述连接管路与所述炉管的炉口处连通，所述主阀还连接于出气装置；其中，所述主阀设置于远离所述炉口的位置。本申请提共的芯片加工设备与系统具有降低了整个机台的异常频率与维护频率，提升了生产效率，降低了生产成本的优点。
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公开(公告)号：CN222250964U
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202421094071.8
申请日：2024-05-17
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种芯片制造设备气体凝结装置和芯片制造设备。涉及半导体工艺气体处理技术领域。芯片制造设备气体凝结装置包括管道和格挡件；格挡件安装于管道内壁；格挡件用于当气体通过时，对气体形成阻挡作用，并将气体中的部分物质凝结在格挡件上，这种格挡件的设计增强了芯片制造设备气体凝结装置对气体中的物质的吸附能力。
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公开(公告)号：CN222029062U
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202420309342.0
申请日：2024-02-19
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本申请提供一种取片工具，涉及半导体技术领域，包括：手柄和与所述手柄连接的吸盘，所述吸盘上设置有吸取孔，所述手柄具有与所述吸取孔连通的通道，所述通道连接真空装置，以用于通过所述通道向所述吸取孔输送真空吸取位于工装上的晶圆。采用真空吸取晶圆的方式，手柄上形成通道，吸盘上设置吸取孔，通道和吸取孔连通，通道连接真空装置，真空装置通过通道向吸取孔输送真空，利用真空吸取工装上的晶圆，这样避免了采用夹子夹取晶圆掉落的风险，且夹子夹取时开合操作空间较大，而直接吸取所需的空间较小，本申请采用吸盘取片的方式，保证了取片的安全性、便捷性，对晶圆和设备也具有保护作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221899971U
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202420434824.9
申请日：2024-03-06
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种炉管机及半导体加工设备，涉及半导体加工技术领域，本申请的炉管机，包括机台以及设置于机台上的反应管，反应管包括容置晶舟的反应腔以及供晶舟进入或退出反应管的出入口，出入口处对应晶舟的边缘设置检测组件，在晶舟进入或者退出反应腔时，检测组件出射光束投射至晶圆上，晶圆反射光束形成反射光束，或者晶圆吸收光束使得未照射至晶圆上的光束形成穿过光束，检测组件接收反射光束或者穿过光束，根据反射光束或者穿过光束的光信号检测晶圆的位置状态。本申请提供的炉管机及半导体加工设备，能够及时检测晶舟在进出炉管机时有无晶圆凸出或者碎片。
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公开(公告)号：CN221827846U
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202420289523.1
申请日：2024-02-07
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Inventor： 吴金钢
Abstract: 本申请公开了一种晶圆清洁装置及半导体加工设备，涉及半导体加工技术领域，本申请的晶圆清洁装置，包括机台以及晶圆传输通道上的转动盘、检测组件和新增的吹气组件，转动盘的顶部表面吸附晶圆并带动晶圆转动，检测组件设置于转动盘中心195mm处的一侧，用于通过晶圆上的缺口位置检测检测晶圆的位置，吹气组件设置于转动盘的另一侧，用于在晶圆转动过程中向晶圆的背面吹气以清洁晶圆背面。本申请提供的晶圆清洁装置及半导体加工设备，能够将清洁装置整合于晶圆定位装置中，从而在不增加半导体加工设备体积及不增加额外的工艺流程的基础上实现晶圆在传输过程中的同步清洁。
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公开(公告)号：CN221507323U
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202420106556.8
申请日：2024-01-16
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Inventor： 吴金钢
Abstract: 本申请提供一种光刻机及半导体加工设备，涉及半导体技术领域。该光刻机包括：光刻机本体、设置于光刻机本体上的至少一个紧急停机按钮以及报警电路；报警电路中接触器接触头的静触头、交流直流转换器的输入端用于电连接交流供电电源；交流直流转换器的直流输出端与继电器触点组的动触头、至少一个紧急停机按钮的一端电连接，交流直流转换器的接地端与接触器线圈的一端、继电器线圈的一端电连接；继电器线圈的另一端与至少一个紧急停机按钮的另一端电连接，接触器线圈的另一端与继电器触点组的静触头电连接，接触器接触头的动触头与报警器电连接，报警器用于在任一紧急停机按钮按下时进行报警，避免光刻机长时间宕机，保证光刻机的生产产出。
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公开(公告)号：CN220834250U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322208376.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: B01D19/00
Abstract: 本实用新型的实施例提供了一种排水气分离装置，涉及半导体排液领域。该排水气分离装置包括反应槽体、缓排槽体以及主排液管，缓排槽体设置于反应槽体的下方，缓排槽体的顶部和反应槽体连通，缓排槽体的顶部设有排气口，排气口用于在反应槽体内的液体进入缓排槽体后排出液体中的气体，从而进行水气分离，主排液管和缓排槽体的底部连通。废水在重力作用下向下掉落，使得废水中的气体快速向上流窜，并从缓排槽体的底部的排气口流出，从而实现水气分离，避免了排液过程中气体容易发生反灌现象缓排槽体连接于反应槽体和主排液管之间，能够避免反应槽体内的大量废水直接流向主排液管从而堵塞在主排液管的入口处，从而提高排液速度。
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公开(公告)号：CN220753361U
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202322201583.1
申请日：2023-08-15
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
Abstract: 本申请提供一种离子注入设备与系统，涉及半导体技术领域。该离子注入设备包括壳体、灯丝、第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰，第一灯丝套管和第二灯丝套管均镶嵌在壳体的入口处，第一灯丝套管朝壳体内部的一端与第一法兰连接，第二灯丝套管朝壳体内部的一端与第二法兰连接，第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰均套设于灯丝外；其中，第一法兰和第二法兰的表面不在同一平面。本申请提供的离子注入设备与系统能够利用现有的灯丝套管结构进行改进，防止两个法兰接触而导致短路，增加离子源使用时间，减少改造成本。
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